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分享：IGBT的檢測方法
- IGBT有三個電極，分別稱為柵極G(也叫控制極或門極)、集電極C(亦稱漏極)及發(fā)射極E(也稱源極)一、用指針式萬用表對場效應(yīng)管進(jìn)行判別(1)用測電阻法判別結(jié)
- 關(guān)鍵字： IGBT 場效應(yīng)管 檢測方法
三個將造成IGBT損壞的低級操作錯誤
- 熟悉IGBT的朋友都知道，IGBT的內(nèi)部主要是MOS結(jié)構(gòu)。這就意味著IGBT對于靜電非常敏感，在使用過程中稍有不當(dāng)就可能造成IGBT的損壞。那么在使用IGBT時，需
- 關(guān)鍵字： IGBT 電源 電路設(shè)計(jì)
IGBT的特點(diǎn)、應(yīng)用及未來的研究方向
- 近年來，IGBT被廣泛關(guān)注，隨著技術(shù)的發(fā)展，其應(yīng)用前景被廣泛看好，作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)IGBT，在很多領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。 什么是IGBT? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓
- 關(guān)鍵字： IGBT
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