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IGBT崛起——國(guó)產(chǎn)功率器件的曙光

　　IGBT是功率器件技術(shù)演變的最新產(chǎn)品，是未來(lái)功率器件的主流發(fā)展方向。IGBT器件(絕緣柵雙極型晶體管)是一種MOSFET與雙極晶體管復(fù)合器件。既有功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng)、控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)。又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點(diǎn)?；诩夹g(shù)和功能上的優(yōu)勢(shì)，IGBT產(chǎn)品可以實(shí)現(xiàn)對(duì)以往功率器件產(chǎn)品的逐步替代。IGBT產(chǎn)品集合了高頻、高壓、大電流三大技術(shù)優(yōu)勢(shì)。IGBT能夠?qū)崿F(xiàn)節(jié)能減排，具有很好的環(huán)境保護(hù)效益。IGBT被公認(rèn)為是電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品，是未來(lái)應(yīng)用發(fā)展的必然
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意法半導(dǎo)體(ST)推出先進(jìn)的1200V IGBT,可實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)的使用壽命、節(jié)省更多能源

　　意法半導(dǎo)體最新的1200V絕緣柵雙極晶體管(IGBT,Insulated-Gate Bipolar Transistors)借助第二代溝柵式場(chǎng)截止型高速技術(shù)提升太陽(yáng)能逆變器、電焊機(jī)、不間斷電源和功率因數(shù)校正(PFC, Power-Factor Correction)轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用的能效和耐用性。　　意法半導(dǎo)體的新H系列1200V IGBT將關(guān)斷損耗和導(dǎo)通損耗降低多達(dá)15%。飽和電壓(Vce(sat))減低至2.1V (在標(biāo)準(zhǔn)集極電流和100°C下的典型值)，這能確?？傮w損耗降至最低，在20k
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 IGBT H系列

詳解IGBT驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)方案

　　IGBT作為一種大功率的復(fù)合器件，存在著過(guò)流時(shí)可能發(fā)生鎖定現(xiàn)象而造成損壞的問(wèn)題。在過(guò)流時(shí)如采用一般的速度封鎖柵極電壓，過(guò)高的電流變化率會(huì)引起過(guò)電壓，為此需要采用軟關(guān)斷技術(shù)，因而掌握好IGBT的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)特性是十分必要的。　　IGBT是電壓控制型器件，在它的柵極-發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有μA級(jí)的漏電流流過(guò)，基本上不消耗功率。但I(xiàn)GBT的柵極-發(fā)射極間存在著較大的寄生電容(幾千至上萬(wàn)pF)，在驅(qū)動(dòng)脈沖電壓的上升及下降沿需要提供數(shù)A的充放電電流，才能滿(mǎn)足開(kāi)通和關(guān)斷的動(dòng)態(tài)要求，這使得它的驅(qū)
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世界第二條8英寸IGBT專(zhuān)業(yè)芯片線(xiàn)將在株洲投產(chǎn)

　　6月20日上午，被業(yè)界認(rèn)為現(xiàn)代變流工業(yè)“皇冠上的明珠”的關(guān)鍵技術(shù)在中國(guó)南車(chē)取得產(chǎn)業(yè)化突破：公司投資近15億元的IGBT產(chǎn)業(yè)化基地建成并即將投產(chǎn)。這是國(guó)內(nèi)首條、世界第二條8英寸IGBT專(zhuān)業(yè)芯片生產(chǎn)線(xiàn)，首期將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)12萬(wàn)片8英寸IGBT芯片，配套生產(chǎn)100萬(wàn)只IGBT模塊，真正實(shí)現(xiàn)IGBT的國(guó)產(chǎn)化。它的投產(chǎn)，將打破國(guó)外公司在高端IGBT芯片技術(shù)上的壟斷。　　國(guó)家多部委關(guān)注IGBT研發(fā) 　　IGBT，是一種實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和控制的電力電子器件，中文名叫絕緣柵雙極型晶體管。自從
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我國(guó)成功實(shí)現(xiàn)8英寸IGBT芯片產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)

我國(guó)南車(chē)株洲所8英寸IGBT專(zhuān)業(yè)芯片生產(chǎn)線(xiàn)建成，真正實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，打破了國(guó)外公司在高端IGBT芯片技術(shù)上的壟斷......
關(guān)鍵字： IGBT 芯片

我首條8英寸IGBT芯片線(xiàn)建成

　　我國(guó)首條8英寸絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)專(zhuān)業(yè)芯片線(xiàn)，6月20日在中國(guó)南車(chē)株洲電力機(jī)車(chē)研究所有限公司建成，打破了國(guó)外在高端IGBT芯片技術(shù)上的壟斷，對(duì)保障國(guó)民經(jīng)濟(jì)安全和推動(dòng)節(jié)能減排具有重大戰(zhàn)略意義。　　與微電子技術(shù)中芯片技術(shù)一樣，IGBT芯片技術(shù)是電力電子行業(yè)中的“心臟”和“大腦”，控制并提供大功率的電力設(shè)備電能變換，有效提升設(shè)備的能源利用效率、自動(dòng)化和智能化水平，主要應(yīng)用于船舶、高壓電網(wǎng)、軌道交通等大功率電力驅(qū)動(dòng)設(shè)備中。　　IGBT芯
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國(guó)家“02專(zhuān)項(xiàng)”獲重大突破 8寸IGBT征名

　　(飛馳于大江南北的和諧號(hào)機(jī)樣同樣需要IGBT核心器件。) 　　(一個(gè)8英寸IGBT芯片的“誕生”，至少需要2個(gè)月以上、歷經(jīng)200多道工藝、由數(shù)6萬(wàn)個(gè)“細(xì)胞”完成。) 　　(中國(guó)南車(chē)株洲所功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)區(qū)域。) 　　(“中國(guó)智造”的南車(chē)株洲所辦公樓。) 　　紅網(wǎng)長(zhǎng)沙6月11日訊(記者喻向陽(yáng))6月下旬，一個(gè)長(zhǎng)期被發(fā)達(dá)國(guó)家玩轉(zhuǎn)的“魔方”——8英寸IGBT芯片將在
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傳統(tǒng)IGBT可靠性測(cè)試急需變革

　　據(jù)Yole Developpement市場(chǎng)調(diào)查公司2013年報(bào)告，2014年IGBT市場(chǎng)總值將達(dá)到43億美元，比2013年的39億美元多出40億美元。而從2011~2018年走勢(shì)可見(jiàn)，主要驅(qū)動(dòng)力是電動(dòng)汽車(chē)/混合動(dòng)力(EV/HEV)汽車(chē)(如圖1)。同時(shí)，鐵路牽引、可再生能源發(fā)電等需要越來(lái)越高的可靠性。可靠性成為功率電力電子器件的關(guān)鍵指標(biāo)。　　IGBT等大功率的電力電子器件通常需要大電流，例如地鐵需要8A，新能源汽車(chē)需要600A，風(fēng)能需要1500A及以上。同時(shí)電力電子器件的可靠性非常關(guān)鍵，例如機(jī)
關(guān)鍵字： IGBT Mentor EV/HEV 201406

東芝推出4A輸出智能門(mén)驅(qū)動(dòng)光電耦合器

　　東芝公司(TOKYO：6502)旗下半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司(Semiconductor & Storage Products Company)于2014年5月20日宣布其門(mén)驅(qū)動(dòng)光電耦合器陣容增添新成員，用于驅(qū)動(dòng)中等功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。這款新的4A輸出智能門(mén)驅(qū)動(dòng)光電耦合器“TLP5214”采用纖薄的SO16L封裝，并具有保護(hù)功能，可防止IGBT產(chǎn)生過(guò)流狀況。這一新產(chǎn)品將于5月底開(kāi)始量產(chǎn)出貨。　　&l
關(guān)鍵字：東芝 TLP5214 SO16L IGBT

最經(jīng)典的IGBT資料大全，技術(shù)詳解，設(shè)計(jì)技巧，應(yīng)用案例

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： IGBT 基礎(chǔ)理論設(shè)計(jì)技巧應(yīng)用案例雜散電感 DC/DC電源

新能源汽車(chē)成為大功率IGBT的主要驅(qū)動(dòng)力

　　據(jù)Yole Developpement市場(chǎng)調(diào)查公司2013年報(bào)告，2014年IGBT市場(chǎng)總值將達(dá)到43億美元，比2013年的39億美元多出4億美元。而從2011年~2018年可見(jiàn)，主要驅(qū)動(dòng)力是電動(dòng)汽車(chē)/混合動(dòng)力(EV/HEV)汽車(chē)(下圖草綠色部分)。　　可靠性成為功率電力電子器件的關(guān)鍵指標(biāo)　　EV/HEV汽車(chē)用IGBT等大功率的電力電子器件不僅對(duì)性能指標(biāo)要求高，目前電流已達(dá)600安培左右，同時(shí)對(duì)可靠性的要求更為嚴(yán)苛，例如汽車(chē)應(yīng)用的期望壽命需要二三十年，需上萬(wàn)次甚至百萬(wàn)次的功率循環(huán)要求，而且需要在不同的
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Mentor推出1500A功率循環(huán)測(cè)試設(shè)備

　　聚焦可靠性　　IGBT等大功率的電力電子器件通常需要大電流，例如地鐵需要800A，新能源汽車(chē)需要600A，風(fēng)能需要1500A及以上。同時(shí)電力電子器件的可靠性非常關(guān)鍵，例如機(jī)車(chē)牽引的期望壽命超過(guò)三十年，功率器件通常需上萬(wàn)次甚至百萬(wàn)次的功率循環(huán)要求，對(duì)新型IGBT等電力電子器件的可靠性提出了巨大的挑戰(zhàn)?！　」β恃h(huán)和熱量導(dǎo)致與熱相關(guān)的器件老化降級(jí)，容易導(dǎo)致焊線(xiàn)老化降級(jí)，金屬層錯(cuò)位，焊接失效，硅芯片和基板的分層等問(wèn)題。因此需要精密的實(shí)驗(yàn)設(shè)備對(duì)電力電子器件的可靠性進(jìn)行評(píng)估?！　鹘y(tǒng)的功率循環(huán)測(cè)試和失效分析有諸
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安森美半導(dǎo)體看好中國(guó)汽車(chē)市場(chǎng)

　　中國(guó)已成為全球最大的汽車(chē)生產(chǎn)國(guó)和消費(fèi)市場(chǎng)，2013年中國(guó)整體汽車(chē)銷(xiāo)量增長(zhǎng)14%至2,200萬(wàn)輛，其中乘用車(chē)銷(xiāo)售約1,800萬(wàn)輛(份額80%)，商用車(chē)約400萬(wàn)輛(份額20%);2014年整體銷(xiāo)量可達(dá)2,300萬(wàn)輛，乘用車(chē)銷(xiāo)量較2012年增長(zhǎng)16%。汽車(chē)大趨勢(shì)正在推動(dòng)半導(dǎo)體成分的升高：IHS公司預(yù)測(cè)，由于汽車(chē)安全與導(dǎo)航等系統(tǒng)的不斷采用，中國(guó)汽車(chē)半導(dǎo)體市場(chǎng)將在2014年增長(zhǎng)11%，達(dá)到46億美元。而在未來(lái)三年會(huì)延續(xù)增長(zhǎng)勢(shì)頭，到2017年，中國(guó)汽車(chē)芯片市場(chǎng)將達(dá)到62億美元。　　面對(duì)巨大的需求，半導(dǎo)體廠(chǎng)商
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高鐵“中國(guó)芯”即將量產(chǎn)：速度超600km/h

高鐵在技術(shù)上的突破確實(shí)令人欣慰，但這給老百姓帶來(lái)的實(shí)惠非常有限，其在經(jīng)濟(jì)民生方面的意義更像是國(guó)家層面的形象工程。
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淺談CPLD在IGBT驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

隨著國(guó)民經(jīng)濟(jì)的不斷發(fā)展，變頻調(diào)速裝置的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。如何打破國(guó)外產(chǎn)品的壟斷，已成為一個(gè)嚴(yán)肅的課題擺在我國(guó)工程技術(shù)人員的面前。在某型號(hào)大功率變頻調(diào)速裝置中，由于裝置的尺寸較大，考慮到結(jié)構(gòu)和散熱的條件，主控板上DSP產(chǎn)生的PWM信號(hào)需經(jīng)過(guò)較長(zhǎng)的距離才能送到IGBT逆變單元中。為保證PWM信號(hào)傳輸?shù)臏?zhǔn)確性和可靠性，必須解決以下幾個(gè)問(wèn)題：首先是抗干擾問(wèn)題，變頻器工作時(shí)，IGBT的開(kāi)關(guān)動(dòng)作會(huì)產(chǎn)生高頻干擾信號(hào);其次是如何保證PWM信號(hào)的前、后沿質(zhì)量，減少I(mǎi)GBT開(kāi)關(guān)動(dòng)作的過(guò)渡過(guò)程;最后是如何減少布線(xiàn)電感，盡可能
關(guān)鍵字： CPLD IGBT