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SiC MOSFET用于電機驅動的優(yōu)勢

低電感電機有許多不同應用，包括大氣隙電機、無槽電機和低泄露感應電機。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機類型中。這些電機需要高開關頻率（50-100kHz）來維持所需的紋波電流。然而，對于50kHz以上的調制頻率使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）無法滿足這些需求，如果是380V系統(tǒng)，硅MOSFET耐壓又不夠，這就為寬禁帶器件開創(chuàng)了新的機會。在我們的傳統(tǒng)印象中，電機驅動系統(tǒng)往往采用IGBT作為開關器件，而SiC MOSFET作為高速器件往往與光伏和電動汽車充電等需要高頻變換的應用相關聯。但在特定的
關鍵字：英飛凌 SiC MOSFET

NMOS和PMOS詳解

一、簡介MOS管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。其中，G是柵極，S是源極，D是漏極。二、nmos和pmos的原理與區(qū)別NMOSNMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semiconductor。意思為N型金屬-氧化物-半導體，而擁有這種結構的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MO
關鍵字： MOSFET NMOS PMOS

ROHM開發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝的600V耐壓Super Junction MOSFET

～產品陣容新增具有低噪聲、高速開關和超短反向恢復時間特點的5款新產品～全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐壓Super Junction MOSFET*1“R6004END4?/ R6003KND4?/ R6006KND4?/ R6002JND4?/ R6003JND4”，新產品非常適用于照明用小型電源、電泵和電機等應用。?近年來，隨著照明用的小型電源
關鍵字： ROHM Super Junction MOSFET

英飛凌推出首款采用OptiMOS? 7技術15 V PQFN封裝的溝槽功率MOSFET

數據中心和計算應用對電源的需求日益增長，需要提高電源的效率并設計緊湊的電源。英飛凌科技股份公司順應系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢，推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務器、計算、數據中心和人工智能應用上提升DC-DC轉換率。該半導體產品組合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置（Source-Down）封裝，標準門級和門級居中引腳排列形式均提供底部冷卻型和雙面冷卻型以供選擇；此外，該產品組合還包含穩(wěn)定可靠的超小型的PQFN
關鍵字：英飛凌溝槽功率 MOSFET

Nexperia首款SiC MOSFET提高了工業(yè)電源開關應用的安全性、穩(wěn)健性和可靠性標準

奈梅亨，2023年11月30日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產品組合中首批發(fā)布的產品，隨后Nexperia將持續(xù)擴大產品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高，可滿足電動
關鍵字： Nexperia SiC MOSFET 工業(yè)電源開關

Nexperia與三菱電機就SiC MOSFET分立產品達成戰(zhàn)略合作伙伴關系

Nexperia近日宣布與三菱電機公司建立戰(zhàn)略合作伙伴關系，共同開發(fā)碳化硅(SiC) MOSFET分立產品。Nexperia和三菱電機都是各自行業(yè)領域的領軍企業(yè)，雙方聯手開發(fā)，將促進SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度，同時滿足對高效分立式功率半導體快速增長的需求。三菱電機的功率半導體產品有助于客戶在汽車、家用電器、工業(yè)設備和牽引電機等眾多領域實現大幅節(jié)能。該公司提供的高性能SiC模塊產品性能可靠，在業(yè)界享有盛譽。日本備受贊譽的高速新干線列車采用了這些模塊，并以出色的效率、安全性和可靠性聞名遐邇。N
關鍵字： Nexperia 三菱電機 SiC MOSFET

了解 MOSFET 通態(tài)漏源電阻

分立 MOSFET 數據表中重要的規(guī)格之一是漏源通態(tài)電阻，縮寫為 R DS (on)。這個 R DS (on)想法看起來非常簡單：當 FET 處于截止狀態(tài)時，源極和漏極之間的電阻非常高，以至于我們假設電流為零。當 FET 的柵源電壓 (V GS ) 超過閾值電壓 (V TH ) 時，它處于“導通狀態(tài)”，漏極和源極通過電阻等于 R DS(on) 的溝道連接。然而，如果您熟悉 MOSFET 的實際電氣行為，您應該很容易認識到該模型與事實不符。首先，FET 并不真正具有“導通狀態(tài)”。當未處于截止狀態(tài)時（我們在此
關鍵字： MOSFET 通態(tài)漏源電阻

東芝推出30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設備以及電池組保護

中國上海，2023年11月7日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設備以及電池組保護。該產品于今日開始支持批量出貨。截至目前，東芝的N溝道共漏極MOSFET產品線重點聚焦于12V產品，主要用于智能手機鋰離子電池組的保護。30V產品的發(fā)布為電壓高于12V的應用提供了更廣泛的選擇，如USB充電設備電源線路的負載開關以及筆記本電腦與平板電腦的鋰離子電池組保護。&nbs
關鍵字：東芝 N溝道共漏極 MOSFET

2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&先之科半導體科技（東莞）有限公司

先之科半導體科技（東莞）有限公司于2018年成立，旗下子公司先科電子于1991年就開始專注于半導體分立器件研發(fā)及銷售，在半導體行業(yè)闖蕩了32年。作為一家成熟的半導體企業(yè)，先之科擁有占地60畝的生產基地，超過1400名員工，保證了其1.8億只的日產能，讓其旗下產品可以出現在任何需要它們的地方。今天展會之上，先之科為我們帶來了豐富的產品，包括各類二極管、整流管、保護器件、三極管以及MOSFET，橫跨汽車電子、光學逆變器和通信電源等領域。而本次所展出的AD-SiC MOSFET令人印象深刻，其采用了分立式封裝，
關鍵字：先之科半導體分立器件二極管整流管三極管 MOSFET

IGBT／MOSFET 的基本柵極驅動光耦合器設計

本應用筆記涵蓋了計算柵極驅動光耦合器 IC 的柵極驅動器功率和熱耗散的主題。柵極驅動光耦合器用于驅動、開啟和關閉功率半導體開關、MOSFET/IGBT。柵極驅動功率計算可分為三部分；驅動器內部電路中消耗或損失的功率、發(fā)送至功率半導體開關(IGBT/MOSFET)的功率以及驅動器IC和功率半導體開關之間的外部組件處（例如外部柵極電阻器上）損失的功率。在以下示例中，我們將討論使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能柵極驅動器）的 IGBT 柵極驅動器設計。本應用筆記涵蓋了計算柵極驅動光耦
關鍵字： IGBT MOSFET

詳解大功率電源中MOSFET功耗的計算

功率MOSFET是便攜式設備中大功率開關電源的主要組成部分。此外，對于散熱量極低的筆記本電腦來說，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過多相、同步整流、降壓型CPU核電源中一個30A單相的分布計算示例，詳細說明了上述概念。也許，今天的便攜式電源設計者所面臨的最嚴峻挑戰(zhàn)就是為當今的高性能CPU提供電源。CPU的電源電流最近每兩年就翻一番。事實上，今天的便攜式核電源電流需求會高達60A或更多，電壓介于0.9V和1.75V之間。但是，盡管電流需求在穩(wěn)步增
關鍵字： MOSFET 開關電源

SiC主驅逆變器讓電動汽車延長5%里程的秘訣

不斷增長的消費需求、持續(xù)提高的環(huán)保意識/環(huán)境法規(guī)約束，以及越來越豐富的可選方案，都在推動著人們選用電動汽車 (EV)，令電動汽車日益普及。高盛近期的一項研究顯示，到 2023 年，電動汽車銷量將占全球汽車銷量的 10%；到 2030 年，預計將增長至 30%；到 2035 年，電動汽車銷量將有可能占全球汽車銷量的一半。然而，“里程焦慮”，也就是擔心充一次電后行駛里程不夠長，則是影響電動汽車普及的主要障礙之一。克服這一問題的關鍵是在不顯著增加成本的情況下延長車輛行駛里程。本文闡述了如何在主驅逆變器中使用碳化
關鍵字：電動汽車逆變器 SiC MOSFET

SiC MOSFET 器件特性知多少？

對于高壓開關電源應用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢。開關超過 1,000 V的高壓電源軌以數百 kHz 運行并非易事，即使是最好的超結硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾電流”且關斷緩慢，因此僅限用于較低的工作頻率。因此，硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作，而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優(yōu)勢。它是電壓控制的場效應器件，能夠像 IGBT 一樣進行高壓
關鍵字： SiC MOSFET IGBT WBG

為敏感電路提供過壓及電源反接保護！

假如有人將24V電源連接到您的12V電路上，將發(fā)生什么？倘若電源線和接地線因疏忽而反接，電路還能安然無恙嗎？您的應用電路是否工作于那種輸入電源會瞬變至非常高壓或甚至低于地電位的嚴酷環(huán)境中?即使此類事件的發(fā)生概率很低，但只要出現任何一種就將徹底損壞電路板。為了隔離負電源電壓，設計人員慣常的做法是布設一個與電源相串聯的功率二極管或 P 溝道 MOSFET。然而——◇ 二極管既占用寶貴的板級空間，又會在高負載電流下消耗大量的功率?！?P 溝道 MOSFET 的功耗雖然低于串聯二極管，但 MOSFET 以及所需的
關鍵字： MOSFET 二極管 LTC4365

了解高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)

Littelfuse擁有廣泛的產品系列、具有競爭力的產品性能和先進的技術，在高壓（HV）分立Si MOSFET市場具有領導地位，特別是在1700V以上產品，包括電壓阻斷能力高達4700V的器件，能夠支持客戶開發(fā)需求嚴苛的應用。Littelfuse擁有廣泛的產品系列、具有競爭力的產品性能和先進的技術，在高壓（HV）分立Si MOSFET市場具有領導地位，特別是在1700V以上產品，包括電壓阻斷能力高達4700V的器件，能夠支持客戶開發(fā)需求嚴苛的應用。Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si) MOSF
關鍵字： Littelfuse MOSFET

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mosfet 介紹

　　金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]