意法半導體SLLIMM?-nano系列IPM產品新增五款節(jié)省空間的貼裝智能功率模塊(IPM)，提供IGBT或MOSFET輸出選擇，用于電機內置驅動器或其它的空間受限的驅動器，輸出功率范圍從低功率到最高100W?！ ⌒履K的導通能效和開關能效都很高，特別是在最高20kHz硬開關電路內表現(xiàn)更為出色。通過管理開關電壓和電流上升率?(dV/dt,?di/dt)，內部柵驅動電路能夠將電磁輻射(EMI)抑制到最低。高散熱效率封裝提升產品的可靠性，支持無散熱器設計，同時2.7mm爬電距離和2.0
關鍵字：
意法半導體 IPM
集成的智能功率模塊(IPM)將在汽車功能電子化中發(fā)揮關鍵作用，促成新一代緊湊的、高能效和高可靠性的電機驅動器，實現(xiàn)在內燃機中省去耗能的機械式驅動負荷。IPM的主要促成元素有場截止溝槽IGBT、STEALTH 二極管、HVIC、LVIC和DBC技術等。
關鍵字：
IPM 智能功率模塊 汽車 電機驅動器 內燃機 201707
英飛凌科技股份公司進一步壯大1200 V單管IGBT產品組合陣容，推出最高電流達75 A的新產品系列。TO-247PLUS封裝同時還集成全額定電流反并聯(lián)二極管。全新TO-247PLUS 3腳和4腳封裝可滿足對更高功率密度和更高效率不斷增長的需求。需要高功率密度1200VIGBT的典型應用包括變頻器、光伏逆變器和不間斷電源(UPS)。其他應用包括電池充電和儲能系統(tǒng)?！ ∠啾瘸Ｒ?guī)TO-247-3封裝而言，全新TO-247PLUS封裝可實現(xiàn)雙倍額定電流。由于去除了標準TO-24
關鍵字：
英飛凌 IGBT
英飛凌科技股份公司推出全新封裝技術TRENCHSTOP??Advanced?Isolation。TRENCHSTOP??Advanced?Isolation可用于TRENCHSTOP和TRENCHSTOP?Highspeed?3?IGBT，確保一流的散熱性能并簡化制造流程。兩個版本均經過性能優(yōu)化，可取代全塑封封裝(FullPAK)及標準和高性能絕緣箔。該新封裝適用于諸多應用，如空調功率因數(shù)校正(PFC)、不間斷電源(UPS)和變頻器
關鍵字：
英飛凌 IGBT
2017年開年以來有這樣一些事件進入我們的視線:①2月,IGBT等電力電子功率器件被列入《戰(zhàn)略性新興產業(yè)重點產品和服務指導目錄》。②3月14日,捷捷微電上市,主營晶閘管等功率半導體器件的研發(fā)生產和銷售。③5月,國家科技重大專項(02專項)實施管理辦公室驗收中環(huán)股份“區(qū)熔硅單晶片產業(yè)化技術與國產設備研制”項目。④5月17日,國電南瑞公布非公開發(fā)行預案,募集配套中16.4億元用于IGBT模塊產業(yè)化項目。
一直以來,IGBT技術被國外半導體廠商壟斷,截至2015年我國IGBT市
關鍵字：
IGBT 新能源汽車
本文介紹了風電變流器核心組成部分的單體變流器在機柜結構設計中空間狹小、工作環(huán)境惡劣等特點，本文進行了結構設計分析。主要內容包括：單體變流器的組成布局、功率器件維護、結構受力，以及可維護性等。
關鍵字：
風電變流器 IGBT 退火處理
IGBT驅動電路的作用： IGBT驅動電路的作用主要是將單片機脈沖輸出的功率進行放大，以達到驅動IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩(wěn)定、安全工作的前提，驅動電路起到至關重要的作用?！ GBT的工作特性： IGBT的等效電路及符合如圖1所示,IGBT由柵極正負電壓來控制。當加上正柵極電壓時,管子導通;當加上負柵極電壓時,管子關斷?！ ?
? IGBT具有和雙極型電力晶體管類似的伏安特性,隨著控制電壓UGE的增加,特性曲線上移。開關電源中的IGBT通過UGE電平
關鍵字：
IGBT 功率器件
本文設計一種驅動供電電源，并通過實際測試證明其可用性。常見的驅動電源采用反激電路和單原邊多副邊的變壓器進行設計。
關鍵字：
IGBT 逆變器 汽車
本文重點研究了基于IGBT模塊的電能質量類治理設備的能耗狀況及節(jié)能路徑。首先，對典型拓撲結構的SVG、APF、MEC在額定輸出工況下的損耗特性進行了分析，確定了主要耗能部分;隨后，分析了 IGBT模塊能耗機理及降耗可行性路徑;最后，總結出現(xiàn)階段國內基于IGBT模塊的電能質量類治理設備降低自身工作能耗的重點改進方向。
關鍵字：
電能質量 能耗 節(jié)能 IGBT APF SVG 201706
中高壓逆變器應用領域IGBT和MOSFET驅動器技術的領導者今天推出SCALE-iDriver?系列電磁隔離的單通道門極驅動IC的擴展產品。新器件支持耐壓為1700 V以內的IGBT，通常適用于400 VAC至690 VAC的應用。它們也適用于最新的三電平拓撲光伏逆變器，以及采用1500 V新直流母線標準的光伏陣列。擴展后的1700 V SCALE-iDriver產品系列允許OEM廠商在各類解決方案中使用相同的高度集成、安全可靠的驅動器方案。
關鍵字：
Power Integrations IGBT
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上
關鍵字：
IGBT
半導體分立器件IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)潛在市場巨大，在工業(yè)控制、汽車電子、新能源、智能電網應用市場廣闊，而中國IC制造芯片廠也正積極尋求突破口，以成熟的工藝制程落地在地生產，提升國產IGBT芯片模塊的自給率。
IGBT應用領域廣泛，堪稱現(xiàn)代功率變流裝置的“心臟”和高端產業(yè)的“核芯”。從傳統(tǒng)的電力、機械、礦冶，到軌道交通、航空航天、新能源裝備以及特種裝備等戰(zhàn)略性新興產業(yè)，都有它的身影。
不過當前全球IGBT市場，仍被日、歐、美等IDM
關鍵字：
IGBT 芯片
為了應對補貼下降帶來的影響，市場對光伏組件和光伏逆變器的成本降低的需求將加強。目前來看，1500V等更高電壓的光伏組件將在成本降低方面將會很大程度上彌補支付補貼的下降。因此，隨著市場的期待，諸如1500V等更高電壓的光伏組件將會加快進入到市場的步伐。另外，光伏發(fā)電的效率和可靠性等要求也將相應提高，以提高光伏電站的產出，并降低光伏電站和光伏逆變器的維護成本。因此，新技術在光伏電站和光伏逆變器中的應用需求將不斷加強，并且將促進光伏發(fā)電行業(yè)的良性競爭和健康發(fā)展。
關鍵字：
三菱電機 光伏逆變器 IGBT
英飛凌科技股份公司進一步壯大其62 mm 封裝IGBT模塊陣容。新推出的功率模塊可滿足提高功率密度而不增加封裝尺寸這一與日俱增的需求，這應歸功于將更大面積的芯片和經改良的DCB襯底應用于成熟的62 mm封裝而得以實現(xiàn)。1200 V阻斷電壓模塊的典型應用包括：變頻器、太陽能逆變器和不間斷電源(UPS)，1700 V阻斷電壓模塊則適用于中壓變頻器。 1200 V阻斷電壓的62 mm模塊的額定電流最高達到600A，1700 V
關鍵字：
英飛凌 IGBT
Alpha?and?Omega?Semiconductor?(AOS)為集設計、開發(fā)與銷售為一體的功率半導體供應商,AOS提供廣泛的功率半導體產品線，包括完整的功率MOSFET和電源管理IC(Power?IC)產品系列。其在器件物理，工藝技術，電路設計及封裝設計上擁有豐富的經驗。通過將這些經驗整合用于產品性能以及成本控制的優(yōu)化，AOS在競爭中顯示出自身的特色。AOS的產品線設計的目標是滿足日益增長的高產量，高效能產品的應用需求，包括手提電腦、平板電視、
關鍵字：
e星球 IGBT
igbt-ipm介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條igbt-ipm!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對igbt-ipm的理解，并與今后在此搜索igbt-ipm的朋友們分享。
創(chuàng)建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473