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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand flash

          兆易SPI NOR Flash GD25LX256E榮獲“中國芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎

          • 近日,?業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice(股票代碼 603986)宣布,其旗下全新一代高速8通道SPI NOR Flash---GD25LX256E榮獲中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院頒發(fā)的2019年第十四屆“中國芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎?!爸袊尽豹勴検悄壳皣鴥?nèi)最具權(quán)威性與影響力的獎項之一,本屆共有125家芯片企業(yè)、累計187款芯片產(chǎn)品參與報名,基本涵蓋國內(nèi)最具實力的集成電路企業(yè)和最具代表性的產(chǎn)品,是國內(nèi)集成電路產(chǎn)品和技術(shù)發(fā)展的風(fēng)向標(biāo)和大檢閱。此次SPI NOR Flash產(chǎn)品
          • 關(guān)鍵字: NOR  Flash  

          東芝存儲器最新發(fā)布XL-Flash技術(shù)

          • 據(jù)外媒報道,東芝存儲器美國子公司宣布推出一種新的存儲器(Storage Class Memory)解決方案:XL-Flash,該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC,XL-Flash將為數(shù)據(jù)中心和企業(yè)存儲帶來了低延遲和高性能的解決方案,樣品預(yù)計將于下月送樣檢測,或?qū)⒂?020年量產(chǎn)。
          • 關(guān)鍵字: 東芝  存儲器  XL-Flash  

          中國首款!長江存儲啟動64層3D NAND閃存量產(chǎn)

          • 網(wǎng)易科技訊 9月2日消息 紫光集團(tuán)旗下長江存儲在IC China 2019前夕宣布,公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
          • 關(guān)鍵字: 3D NAND  

          NAND Flash 2020年新戰(zhàn)場暗潮洶涌 各家布局蓄勢待發(fā)

          • 受到東芝工廠停產(chǎn)及日韓貿(mào)易戰(zhàn)導(dǎo)致存儲器價格將反轉(zhuǎn)契機(jī)出現(xiàn),NAND Flash價格調(diào)漲從7月開始顯現(xiàn),而國際大廠之間的技術(shù)競爭更是暗潮洶涌。
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  東芝存儲器  NAND Flash  3D XPoint  Z-NAND  

          日韓貿(mào)易戰(zhàn)與東芝跳電影響DRAM/NAND短期價格走勢,長期須關(guān)注原廠庫存水位

          • Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出,繼6月中旬東芝斷電事件后,日本政府近日宣布從7月4日起,開始管控向南韓出口3種生產(chǎn)半導(dǎo)體、智能手機(jī)與面板所需的關(guān)鍵材料,造成存儲器產(chǎn)業(yè)下游模組廠出現(xiàn)提高報價狀況,然而,由于目前DRAM和NAND Flash庫存水位仍高,加上并非完全禁止原物料出貨,僅是申請流程延長,短期結(jié)構(gòu)性供需反轉(zhuǎn)的可能性低。日韓貿(mào)易戰(zhàn)的爆發(fā)使得業(yè)界盛傳存儲器價格將反轉(zhuǎn),集邦咨詢分析指出,因DRAM價格已歷經(jīng)連續(xù)三個季度快速下滑,下游
          • 關(guān)鍵字: 日韓貿(mào)易戰(zhàn)  東芝  DRAM/NAND  

          SK海力士宣布:全球首款128層4D NAND下半年開賣

          • SK海力士于26日宣布,將量產(chǎn)全球首款128層的1Tb(Terabit) TLC 4D NAND閃存,并計劃下半年開始銷售。
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  4D NAND  128層  

          停電余威沖擊NAND Flash出貨 價格維持小跌

          • 日本三重縣四日市日前發(fā)生停電意外,市場傳出存儲器大廠東芝存儲器(TMC)當(dāng)?shù)貭I運的5座 NAND Flash工廠的營運中斷,盡管東芝存儲器尚未對外說明影響,但據(jù)傳出,合作投資的威騰(WD)已通知客戶可能無法按照原定時程出貨。
          • 關(guān)鍵字: ?威騰  東芝存儲器  NAND Flash  

          NAND閃存連跌一年半 減產(chǎn)也阻止不了跌價

          • NAND閃存價格已經(jīng)連跌了6個季度,這讓上游NAND廠商三星、東芝、美光等損失慘重,紛紛削減NAND產(chǎn)能。在群聯(lián)臺北電腦展上,群聯(lián)公司董事長潘建成也預(yù)測NAND閃存價格已經(jīng)跌破了成本,未來跌幅會收窄,需求則會升溫。
          • 關(guān)鍵字: NAND  減產(chǎn)  

          長江存儲64層NAND量產(chǎn)在即 與紫光集團(tuán)角力戰(zhàn)漸起

          • 市場傳出,長江存儲有意改變策略,越過大股東紫光集團(tuán)的銷售管道,采取自產(chǎn)自銷3D NAND芯片的模式,也讓雙方暗自較勁的角力戰(zhàn)儼然成形。
          • 關(guān)鍵字: 紫光集團(tuán)  長江存儲  3D NAND  

          數(shù)據(jù)存儲很重要,這塊把錢省不掉?

          • 多日后,當(dāng)李工在領(lǐng)導(dǎo)面前拍著桌子指責(zé)我的時候,我才知道,原來我倆在項目啟動會上的交鋒早已埋下了日后沖突的種子。
          • 關(guān)鍵字: 數(shù)據(jù)存儲  EEPROM  Flash  

          為物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)發(fā)展做出突出貢獻(xiàn),Entegris用了哪些方法?

          • 當(dāng)前,我們正在經(jīng)歷第四次工業(yè)革命的歷史進(jìn)程,在這里催生了很多新技術(shù)和新市場,比如物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、新能源、3D打印、納米技術(shù)等等。這么多新的技術(shù)和產(chǎn)品相互激勵、互相融合,共同推動半導(dǎo)體行業(yè)不斷發(fā)展,從而改變?nèi)祟惖纳罘绞健?/li>
          • 關(guān)鍵字: 物聯(lián)網(wǎng)  Entegris  3D NAND  

          集邦咨詢:受惠需求回溫及產(chǎn)能調(diào)節(jié),第二季NAND Flash合約價跌幅略有收斂

          •   Mar. 20, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查指出,受到服務(wù)器需求疲弱、智能手機(jī)換機(jī)周期延長、蘋果新機(jī)銷售不如預(yù)期等終端需求不佳沖擊,2019年第一季各類NAND Flash產(chǎn)品合約價綜合季跌幅近20%,是自2018年初NAND Flash轉(zhuǎn)為供過于求以來跌幅最劇的一季。  展望第二季,DRAMeXchange分析師葉茂盛表示,歷經(jīng)第一季的需求低谷之后,智能手機(jī)、筆記本電腦及服務(wù)器等主要需求較第一季有所改善。另一方面,NAND Flash供應(yīng)商
          • 關(guān)鍵字: NAND  UFS  SSD  

          東芝和西數(shù)正研發(fā)128層3D NAND閃存:最早2020年上市

          •   根據(jù)外媒的報道,東芝及其戰(zhàn)略盟友西部數(shù)據(jù)準(zhǔn)備推出更高密度128層3D NAND閃存。在東芝的命名法中,該芯片將命名為BiCS-5?!   ?jù)介紹,芯片將實現(xiàn)TLC,而不是更新的QLC。這可能是因為NAND閃存制造商仍然對QLC芯片的低產(chǎn)量有擔(dān)心。該芯片的數(shù)據(jù)密度為512 Gb,新的128層芯片的容量比96層芯片多33%,可以在2020到2021年實現(xiàn)商業(yè)化生產(chǎn)?! ?jù)報道,新芯片每單位信道的寫入性能從66 MB / s增加到132 MB / s。據(jù)報道,該芯片還采用了CuA(陣列電路),這是一
          • 關(guān)鍵字: 東芝  西數(shù)  NAND  

          存儲市場寡頭競爭,中國能否突出重圍

          • 事實上中國巨額的投入也間接促進(jìn)了韓、美兩國大廠資本開支的上升。三星2017年在DRAM和NAND上投入的資本開支就達(dá)到200億美金,因此,我國廠商的數(shù)字分?jǐn)偟矫磕辏€難以和龍頭廠商相比。雖然在量產(chǎn)初期,如此巨大的資本開支也會給中國企業(yè)帶來不小的折舊壓力,下行周期中技術(shù)、管理略遜的中國企業(yè)可能必須經(jīng)歷幾年內(nèi)虧損,但若想實現(xiàn)存儲器的國產(chǎn)替代,這種投入十分必要。
          • 關(guān)鍵字: NAND  存儲器  
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          nand flash介紹

           Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。   NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行,如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]

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