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工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT過(guò)流和短路保護(hù)的問(wèn)題及處理方法

工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT過(guò)流和短路保護(hù)的問(wèn)題及處理方法-工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的整個(gè)市場(chǎng)趨勢(shì)是對(duì)更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管（IGBT）導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是：更高的短路電流電平、更小的芯片尺寸，以及更低的熱容量和短路耐受時(shí)間。這凸顯了柵極驅(qū)動(dòng)器電路以及過(guò)流檢測(cè) 和保護(hù)功能的重要性。以下內(nèi)容討論了現(xiàn)代工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中成功可靠地實(shí)現(xiàn)短路保護(hù)的問(wèn)題。
關(guān)鍵字：工業(yè)電機(jī) 驅(qū)動(dòng)器 IGBT 短路保護(hù)

三種IGBT驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)方法詳解

三種IGBT驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)方法詳解-本文著重介紹三個(gè)IGBT驅(qū)動(dòng)電路。驅(qū)動(dòng)電路的作用是將單片機(jī)輸出的脈沖進(jìn)行功率放大，以驅(qū)動(dòng)IGBT，保證IGBT的可靠工作，驅(qū)動(dòng)電路起著至關(guān)重要的作用，以及對(duì)IGBT驅(qū)動(dòng)電路的基本要求。
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IGBT式感應(yīng)加熱電源常見(jiàn)缺陷簡(jiǎn)要分析

IGBT式感應(yīng)加熱電源常見(jiàn)缺陷簡(jiǎn)要分析-目前國(guó)內(nèi)大部分生產(chǎn)廠商已經(jīng)采用IGBT結(jié)構(gòu)的感應(yīng)加熱電源，這種結(jié)構(gòu)的加熱電源能夠維持長(zhǎng)時(shí)間高效工作，且安全性比較高，因此比較受到生產(chǎn)商和消費(fèi)群體的歡迎。
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幾種IGBT驅(qū)動(dòng)電路的保護(hù)電路原理圖

幾種IGBT驅(qū)動(dòng)電路的保護(hù)電路原理圖-本文為您介紹幾種常見(jiàn)的IGBT驅(qū)動(dòng)電路原理及其保護(hù)電路，EXB841/840、M57959L/M57962L厚膜驅(qū)動(dòng)電路、2SD315A集成驅(qū)動(dòng)模塊，并附上電路原理圖。
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IGBT在逆變電路中的測(cè)試與仿真，IGBT逆變器緩沖定律

IGBT在逆變電路中的測(cè)試與仿真，IGBT逆變器緩沖定律-在設(shè)計(jì)緩沖電路時(shí)，應(yīng)考慮到緩沖二極管內(nèi)部和緩沖電容引線的寄生電感。利用小二級(jí)管和小電容并聯(lián)比用單只二極管和單只電容的等效寄生電感小，并盡量采用低感或無(wú)感電容。另外，緩沖電路的設(shè)計(jì)應(yīng)盡可能近地聯(lián)接在lGBT模塊上。以上措施有助于減小緩沖電路的寄生電感。
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雙電壓整流電路設(shè)計(jì)，IGBT模塊適用于整流電路嗎？

雙電壓整流電路設(shè)計(jì)，IGBT模塊適用于整流電路嗎？-不用兩個(gè)整流橋。用一個(gè)即可，把2個(gè)18伏交流接到整流橋的交流輸入端，把變壓器抽頭0伏接地線（線路板的地線），整流橋直流輸出+ -端接電容器濾波，電容器2個(gè)串聯(lián)之后正極接整流橋正極+，電容器負(fù)極接整流橋負(fù)極-，2個(gè)串聯(lián)的電容器中間引出一根線接地線，也就是雙18伏交流的抽頭。這樣就可以在直流輸出端得到正負(fù)20伏的雙電源了。
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什么是IGBT？如何使用此模塊實(shí)現(xiàn)“雙面水冷”，IGNT未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)又是如何？

什么是IGBT？如何使用此模塊實(shí)現(xiàn)“雙面水冷”，IGNT未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)又是如何？-IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。
關(guān)鍵字： igbt 散熱器新能源汽車

電動(dòng)汽車逆變器用IGBT驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)及可用性測(cè)試

電動(dòng)汽車逆變器用IGBT驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)及可用性測(cè)試-電動(dòng)汽車逆變器用于控制汽車主電機(jī)為汽車運(yùn)行提供動(dòng)力，IGBT功率模塊是電動(dòng)汽車逆變器的核心功率器件，其驅(qū)動(dòng)電路是發(fā)揮IGBT性能的關(guān)鍵電路。
關(guān)鍵字： igbt 電動(dòng)汽車逆變器

IGBT的結(jié)構(gòu)與各種保護(hù)設(shè)計(jì)方法詳解

IGBT的結(jié)構(gòu)與各種保護(hù)設(shè)計(jì)方法詳解-GTR和MOSFET復(fù)合，結(jié)合二者的優(yōu)點(diǎn)，具有好的特性。80年代中期問(wèn)世以來(lái)，逐步取代了GTR和一部分MOSFET的市場(chǎng)，中小功率電力電子設(shè)備的主導(dǎo)器件。
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IGBT的工作原理和作用以及IGBT管的檢測(cè)方法

IGBT的工作原理和作用以及IGBT管的檢測(cè)方法-　IGBT就是一個(gè)開(kāi)關(guān)，非通即斷，如何控制他的通還是斷，就是靠的是柵源極的電壓，當(dāng)柵源極加+12V（大于6V，一般取12V到15V）時(shí)IGBT導(dǎo)通，柵源極不加電壓或者是加負(fù)壓時(shí)，IGBT關(guān)斷，加負(fù)壓就是為了可靠關(guān)斷。
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新型功率半導(dǎo)體器件及應(yīng)用創(chuàng)新中心成立

　　“新型功率半導(dǎo)體器件及應(yīng)用創(chuàng)新中心的成立，將推動(dòng)形成‘技術(shù)創(chuàng)新—轉(zhuǎn)化—規(guī)?；瘧?yīng)用—投資再創(chuàng)新’的閉環(huán)，推動(dòng)創(chuàng)新成果在先進(jìn)軌道交通、智能電網(wǎng)、消費(fèi)電子、電動(dòng)汽車等重要領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。”日前，在湖南株洲召開(kāi)的“湖南省IGBT產(chǎn)業(yè)對(duì)接會(huì)”上，中國(guó)工程院院士、中國(guó)IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟理事長(zhǎng)丁榮軍說(shuō)。　　新型功率半導(dǎo)體是關(guān)系國(guó)民經(jīng)濟(jì)命脈的共性關(guān)鍵技術(shù)，涉及先進(jìn)軌道交通裝備、節(jié)能與新能源汽車、電
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給世界一顆“中國(guó)芯”

　　一個(gè)國(guó)家老工業(yè)城市如何在新時(shí)期取得成功? 　　美國(guó)硅谷的經(jīng)驗(yàn)值得我們借鑒。第三次科技革命以來(lái)，硅谷不斷創(chuàng)造和孕育出世界上最偉大的公司，并不斷匯聚世界各地的人才、技術(shù)和資本，歷經(jīng)歲月變遷而始終屹立于世界科技浪潮的前沿。硅谷的創(chuàng)新覆蓋了很多領(lǐng)域(互聯(lián)網(wǎng)、通信、生物制藥、電動(dòng)汽車等)，以至于很難講它的支柱產(chǎn)業(yè)是什么。　　硅谷的成功源于它唯一且持之以恒的核心競(jìng)爭(zhēng)力——創(chuàng)新。　　如今，中國(guó)內(nèi)陸的老工業(yè)基地株洲，也開(kāi)始了基于創(chuàng)新的城市全方位轉(zhuǎn)型升級(jí)。這座素有“動(dòng)力之都
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三菱電機(jī)應(yīng)用于電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)的IGBT模塊解決方案

三菱電機(jī)起初根據(jù)客戶的要求設(shè)計(jì)定制化的汽車級(jí)模塊，并且從1997年起就將汽車級(jí)IGBT模塊成功地應(yīng)用于電動(dòng)汽車中。隨后推出了非定制型的J-系列汽車級(jí)功率模塊T-PM和IPM;目前針對(duì)全球推出了新一代汽車級(jí)功率模塊J1-系列EV PM。
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東芝推出具有2.5A峰值輸出電流、采用低高度封裝的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器

　　東芝公司旗下存儲(chǔ)與電子元器件解決方案公司今日宣布推出采用低高度SO8L封裝的新型柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器“TLP5832”。該產(chǎn)品提供2.5A峰值輸出電流，可直接驅(qū)動(dòng)中級(jí)IGBT。出貨即日啟動(dòng)。　　新IC采用SO8L封裝，封裝高度比東芝采用SDIP6和DIP8(LF1選項(xiàng))封裝的現(xiàn)有產(chǎn)品降低約54%，可為封裝高度有限的電路板安裝提供支持，同時(shí)有助于實(shí)現(xiàn)芯片組小型化。盡管尺寸小，但是該IC可保證爬電距離和至少8mm的電氣間隙，使其適合需要高隔離性能的應(yīng)用?！　〈送猓撔滦蜄艠O驅(qū)動(dòng)光電耦合器可在–40至+110
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【E問(wèn)E答】如何減輕米勒電容所引起的寄生導(dǎo)通效應(yīng)

　　當(dāng)IGBT在開(kāi)關(guān)時(shí)普遍會(huì)遇到的一個(gè)問(wèn)題即寄生米勒電容開(kāi)通期間的米勒平臺(tái)。米勒效應(yīng)在單電源門(mén)極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中影響是很明顯的?；陂T(mén)極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關(guān)斷期間會(huì)產(chǎn)生一個(gè)很高的瞬態(tài)dv/dt，這樣會(huì)引發(fā)門(mén)極VGE間電壓升高而導(dǎo)通，這是一個(gè)潛在的風(fēng)險(xiǎn)(如圖1)。　　　　圖1：下管IGBT因?yàn)榧纳桌针娙荻饘?dǎo)通　　寄生米勒電容引起的導(dǎo)通　　在半橋拓?fù)渲?，?dāng)上管IGBT(S1)正在導(dǎo)通，產(chǎn)生變化的電壓dV/dt加在下管IGBT(S1)C-E間。電流流經(jīng)S
關(guān)鍵字：米勒電容 IGBT