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          Fairchild推出適用于混合動(dòng)力電動(dòng)汽車和純電動(dòng)汽車應(yīng)用的分立式IGBT

          •   隨著Fairchild最新汽車創(chuàng)新產(chǎn)品的上市,汽車制造商及其供應(yīng)商在牽引逆變器  和其他電機(jī)驅(qū)動(dòng)的元件方面將擁有更多的選擇  全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild 今天發(fā)布了新產(chǎn)品,即適用于混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(HEV)、充電式混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(PHEV)和電動(dòng)汽車(EV)應(yīng)用的新型分立式IGBT和二極管和裸片,從而擴(kuò)展了其不斷增加的汽車級(jí)半導(dǎo)體解決方案產(chǎn)品組合。 這些IGBT和二極管非常適合牽引逆變器,牽引逆變器是所有HEV、PHEV和EV的核心組件,能夠?qū)㈦姵?/li>
          • 關(guān)鍵字: Fairchild  IGBT  

          Power Integrations推出革命性的SCALE-iDriver IC,將高可靠性的SCALE-2驅(qū)動(dòng)器技術(shù)引入到1200 V應(yīng)用中

          •   中等電壓和高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5 A和8 A之間的電氣絕緣的單通道門極驅(qū)動(dòng)器IC,8 A是目前業(yè)內(nèi)不采用外部推動(dòng)級(jí)的最大輸出電流。SCALE-iDriver? IC可同時(shí)為IGBT和MOSFET提供驅(qū)動(dòng),也是首款將Power Integrations首創(chuàng)的FluxLink?磁感雙向通信技術(shù)引入1200 V驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的產(chǎn)品。Flux
          • 關(guān)鍵字: Power Integrations  IGBT  

          Power Integrations推出革命性的SCALE-iDriver IC,將高可靠性的SCALE-2驅(qū)動(dòng)器技術(shù)引入到1200 V應(yīng)用中

          •   中等電壓和高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5 A和8 A之間的電氣絕緣的單通道門極驅(qū)動(dòng)器IC,8 A是目前業(yè)內(nèi)不采用外部推動(dòng)級(jí)的最大輸出電流。SCALE-iDriver? IC可同時(shí)為IGBT和MOSFET提供驅(qū)動(dòng),也是首款將Power Integrations首創(chuàng)的FluxLink?磁感雙向通信技術(shù)引入1200 V驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的產(chǎn)品。Flux
          • 關(guān)鍵字: Power Integrations  IGBT  

          解析IGBT的工作原理及作用

          •   本文通過等效電路分析,通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用,并精簡的指出了IGBT的特點(diǎn)??梢哉f,IGBT是一個(gè)非通即斷的開關(guān),兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。   IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。  
          • 關(guān)鍵字: IGBT  MOSFET  

          IGBT模塊封裝底板的氧化程度對(duì)焊接空洞率的影響分析

          • 本文簡介了IGBT模塊的主要封裝工藝流程,并在相同的實(shí)驗(yàn)條件下,對(duì)兩組不同氧化程度的模塊分別進(jìn)行超聲波無損檢測掃描,將掃描圖像載入空洞統(tǒng)計(jì)分析軟件,通過對(duì)比兩組空洞率數(shù)據(jù)發(fā)現(xiàn):非氧化底板焊接空洞率較低,氧化底板的焊接空洞率普遍偏大?;诒緦?shí)驗(yàn)的結(jié)果,本文建議IGBT模塊在封裝之前,應(yīng)對(duì)散熱底板做好防腐處理,以確保底板不被氧化。
          • 關(guān)鍵字: IGBT  底板  氧化  空洞率  超聲波檢測  201605  

          CISSOID 向 Thales 交付首個(gè)碳化硅( SiC )智能功率模塊

          •   高溫及長壽命半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOID公司宣布,向 Thales Avionics Electrical Systems 交付首個(gè)三相 1200V/100A SiC MOSFET 智能功率模塊(IPM)原型。該模塊在 Clean Sky Joint Undertaking 項(xiàng)目的支持下開發(fā)而成,通過減小重量和尺寸,該模塊有助于提高功率轉(zhuǎn)換器密度,從而
          • 關(guān)鍵字: CISSOID  IPM  

          工業(yè)強(qiáng)基:工信部今年打算怎么干?

          •   工業(yè)基礎(chǔ)能力不強(qiáng),關(guān)鍵核心零部件受制于人,工業(yè)發(fā)展如何補(bǔ)短板?解放日?qǐng)?bào)·上海觀察從國家工信部12日發(fā)布的《工業(yè)強(qiáng)基2016專項(xiàng)行動(dòng)實(shí)施方案》獲悉,今年工信部將推動(dòng)重點(diǎn)領(lǐng)域發(fā)展,實(shí)施“一攬子”突破行動(dòng),重點(diǎn)突破40種左右標(biāo)志性核心基礎(chǔ)零部件(元器件)、關(guān)鍵基礎(chǔ)材料、先進(jìn)基礎(chǔ)工藝。    ?   “工業(yè)大而不強(qiáng)”,是我國工業(yè)發(fā)展的總體現(xiàn)狀。上海機(jī)床廠剛剛下線的國內(nèi)首臺(tái)進(jìn)入汽車主機(jī)廠發(fā)動(dòng)機(jī)生產(chǎn)線的“MK8220/S
          • 關(guān)鍵字: IGBT  中國制造2025  

          三菱電機(jī)應(yīng)用于電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)的模塊解決方案

          •   電動(dòng)汽車的運(yùn)行條件不同于工業(yè)應(yīng)用條件,對(duì)電驅(qū)動(dòng)用逆變器的核心元器件功率模塊不僅要求體積小、重量輕、效率高、冷卻方法簡單等,而且要求更高的可靠性、更長的壽命以及安全無故障運(yùn)行?! ∽鳛槿蚴准议_發(fā)汽車級(jí)功率模塊的三菱電機(jī)從1997年起就將汽車級(jí)功率模塊成功地應(yīng)用于電動(dòng)汽車中,迄今為止,已具有20年成功開發(fā)汽車級(jí)功率模塊的豐富經(jīng)驗(yàn)?! ?jù)介紹,三菱電機(jī)最早推出的是客戶定制型的汽車級(jí)IGBT模塊和智能功率模塊(IPM),隨后推出了非定制型的J-series汽車級(jí)功率模塊T-PM,它是一種采用壓注模封裝的2i
          • 關(guān)鍵字: 三菱電機(jī)  IGBT  

          IGBT關(guān)斷特性的提升

          • ???????IGBT現(xiàn)在存在的一個(gè)比較大的問題是關(guān)斷特性比較差,這對(duì)應(yīng)用限制比較多。英飛凌是如何解決這樣的問題的?  英飛凌科技(中國)公司工業(yè)功率控制事業(yè)部中國區(qū)總監(jiān)?于代輝  以前,半導(dǎo)體廠家主要從產(chǎn)品的角度如電子學(xué)角度來實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的更新?lián)Q代。最近,英飛凌提出PToS,也就是從產(chǎn)品到系統(tǒng)。英飛凌從系統(tǒng)的角度,通過與用戶更多的溝通,比如UPS,包括太陽能、風(fēng)能也存在導(dǎo)通電阻、工作溫度的問題。我們從用戶、系統(tǒng)和應(yīng)用的角度來反觀
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  IGBT  

          新型大功率模塊助你在日益火爆的充電樁搶占先機(jī)

          •   新能源汽車隨著相關(guān)技術(shù)的日趨成熟而越來越受歡迎,同時(shí)其清潔環(huán)保的特點(diǎn)已經(jīng)越來越受到大眾的喜愛。只是受制于動(dòng)力系統(tǒng)(電池等)的限制,新能源汽車的續(xù)航與動(dòng)力艙的體積一直為人詬病。由此可見,新能源汽車優(yōu)勢非常明顯,但弱點(diǎn)也比較突出,因此如何才能充分利用這種新技術(shù),使之不雞肋呢?增加配套基礎(chǔ)設(shè)施(像燃料動(dòng)力車一樣,增加“加油站”即充電樁/充電機(jī))毫無疑問成為推動(dòng)電動(dòng)車發(fā)展的最強(qiáng)助力。這個(gè)配套基礎(chǔ)設(shè)施的潛力有多大?可以這么說,有路的地方就有機(jī)會(huì)!由此,我們可以看到大量的企業(yè)信心滿滿地殺入這個(gè)市場?! ∧敲磫栴}來
          • 關(guān)鍵字: Vincotech  IGBT  

          驅(qū)動(dòng)電路頻率不足導(dǎo)致的IGBT失效分析

          •   在IGBT的使用過程中,存在電路失效的情況,而失效的原因通常多種多樣,其中一種就是當(dāng)驅(qū)動(dòng)電路工作頻率相對(duì)IGBT開關(guān)頻率不足時(shí),導(dǎo)致的IGBT失效問題。只有對(duì)IGBT失效原因進(jìn)行正確全面的分析,才能找出問題的根源順利解決。幫助大家理解這種失效原因背后的原理?! ⊥ǔ碚f,限制輸出頻率的因素是響應(yīng)速度和耗散功率。但是相比之下很多驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品的規(guī)定輸出頻率上限卻顯得小了很多。這是為什么呢?原因之一,是驅(qū)動(dòng)器經(jīng)過一次輸出翻轉(zhuǎn)后并不能馬上恢復(fù)穩(wěn)態(tài)。如果在驅(qū)動(dòng)器進(jìn)入穩(wěn)態(tài)前再次輸出翻轉(zhuǎn),則會(huì)引發(fā)一些可靠性問題?! ”?/li>
          • 關(guān)鍵字: 驅(qū)動(dòng)電路  IGBT  

          電源的六大酷領(lǐng)域及動(dòng)向

          • 節(jié)能環(huán)保離不開高能效、高密度的功率器件、模塊,以及各種高精度、低能耗的控制和模擬芯片等。在此,本文選取了六大熱門領(lǐng)域:電力電子器件、汽車電源、USB Type-C供受電、無線充電、能量收集、數(shù)據(jù)中心電源,邀請(qǐng)部分領(lǐng)軍企業(yè)介紹了技術(shù)市場動(dòng)向及新產(chǎn)品。
          • 關(guān)鍵字: SiC  IGBT  汽車  電池  USB Type-C  無線充電  能量收集  數(shù)據(jù)中心  201604  

          瑞薩電子推出第8代IGBT,以行業(yè)領(lǐng)先的超低損耗特性,提升系統(tǒng)功率

          •   瑞薩第8代IGBT:G8H系列2016年3月10日,日本東京訊——全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社(TSE:6723),于今日宣布推出第八代G8H系列絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的六款新產(chǎn)品,其可將用于太陽能發(fā)電系統(tǒng)的功率調(diào)節(jié)器中的轉(zhuǎn)換損耗降至最低,并減少不間斷電源(UPS)系統(tǒng)中的逆變器應(yīng)用。推出的六種新產(chǎn)品額定功率分別為650 V /40 A、50 A、75 A、1250 V / 25 A、4
          • 關(guān)鍵字: 瑞薩  IGBT  

          淺析IGBT的檢測方法

          •   IGBT有三個(gè)電極,分別稱為柵極G(也叫控制極或門極)、集電極C(亦稱漏極)及發(fā)射極E(也稱源極)  一、用指針式萬用表對(duì)場效應(yīng)管進(jìn)行判別  (1)用測電阻法判別結(jié)型場效應(yīng)管的電極  根據(jù)場效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象,可以判別出結(jié)型場效應(yīng)管的三個(gè)電極。具體方法:將萬用表撥在R×1k檔上,任選兩個(gè)電極,分別測出其正、反向電阻值。當(dāng)某兩個(gè)電極的正、反向電阻值相等,且為幾千歐姆時(shí),則該兩個(gè)電極分別是漏極D和源極S。因?yàn)閷?duì)結(jié)型場效應(yīng)管而言,漏極和源極可互換,剩下的電極肯定是柵極G。也可以將萬用表
          • 關(guān)鍵字: IGBT  

          【E課題】PWM“死區(qū)”的概念及基本原理

          •   死區(qū)就是在上半橋關(guān)斷后,延遲一段時(shí)間再打開下半橋或在下半橋關(guān)斷后,延遲一段時(shí)間再打開上半橋,從而避免功率元件燒毀?! WM脈寬調(diào)制  在電力電子中,最常用的就是整流和逆變。這就需要用到整流橋和逆變橋。以兩電平為例,每個(gè)橋臂上有兩個(gè)電力電子器件,比如igbt。這兩個(gè)igbt不能同時(shí)導(dǎo)通,否則就會(huì)出現(xiàn)短路的情況。因此,設(shè)計(jì)帶死區(qū)的PWM波可以防止上下兩個(gè)器件同時(shí)導(dǎo)通。也就是說,當(dāng)一個(gè)器件導(dǎo)通后關(guān)閉,再經(jīng)過一段死區(qū),這時(shí)才能讓另一個(gè)導(dǎo)通?! ∷绤^(qū),簡單解釋  通常,大功率電機(jī)、變頻器等,末端都是由大功率管
          • 關(guān)鍵字: PWM  IGBT  
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          igbt-ipm介紹

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