EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
nand flash
nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)
FSI國(guó)際宣布將ViPR全濕法去除技術(shù)擴(kuò)展到NAND存儲(chǔ)器制造
- 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造晶圓加工、清洗和表面處理設(shè)備供應(yīng)商FSI國(guó)際有限公司(納斯達(dá)克：FSII)日前宣布：一家主要的存儲(chǔ)器制造商將FSI 帶有獨(dú)特ViPR全濕法無(wú)灰化清洗技術(shù)的ZETA清洗系統(tǒng)擴(kuò)展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對(duì)采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對(duì)準(zhǔn)多晶硅化物形成過(guò)程所帶來(lái)的益處非常了解。該IC制造商就這一機(jī)臺(tái)在先進(jìn)的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進(jìn)行了評(píng)估。客戶對(duì)制造過(guò)程中無(wú)灰化光刻膠剝離法、實(shí)現(xiàn)用一步工藝替代灰化-清洗兩步工藝的機(jī)臺(tái)能力給予肯定。除了
- 關(guān)鍵字： FSI 半導(dǎo)體 NAND
DRAMeXchange：2009年NAND flash產(chǎn)能預(yù)計(jì)將減小59%
- 據(jù)EE Times網(wǎng)站報(bào)道，市場(chǎng)研究公司DRAMeXchange的分析顯示，全球NAND flash產(chǎn)能繼2008年減少近28%之后，2009年將再降59%。 2009年NAND flash位增長(zhǎng)幅度將較2008大64%，而2007年位增長(zhǎng)率高達(dá)133%。如果需求在下半年恢復(fù)且供應(yīng)商控制其產(chǎn)出增長(zhǎng)，那供應(yīng)過(guò)剩的局面可能得到改善，NAN
- 關(guān)鍵字： DRAMeXchange flash
三星NAND產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)占有率40%
- 市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange指出，2008年NAND Flash品牌廠商公布去年第四季暨全年?duì)I收排名出爐，SAMSUNG以46億1千4百萬(wàn)美元，市占率為40.4％，蟬聯(lián)第一寶座 觀察2007年與2008年NAND Flash品牌市場(chǎng)變化，2007年品牌廠商全年?duì)I收約為133億6千8百萬(wàn)美元，2008年則為114億1千8百萬(wàn)美元，年?duì)I收下跌14.6％，2008年平均銷(xiāo)售價(jià)格較2007年下跌63％。 Toshiba以全年?duì)I收為32億5百萬(wàn)美元，市占率28.1％排名居次，比2007年的
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
Adobe與蘋(píng)果聯(lián)手開(kāi)發(fā)iPhone版Flash軟件
- 日前，Adobe CEO山塔努·納拉延(Shantanu Narayen)在出席達(dá)沃斯世界經(jīng)濟(jì)論壇時(shí)表示，將與蘋(píng)果合作研發(fā)iPhone手機(jī)的Flash軟件。 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，納拉延認(rèn)為與蘋(píng)果的合作是一項(xiàng)高難度的技術(shù)挑戰(zhàn)，這需要雙方的協(xié)作。納拉延對(duì)目前雙方所取得的工作進(jìn)展表示非常滿意。 去年3月份，蘋(píng)果創(chuàng)始人史蒂夫·喬布斯(Steve Jobs)曾表示，因?yàn)殡娔X版Flash軟件占用資源過(guò)大，iPhone的處理器和內(nèi)存無(wú)法適應(yīng)。而
- 關(guān)鍵字： Adobe iPhone Flash
嵌入式操作系統(tǒng)自更新機(jī)制的設(shè)計(jì)與應(yīng)用
- 引言隨著嵌入式系統(tǒng)的發(fā)展和廣泛應(yīng)用,必不可少的維護(hù)工作變得日益繁重。如移動(dòng)電話在用戶使用過(guò)程中，部...
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 自更新機(jī)制 進(jìn)程 Flash
2008年存儲(chǔ)市場(chǎng)忽上忽下，令人難忘
- 2008年對(duì)于全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō)是一個(gè)重要階段，發(fā)生了幾件改變市場(chǎng)的大事： ? 一種高清DVD格式落敗，而另一種格式則成為產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。 ? 固態(tài)存儲(chǔ)作為硬盤(pán)的替代品，地位繼續(xù)上升 ? 年末經(jīng)濟(jì)滑坡破壞了整體科技產(chǎn)業(yè)的前景 HD-DVD之死 一年以前，緊接著2008年1月的國(guó)際消費(fèi)電子展會(huì)(CES)，華納兄弟作出了令業(yè)內(nèi)震驚的聲明，表示將放棄原來(lái)以HD DVD高清DVD格式發(fā)行其內(nèi)容的計(jì)劃，轉(zhuǎn)而完全采用藍(lán)光標(biāo)準(zhǔn)。 HD DVD陣營(yíng)為此遭到當(dāng)頭一棒，領(lǐng)頭者東芝也不再支持該格
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ) HDD SSD flash
解密16G MLC NAND閃存表象下的技術(shù)細(xì)節(jié)
- 2006年初，美光科技公司與英特爾公司的合作企業(yè)IMFlashTechnologies公司(IMFT)在市場(chǎng)上閃亮登場(chǎng)。通過(guò)整合I...
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存 技術(shù)細(xì)節(jié) 位密度 多晶硅
受益東芝海力士減產(chǎn) NAND閃存價(jià)格回穩(wěn)
- 12月25日消息，據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，NAND Flash12月下旬合約價(jià)出爐，終止先前下跌趨勢(shì)，至少都以平盤(pán)以上開(kāi)出，主流規(guī)格晶片漲幅更在16%以上，隨價(jià)格回穩(wěn)走揚(yáng)，將有助創(chuàng)見(jiàn)、威剛、群聯(lián)等模組業(yè)者降低庫(kù)存跌價(jià)損失壓力。 業(yè)者指出，這次NAND Flash價(jià)格止跌回穩(wěn)，主要是反應(yīng)日本東芝與韓國(guó)海力士減產(chǎn)效益，隨晶片廠對(duì)力保價(jià)格不跌有了堅(jiān)定共識(shí)，也意味NAND Flash回穩(wěn)態(tài)勢(shì)已逐步確立。 根據(jù)集邦科技昨日最新報(bào)價(jià)，NAND Flash12月下旬合約價(jià)都以平盤(pán)以上開(kāi)出，其中以16Gb主流規(guī)格
- 關(guān)鍵字： NAND
東芝削減NAND閃存芯片30%產(chǎn)量
- 東芝宣布，削減30%的閃存芯片產(chǎn)量，以應(yīng)對(duì)需求降低，庫(kù)存增加的考驗(yàn)。 東芝還說(shuō)，位于日本四日市的四家工廠本月將停工17天，以降低內(nèi)存卡與MP3播放器的產(chǎn)量。 東芝在一份聲明中說(shuō)：“全球經(jīng)濟(jì)不景氣以及消費(fèi)低迷正在對(duì)半導(dǎo)體需求產(chǎn)生嚴(yán)重沖擊。尤其是NAND閃存芯片，由于使用這種芯片的MP3播放器供應(yīng)過(guò)剩，其需求大幅下降。東芝慎重考慮了這種情形，決 定降低四日市工廠的產(chǎn)量。” 東芝在四日市有兩家300毫米晶圓工廠以及兩家200毫米晶圓工廠。300毫米晶圓廠將停工
- 關(guān)鍵字： NAND
半導(dǎo)體巨頭推動(dòng)工藝研發(fā) 三個(gè)陣營(yíng)角力
- 國(guó)務(wù)院發(fā)展研究中心國(guó)際技術(shù)經(jīng)濟(jì)所研究員吳康迪 遵循“摩爾定律”的指引，全球半導(dǎo)體巨頭正邁向32納米工藝；不過(guò)，其研發(fā)策略卻各不相同。 全球32納米芯片微細(xì)技術(shù)開(kāi)發(fā)主要有3個(gè)陣營(yíng)，參加單位數(shù)目最多的是IBM陣營(yíng)，其次是英特爾公司，第三是日本公司，此外還有中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的臺(tái)積電、歐洲比利時(shí)微電子中心IMEC等。 英特爾技術(shù)業(yè)界領(lǐng)先 2007年9月，英特爾公司領(lǐng)先業(yè)界在“開(kāi)發(fā)者論壇”首次展出了32納米工藝的測(cè)試
- 關(guān)鍵字： 32納米 英特爾 NAND
東芝與SanDisk明年NAND閃存產(chǎn)量將減少30%
- 北京時(shí)間12月16日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，日本東芝與美國(guó)SanDisk公司周二表示，因全球經(jīng)濟(jì)下滑，打擊數(shù)碼相機(jī)和便攜式音樂(lè)播放器的芯片需求，1月起將減少NAND快閃記憶體(閃存)30%產(chǎn)量。 需求重挫加上產(chǎn)能過(guò)剩，造成半導(dǎo)體價(jià)格直落，令東芝芯片業(yè)務(wù)上半會(huì)計(jì)年度出現(xiàn)虧損。 首爾HI投資證券分析師Song Myung-sup認(rèn)為：“東芝與SanDisk減產(chǎn)是項(xiàng)利好消息，但因?yàn)檎w市場(chǎng)需求疲弱，單單如此還不足以提振NAND的價(jià)格。在出現(xiàn)復(fù)蘇前得先清出庫(kù)存，而這要有需求才能帶動(dòng)。&r
- 關(guān)鍵字： NAND
nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]
nand flash電路
nand flash相關(guān)帖子
nand flash資料下載
nand flash專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473