色婷婷AⅤ一区二区三区|亚洲精品第一国产综合亚AV|久久精品官方网视频|日本28视频香蕉

    

      

          


          
	
  	
          
	
          
		首頁　 
		資訊　 
		商機 　
		下載　 
		拆解 　
		高校　 
		招聘 　
		雜志　 
		會展　 
		EETV　 
		百科 　
		問答　 
		電路圖　 
		工程師手冊 　
		Datasheet　
		100例 　
		活動中心　 
		E周刊閱讀 　
		樣片申請
	
          




          
	EEPW首頁 >> 
	主題列表 >> 
	nand flash
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          中國將增加在美半導(dǎo)體采購量？韓媒：不太容易
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)businesskorea報道，中國計劃在未來六年內(nèi)將在美國的半導(dǎo)體采購增加到2000億美元(約合225.9萬億韓元)，大約是目前水平的五倍?！　∪欢S多專家表示，美國急于遏制中國的半導(dǎo)體野心，不太可能接受中國的提議，因為它將增加對中國的半導(dǎo)體依賴。　　韓國企業(yè)對該計劃持謹(jǐn)慎態(tài)度，主要有兩個原因。　　首先，中國沒有提及將購買哪一種半導(dǎo)體。一家韓國半導(dǎo)體公司的高級官員表示:“中國沒有說明將進口何種半導(dǎo)體芯片，無論是內(nèi)存、中央處理器(CPU)還是系統(tǒng)半導(dǎo)體芯片。在這種情況下，很難預(yù)測對韓國企業(yè)的影響。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        NAND  DRAM                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          IC Insights：大陸半導(dǎo)體制造困難大，五年后自制率不過半
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • ICInsights最新報告顯示，大陸的集成電路生產(chǎn)仍遠低于政府的目標(biāo)。報告指出，2018年大陸半導(dǎo)體市場為......
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        半導(dǎo)體  晶圓  NAND                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          2019年全球Flash支出達260億美元　連續(xù)3年高于DRAM與晶圓代工支出
          
                                                            
            
                    	
          • 盡管隨著主要存儲器業(yè)者已完成或即將完成Flash存儲器產(chǎn)量擴增計劃，2019年全球半導(dǎo)體業(yè)者在Flash業(yè)務(wù)上的資本支出將會大幅下滑，但該支出金額仍然會繼續(xù)高于各業(yè)者在DRAM與晶圓代工業(yè)務(wù)上的支出。　　ICInsights最新資料顯示，2016年全球半導(dǎo)體業(yè)者在Flash業(yè)務(wù)上的資本支出金額為144億美元，低于同年晶圓代工業(yè)務(wù)資本支出金額的219億美元?！?/li>
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        DRAM  晶圓  Flash                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          美光行使認(rèn)購期權(quán)，收購在IM Flash Technologies 合資公司中的剩余股份
          
                                                            
            
                    	
          • 　　美光科技股份有限公司(納斯達克股票代碼：MU)今日宣布公司正在行使其認(rèn)購期權(quán)，收購英特爾在雙方合資公司 IM Flash Technologies, 
LLC (簡稱“IM Flash”) 中的權(quán)益。2018 年 10 月 18 日，美光宣布了其行使期權(quán)的意向。　　“收購 IM Flash 將使美光加速研發(fā)進程，并優(yōu)化 3D Xpoint 制造計劃，”美光科技總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 
說。“猶他州的工廠將幫助我們提升生產(chǎn)制造柔性，配備高技術(shù)型人才隊伍，以推動 3D Xpo
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        美光，F(xiàn)lash                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          韓媒：存儲器產(chǎn)業(yè)陷入低迷，中國企業(yè)或放緩前進步伐
          
                                                            
            
                    	
          • 根據(jù)韓國媒體Business Korea報道，由于存儲器產(chǎn)業(yè)從2018年年底迎來低迷，存儲器產(chǎn)品價格下跌，各大存儲器廠商先后宣布降低產(chǎn)量以來，雖然三星仍然穩(wěn)坐半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)頭把交椅，但是其盈利能力已經(jīng)受到質(zhì)疑?！　o獨有偶，SK海力士等廠商的日子也不好過。頭部廠商的日子尚且如此，那還在奮斗中的中國存儲器廠商又將面對怎樣的未來呢?　
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        存儲器，NAND                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          集邦咨詢：供需失衡態(tài)勢難止，NAND Flash供應(yīng)商2019年資本支出年減2%
          
                                                            
            
                    	
          • 　　根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，2018年NAND 
Flash市場經(jīng)歷全年供過于求，且2019年筆記本電腦、智能手機、服務(wù)器等主要需求表現(xiàn)仍難見起色，預(yù)計產(chǎn)能過剩難解。在此情況下，供應(yīng)商將進一步降低資本支出以放緩擴產(chǎn)進程，避免位元成長過多導(dǎo)致過剩狀況加劇?！　RAMeXchange調(diào)查指出，2018年因供過于求難以遏制，韓系供應(yīng)商帶頭降低資本支出。NAND 
Flash總體資本支出下調(diào)近10%，但供需失衡的情形仍無法逆轉(zhuǎn)。2019年美系廠商減少資本支出，使得NAND
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        NAND  東芝                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          存儲器行業(yè)的2018：冰與火之歌｜盤點2018
          
                                                            
            
                    	
          • 存儲器一直被看成是半導(dǎo)體行業(yè)的晴雨表，它的表現(xiàn)也影響著整個市場的枯榮變換。2018年的存儲器行業(yè)在興奮和失望迷茫的情緒交替中前行，伴隨著技術(shù)上的幾許亮色，邁向了2019年。從熱火朝天到凜冬將至　　2017年的存儲器市場可以用火熱來形容，三大存儲器公司(三星、海力士、美光)的財報都非常喜人。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        存儲器  NAND                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          中天弘宇：攻克核心設(shè)計缺陷 重建NOR閃存新生
          
                                                            
            
                    	
          • 閃存是當(dāng)今數(shù)據(jù)存儲的重要介質(zhì)之一，主流的閃存體系有NAND和NOR兩種。不過隨著半導(dǎo)體工藝不斷發(fā)展，相比于NAND技術(shù)的快速演進，NOR技術(shù)似乎在幾年前工藝就遲滯不前，因為存在部分設(shè)計缺陷而讓NOR閃存無法繼續(xù)跟進先進工藝成為了阻礙NOR閃存大規(guī)模應(yīng)用的關(guān)鍵。不過，因為中國企業(yè)中天弘宇集成電路有限公司的潛心研究，NOR閃存的應(yīng)用也許將重獲新生。 “我們經(jīng)過了近十年的研發(fā)積累，完成了對原有NOR閃存架構(gòu)的大膽創(chuàng)新，也可以說是一個完全的顛覆。我們沿用了整個NOR的架構(gòu)，但和英特爾最早發(fā)明的NOR完全不是一回事
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        NOR  NAND  存儲器                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          半導(dǎo)體設(shè)備廠商競爭格局生變？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商的排名在2016-2017年間沒有發(fā)生太大的變化，但是這種格局正在發(fā)生變化。不僅Lam 
Research、ASML和東京電子的位次發(fā)生調(diào)轉(zhuǎn)，排名第一的應(yīng)用材料公司的寶座位置也岌岌可危?！　∽?990年以來，應(yīng)用材料公司一直是半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的市場領(lǐng)導(dǎo)者。在此之前的1989年，坐在鐵王座位置上的還是日本的東京電子，該公司2016年排名第四，今年前三季度的新排名則是第二。除了位次的變化，也許更重要的是，領(lǐng)頭羊和第二名的差距正在迅速收窄?！　?016年，應(yīng)用材料公司的市場份額比Lam 

            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        ASML  NAND                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          突破瓶頸，英特爾重塑數(shù)據(jù)中心存儲架構(gòu)
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 2018年12月11日，以“智數(shù)據(jù)·創(chuàng)未來”為主題的2018中國存儲與數(shù)據(jù)峰會在北京拉開帷幕。作為中國數(shù)據(jù)與存儲行業(yè)頂級的交流平臺，本次峰會匯集了全球近百位來自產(chǎn)業(yè)界、學(xué)術(shù)界的專家，就數(shù)據(jù)洪流時代下，企業(yè)如何實施數(shù)據(jù)戰(zhàn)略、深挖數(shù)據(jù)價值，變數(shù)據(jù)資源為實現(xiàn)更廣泛商業(yè)價值的數(shù)據(jù)資產(chǎn)等話題展開深入探討。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        數(shù)據(jù)  存儲  傲騰  QLC 3D NAND                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          AI芯天下丨DRAM價格將持續(xù)下跌
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　全球DRAM市場上，三星一家獨大，接著是SK 
Hynix及美光，這三家的DRAM份額占到了全球95%左右，而華亞科被美光全資收購之后，Nanya南亞科技也就變成全球第四大內(nèi)存芯片廠商了，雖然2.5%的份額跟前面三家公司20%—45%的份額相比是小巫見大巫?！　?　　DRAM連漲之后持續(xù)下跌　　在DRAM內(nèi)存漲價超過9個季度之后，內(nèi)存芯片價格終于在10月份大跌了一次，DRAMxChange稱10月份DRAM現(xiàn)貨價格跌了10%，預(yù)計2019年還會繼續(xù)跌20%?！　∈艽擞绊?，全球第四大內(nèi)存芯片廠商南亞科
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        DRAM  NAND                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          真正的汽車0級EEPROM支持下一代汽車特性
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 對于可擦除的、非易失性的存儲，業(yè)界已經(jīng)在兩項技術(shù)上進行了標(biāo)準(zhǔn)化：Flash(閃存)和EEPROM。在某些方面，EEPROM被視為過時的方案，但它在一些具有特定需求的應(yīng)用中提供顯著的優(yōu)勢，例如當(dāng)數(shù)據(jù)的保留被視為安全至上時，EEPROM將是首選，因此十分適用于汽車電子等領(lǐng)域。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        EEPROM  Flash  汽車  1級  201812                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          存儲領(lǐng)域競爭加劇，3D NAND蝕刻逐步明朗化
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　3D NAND的出現(xiàn)也是因為2D 
NAND無法滿足人們的需求。NAND閃存不僅有SLC、MLC和TLC幾種類型之分，為了提高其容量、降低成本，NAND的制造工藝也在不斷進步，厚度開始不斷降低，但NAND閃存和處理器還是有很大不同的。雖然先進的工藝帶來了更大的容量，但是其可靠性和性能卻在下降，因為工藝越先進，NAND的氧化層越薄，其可靠性也就越差，廠商就需要采取額外手段彌補這一問題，這必然會提高成本，以至于在達到某個最高點之后完全抵消掉制造工藝帶來的優(yōu)勢。　　　　3D NAND將思路從提高制造工藝轉(zhuǎn)
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        存儲  NAND                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          晉華事件透視：存儲器壟斷暴利之痛如何終結(jié)？
          
                                                            
            
                    	
          • 壟斷加劇供求失衡，導(dǎo)致價格上漲，壟斷導(dǎo)致的暴利，是目前全球存儲器行業(yè)面臨的最大問題。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        存儲器  NAND                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          存儲器原廠Q3業(yè)績搶眼，但漲價優(yōu)勢不再，Q4風(fēng)光難續(xù)
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　前言：2018年Q3出貨旺季，在存儲器Bit出貨量增加帶動下，存儲器原廠業(yè)績搶眼。然而，存儲器漲價優(yōu)勢不再，Q4財報恐難抵下滑之勢。　　存儲器原廠Q3財報搶眼，但NAND價格大跌超60%，引原廠產(chǎn)能“緊急制動”　　2018年以來，F(xiàn)lash原廠持續(xù)擴大64層3D TLC NAND供貨，且以256Gb和512Gb供貨為主，再加上美光和英特爾64層1Tb QLC NAND在市場應(yīng)用，導(dǎo)致市場供過于求。即使在Q3出貨旺季，NAND Flash價格也依然表現(xiàn)跌勢。據(jù)中國閃存市場ChinaFlashMarket
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        存儲器  NAND                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                                

                
          
	                
          
		                	
          
	
          
	共1455條
	14/97		|‹
			«
																																																																																																																																							12																13																14																15																16																17																18																19																20																21																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																											»
			›|
		
	
          
		                
          
	               	
          
                
          
        	
          
            
          
        
          
	
          
	
          
  		
          
    		
          
      			
          
          			
          nand flash介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù)		      	[ 查看詳細 ]
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		            
        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
          熱門主題
          
      			
          
      			
          
       	          						樹莓派   
					linux   
      			
          
    		
          
  		
          
		
          
	
          
	
          

          

          
        		關(guān)于我們 - 
        		廣告服務(wù) - 
        		企業(yè)會員服務(wù) - 
        		網(wǎng)站地圖 - 
        		聯(lián)系我們 - 
        		征稿 - 
        		友情鏈接 - 
        		手機EEPW
        		
          
        		Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
          
        		《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
          
      			備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473