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ST公布今年第二季度及上半年財(cái)報(bào)
- 意法半導(dǎo)體(紐約證券交易所代碼：STM)公布截至2009年6月27日的第二季度及上半年的財(cái)務(wù)報(bào)告。 意法半導(dǎo)體2009年第2季度收入總計(jì)19.93億美元，包含被ST-Ericsson合并的前愛立信移動(dòng)平臺(tái)的全部業(yè)務(wù)，和1800萬美元的技術(shù)授權(quán)費(fèi)。凈收入環(huán)比增幅20%，反映了意法半導(dǎo)體所在的所有市場(chǎng)以及全部地區(qū)的需求回暖，特別是中國(guó)和亞太地區(qū)的需求增長(zhǎng)強(qiáng)勁。因?yàn)樯虡I(yè)大環(huán)境的原因，在所有市場(chǎng)以及各地區(qū)第2季度的凈收入低于去年同期水平，但電信市場(chǎng)和亞太地區(qū)的表現(xiàn)則例外。 總裁兼首席執(zhí)行官 Car
- 關(guān)鍵字： ST MOSFET MEMS GPS 無線寬帶
半導(dǎo)體C-V測(cè)量基礎(chǔ)
- 通用測(cè)試 電容-電壓(C-V)測(cè)試廣泛用于測(cè)量半導(dǎo)體參數(shù)，尤其是MOSCAP和MOSFET結(jié)構(gòu)。此外，利用C-V測(cè)量還可以對(duì)其他類型的半導(dǎo)體器件和工藝進(jìn)行特征分析，包括雙極結(jié)型晶體管(BJT)、JFET、III-V族化合物器件、光伏電池、MEMS器件、有機(jī)TFT顯示器、光電二極管、碳納米管(CNT)和多種其他半導(dǎo)體器件。 這類測(cè)量的基本特征非常適用于各種應(yīng)用和培訓(xùn)。大學(xué)的研究實(shí)驗(yàn)室和半導(dǎo)體廠商利用這類測(cè)量評(píng)測(cè)新材料、新工藝、新器件和新電路。C-V測(cè)量對(duì)于產(chǎn)品和良率增強(qiáng)工程師也是極其重要的，
- 關(guān)鍵字： 吉時(shí)利 C-V測(cè)試 半導(dǎo)體 MOSFET MOSCAP
Linear 推出同步降壓型 DC/DC 控制器
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出低靜態(tài)電流、兩相雙路輸出同步降壓型 DC/DC 控制器 LTC3858/-1。該器件在一個(gè)輸出有效時(shí)僅消耗 170uA 電流，而兩個(gè)輸出都有效時(shí)消耗 300uA。兩個(gè)輸出都關(guān)斷時(shí)，LTC3858/-1 僅消耗 8uA，非常適用于汽車和筆記本電腦應(yīng)用。LTC3858/-1 的 4V 至 38V 寬輸入電源范圍能夠針對(duì)負(fù)載突降和冷車發(fā)動(dòng)情況所常見的汽車寬輸入電壓瞬變提供保護(hù)作用，并涵蓋多種電池化學(xué)組成。輸出電流高達(dá) 20A
- 關(guān)鍵字： Linear MOSFET 控制器
NXP推出N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品
- 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors，由飛利浦創(chuàng)立的獨(dú)立半導(dǎo)體公司)今日宣布推出全球首款N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品，型號(hào)為PSMN1R2-25YL，它擁有最低的導(dǎo)通電阻RDSon以及一流的FOM 參數(shù)。該產(chǎn)品是迄今為止采用Power-SO8封裝(無損耗封裝：LFPAK)中擁有最低導(dǎo)通電阻RDSon的MOSFET，也是恩智浦現(xiàn)有MOSFET系列的延伸。最新一代MOSFET器件集高性能Power-S08 LFPAK封裝與最新Trench 6硅技術(shù)于一體，可在各種嚴(yán)苛應(yīng)用條件下
- 關(guān)鍵字： NXP MOSFET PSMN1R2-25YL Power-SO8
Fairchild推出雙MOSFET解決方案FDMC8200
- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設(shè)計(jì)人員帶來業(yè)界領(lǐng)先的雙MOSFET解決方案FDMC8200，可為筆記本電腦、上網(wǎng)本、服務(wù)器、電信和其它 DC-DC 設(shè)計(jì)提供更高的效率和功率密度。該器件在3mm x 3mm MLP模塊中集成了經(jīng)優(yōu)化的控制 (高側(cè)) 和同步 (低側(cè)) 30V N溝道MOSFET，二者均使用的專用先進(jìn)高性能PowerTrench® 7 MOSFET技術(shù)，提供出色的低RDS(ON)、總體柵極電荷(QG)和米勒電荷 (QGD)，這些性能最大限度地
- 關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET PowerTrench FDMC8200
Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件
- Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件，它采用SO8封裝，包含一對(duì)互補(bǔ)100V增強(qiáng)式MOSFET，性能可媲美體積更大的獨(dú)立封裝器件。ZXMC10A816適用于H橋電路，應(yīng)用范圍包括直流風(fēng)扇和逆變器電路、D類放大器輸出級(jí)以及其他多種48V應(yīng)用。 Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場(chǎng)總監(jiān)梁后權(quán)指出：“這個(gè)N通道和P通道組合的MOSFET能夠代替采用SOT223及DPak (TO252) 封裝的同等器件，有助減省電路板空間及元件數(shù)目，同時(shí)簡(jiǎn)化柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)。比方說，SO8充分發(fā)揮了
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET ZXMC10A816
Diodes推出新型MOSFET 半橋器件
- Diodes 公司推出四款半橋MOSFET 封裝，為空間受限的應(yīng)用減少了元件數(shù)量和PCB尺寸，極大地簡(jiǎn)化了直流風(fēng)扇和 CCFL 逆變器電路設(shè)計(jì)。 Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場(chǎng)總監(jiān)梁后權(quán)指出：“ZXMHC 元件為SO8封裝，包含兩對(duì)互補(bǔ)N型和P型MOSFET，可取代四個(gè)分立式SOT23封裝的MOSFET或兩個(gè)SO8 互補(bǔ)MOSFET 封裝。對(duì)于現(xiàn)有不同類型的電機(jī)或其它感性負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置來說，這意味著可節(jié)省至少一半的PCB占板面積，同時(shí)大幅降低整體存貨成本?！? ZXM
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET 半橋器件 ZXMHC SO8
Maxim推出低電壓、降壓調(diào)節(jié)器
- Maxim推出內(nèi)置升壓開關(guān)的低電壓、降壓調(diào)節(jié)器MAX17083。該器件專為空間緊張的應(yīng)用而設(shè)計(jì)，在微小的16mm² TQFN封裝中集成了雙路n溝道MOSFET功率開關(guān)。內(nèi)部25mΩ、低邊功率MOSFET能夠提供高達(dá)5A的持續(xù)負(fù)載電流，在保證高效率的同時(shí)減少了元件數(shù)量。MAX17083無需外部肖特基二極管以及外部升壓二極管，進(jìn)一步節(jié)省了空間和成本。這款小型降壓調(diào)節(jié)器理想用于超便攜移動(dòng)PC (UMPC)、上網(wǎng)本、便攜式游戲機(jī)及其它緊湊的低功耗應(yīng)用。 MAX17083采用電流模式
- 關(guān)鍵字： Maxim 降壓調(diào)節(jié)器 MAX17083 MOSFET
英飛凌推出OptiMOS 3 75V功率MOSFET系列
- 今日在深圳舉辦的中國(guó)國(guó)際電源展覽會(huì)上，英飛凌科技宣布推出OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列。全新推出的這個(gè)產(chǎn)品系列具備業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻(RDS(on))和品質(zhì)因素(FOM, Qg * RDS(on))特性，可在任何負(fù)載條件下，降低開關(guān)模式電源(SMPS)、電機(jī)控制和快速開關(guān)D類功放等電源產(chǎn)品的功率損耗并改善其整體能效。 OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列，是交流/直流開關(guān)模式電源(譬如面向全球市場(chǎng)的臺(tái)式機(jī)和計(jì)算機(jī)服務(wù)器裝備的電源)的同步整流的
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET OptiMOS SMPS
IR推出AUIRS2003S 200V IC
- 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出AUIRS2003S 200V IC，適用于低、中、高壓汽車應(yīng)用，包括汽車預(yù)電充開關(guān)、步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器和DC-DC轉(zhuǎn)換器。 AUIRS2003S符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)，是一款堅(jiān)固耐用、靈活的高速功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器，并備有高、低側(cè)參考輸出通道，適用于惡劣的汽車環(huán)境及引擎罩下的應(yīng)用。這款輸出驅(qū)動(dòng)器具有高脈沖電流緩沖級(jí)，可將驅(qū)動(dòng)器跨導(dǎo)降至最低，而浮動(dòng)通道可在最高200V的高側(cè)配置中驅(qū)動(dòng)一個(gè) N 溝道功率MOSFET。
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET 驅(qū)動(dòng)器IC
IR推出增強(qiáng)型25V及30V MOSFET
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對(duì)同步降壓轉(zhuǎn)換器和電池保護(hù)增強(qiáng)了轉(zhuǎn)換性能，適用于消費(fèi)和網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域的計(jì)算應(yīng)用。 新 MOSFET 系列采用了 IR 經(jīng)過驗(yàn)證的硅技術(shù)，可提供基準(zhǔn)通態(tài)電阻 (RDS(on)) ，并且提高了轉(zhuǎn)換性能。新器件的低傳導(dǎo)損耗改善了滿載效率及熱性能，即使在輕負(fù)載條件下，低轉(zhuǎn)換損耗也有助于實(shí)現(xiàn)高效率
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET 硅技術(shù)
MOSFET封裝節(jié)省占板空間并提高充電器性能
- Diodes公司應(yīng)用的高熱效率、超小型DFN封裝的雙器件組合技術(shù),推出便攜式充電設(shè)備的開關(guān)。 Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場(chǎng)總監(jiān)梁后權(quán)先生指出，DMS2220LFDB和 DMS2120LFWB把一個(gè)20V的P溝道增強(qiáng)模式MOSFET與一個(gè)配套二極管組合封裝，提供2mm x 2mm DFN2020及3mm x 2mm DFN3020兩種封裝以供選擇。DMP2160UFDB則把兩個(gè)相同的MOSFET組合封裝成DFN2020形式。 與傳統(tǒng)便攜式應(yīng)用設(shè)計(jì)中常用的體積較大的3mm x 3mm封裝相
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET DFN封裝
飛兆推出可將導(dǎo)通電阻降低50％的100V MOSFET
- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為隔離式DC-DC應(yīng)用設(shè)計(jì)人員提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低達(dá)50% 的RDS(ON) 和出色的品質(zhì)因數(shù) (figure of merits, FOM)，有效提高電源設(shè)計(jì)的效率。FDMS86101是采用5mm x 6mm MLP Power56 封裝的100V MOSFET器件，使用了飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench® 工藝技術(shù)，能夠最大限度地減小導(dǎo)通阻抗，同時(shí)保持優(yōu)良的開關(guān)性能和穩(wěn)健性
- 關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET
IR推出新型邏輯電平溝道MOSFET
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準(zhǔn)通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機(jī)和電動(dòng)工具、工業(yè)電池及電源應(yīng)用。 新系列基準(zhǔn)MOSFET采用了IR最新的溝道技術(shù)，可在4.5V Vgs下實(shí)現(xiàn)非常低的RDS(on) ，顯著改善了熱效率。此外，這些器件具有更高的電流額定值，多余瞬變可以帶來更多防護(hù)頻帶，并可減少由
- 關(guān)鍵字： IR 溝道 MOSFET
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