- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅動器及六款高/低側600V柵極驅動器，可在半橋或全橋配置下輕易開關功率MOSFET與IGBT。目標應用包括大型家用電器的驅動電機、工業(yè)自動化系統以及電動自行車和無人駕駛飛機等以電池供電的運載工具。新產品還適用于超過600W的電源，以及燃料電池、太陽能和風力發(fā)電應用的反相器?！ GD21xx系列具有可自舉到高達600V的浮動高側驅動器，使之適用于在電機驅動器及電源常見
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Diodes IGBT
- 愛之深、恨之切，因為我們太在意國芯的自強，所以才會怒其不爭，不能憑自己的實力說話，而是需借助外力，收購也許是最省力的辦法。
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IGBT 芯片
- 全球先進電子元件分銷商世強日前與國際橋堆制造領軍企業(yè)Shindengen簽訂分銷協議，前者正式代理包括橋堆、二極管、電源模塊、可控硅、IGBT、MOS等在內的新電元全線產品。 新 電元工業(yè)株式會社于1949年成立以來，主要從事功率半導體和開關電源、電裝制品的制造和銷售，并以電力電子技術為主要領域。旗下的電源用肖特基二極管、橋堆等分立器件產品的市場占有率穩(wěn)居世界前列，在日本國內占95%的市場份額。其整流橋在全世界占有接近40%的市場份額，素有“橋王”之稱?！ ⌒?nbsp;電元的主打產品——
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世強 IGBT
- 工業(yè)運動控制涵蓋一系列應用，包括基于逆變器的風扇或泵控制、具有更為復雜的交流驅動控制的工廠自動化以及高級自動化應用(如具有高級伺服控制的機器人)。這些系統需要檢測多個變量，例如電機繞組電流或電壓、直流鏈路電流或電壓、轉子位置和速度。變量的選擇和所需的測量精度取決于終端應用需求、系統架構、目標系統成本或系統復雜度。還有其他考慮因素，例如狀態(tài)監(jiān)控等增值特性。據報道，電機占全球總能耗的40%，國際法規(guī)越來越注重全體工業(yè)運動應用的系統效率(參見圖1)。
圖1：工業(yè)
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調制器 IGBT
- 模擬信號的隔離是非常頭疼的，有時候不得不需要隔離。大部分基于以下需要： 1.隔離干擾源; 2.分隔高電壓。 隔離數字信號的辦法很多，隔離模擬信號的辦法卻沒有想象的那么多，關鍵是隔離的成本，比想象的都要高出許多。特別是要求精確測量的場合，模擬信號的隔離，成本高得更加是離譜的無法想象。我從事這種系統開發(fā)多年，對自己所知道的隔離方法做個小小的總結： 數字隔離方法： 1. 光耦; 2. ADI 的磁隔離芯片,ADuMXXXX(XXXX為數字代號，如 I2C的ADuM1250); 3.自己用變壓器
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模擬信號 IGBT
- 貿澤電子 (Mouser Electronics) 為首家分銷Infineon TRENCHSTOP? 5 S5絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 的全球分銷商。此新一代超薄晶圓TRENCHSTOP 5系列產品在175°C的溫度下，能夠提供業(yè)界領先的1.60 VCE(sat) 低典型飽和電壓，因此即使在高溫工作條件下，也能保持較高的能效。 Mouser分銷的Infineon TRENCHSTOP 5 S5 IGBT提高了開關性能，可降低電路復雜度，此外由于不需要電容與齊納二極管，還可以降低整體系統成本
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Infineon IGBT
- 英飛凌科技股份公司進一步壯大其200 V驅動IC產品陣容，推出支持高壓、高速IGBT和功率MOSFET的IRS2005(S, M)。全新驅動IC能為具有嚴格空間限制的電機變頻器應用提供全面保護，比如電動園藝設備、高爾夫球車、電動工具及代步車等。IRS200x家族產品包括高邊和低邊驅動以及半橋式驅動，采用英飛凌成熟而強大的高壓結隔離(HVJI)工藝，以實現小型封裝，同時保持對負瞬變電壓的耐受性。這種200 V器件專為低壓(24 V、36 V和48 V)和中壓(60 V、80 V和100 V)應用量身定制
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英飛凌 IGBT
- IGBT的優(yōu)勢在于輸入阻抗很高，開關速率快，導通態(tài)電壓低，關斷時阻斷電壓高，集電極和發(fā)射機承受電流大的特點，目前已經成為電力電子行業(yè)的功率半導體發(fā)展的主流器件。IGBT已經由第三代發(fā)展到第五代了，由穿透型發(fā)展到非穿透型。IGBT模塊也在此基礎上同步發(fā)展，單管模塊，半橋模塊，6管模塊，到現在的7管模塊。IGBT驅動設計上比較復雜，需要考慮較多的因素，諸如合理的選擇驅動電壓Uge和門極驅動電阻Rg，過流過壓保護等都是很重要的。IGBT模塊廣泛用于UPS，感應加熱，逆變焊機電源，變頻器等領域。
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Vincotech IGBT
- IGBT這技術國內確實不夠，現在量產并使用在高鐵上，也是一大飛躍。
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高鐵 IGBT
- 1. 概述
HWKT—09型微機勵磁調節(jié)器是武漢洪山電工技術研究所研制的新型的由IGBT作為功率輸出器件的自并激微機勵磁調節(jié)器。它的最大特點是結構簡單，主控回路只需一塊面積為25×20(cm2)的印制電路板，以Intel公司準16位單片機(8098)為核心，加上外圍接口芯片組成的控制系統。該裝置于2000年12月在我站#1、#5機上成功投運，目前運行良好。
2. IGBT自并激勵磁系統的組成及主回路原理
2.1 勵磁系統組成及接線方式
自并激勵磁系統也就
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IGBT 勵磁系統
- 安森美半導體應用專家在此解答您的設計問題。這視頻將向您介紹智能功率模塊(IPM)如何應用于汽車中。安森美半導體用于汽車的智能功率模塊，是一個創(chuàng)新的3相電機驅動器模塊，由于無線路板(PCB-less)的設計，顯著減少電機控制的空間、重量和成本。
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IPM 紹智能功率模塊
- 意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)推出新款M系列650V IGBT，為電源設計人員提供一個更快捷經濟的能效解決方案，適用于暖通空調系統(HVAC)電機驅動、不間斷電源、太陽能轉換器以及所有的硬開關(hard-switching)電路拓撲20kHz功率轉換應用。
采用意法半導體的第三代溝柵式場截止型(trench-gate field-stop)低損耗制造工藝，M系列IGBT有一個全新溝柵(trench gate)和特殊設計的P-N-P垂直結構，可以在導通損耗和開關損耗之
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意法半導體 IGBT
- 意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出S系列 1200V IGBT絕緣柵雙極晶體管。當開關頻率達到8kHz時，新系列雙極器件的導通和關斷綜合損耗創(chuàng)市場新低，大幅度提升不間斷電源、太陽能發(fā)電、電焊機、工業(yè)電機等類似設備的電源轉換效率。
新S系列擁有當前1200V IGBT市場上最低的飽和電壓(VCE(sat))，可確保更低的壓降與最小的功率耗散，從而簡化熱管理系統。此外，正VCE(sat)溫度系數結合緊密的參數分布，不僅簡化多支晶體管的并聯
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意法半導體 IGBT
- 英飛凌科技股份公今日發(fā)布一款采用可控逆導型IGBT，在同一芯片上集成了IGBT和續(xù)流二極管的6.5 kV功率模塊。新發(fā)布的這款RCDC(二極管可控逆導型IGBT)IGBT芯片，非常適合現代高速列車和高性能電力機車，以及未來的HVDC輸電系統和傳動裝置。較之安裝尺寸相同的前幾代模塊，采用RCDC IGBT的模塊電流密度提高了33%，散熱性能也有所增強。因此，它可以延長產品工作壽命并提高可靠性，進而最大限度降低系統維護工作量。
通過推出RCDC IGBT芯片，英飛凌進一步壯大其高性能6.5kV
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英飛凌 IGBT
- 隨著綠色電力運動勢頭不減，包括家電、照明和電動工具等應用，以至其他工業(yè)用設備都在盡可能地利用太陽能的優(yōu)點。為了有效地滿足這些產品的需求，電源設計師正通過最少數量的器件、高度可靠性和耐用性，以高效率把太陽能源轉換成所需的交流或者直流電壓。
要為這些應用以高效率生產所需的交流輸出電壓和電流，太陽能逆變器就需要控制、驅動器和輸出功率器件的正確組合。要達到這個目標，在這里展示了一個針對500W功率輸出進行優(yōu)化，并且擁有120V及60Hz頻率的單相正弦波的直流到交流逆變器設計。在這個設計中，有一個DC/D
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IGBT 逆變器
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