sic fet 文章進(jìn)入sic fet技術(shù)社區(qū)

可用于VCA或幅度調(diào)制的FET乘法運(yùn)算電路

電路的功能本電路是一種使用雙FET的2象限乘法電路最大輸入電壓為10V，2象限乘法運(yùn)算與幅度調(diào)制（AM）等效，可作為低頻調(diào)制電路使用。電路工作原理本電路利用了FET的溝道電阻變化，以TT15、TT16特性相同為前提條件，O
關(guān)鍵字： VCA FET 幅度調(diào)制乘法運(yùn)算電路

使用結(jié)型FET的簡(jiǎn)易電壓控制放大器

電路的功能在VCA（電壓控制放大器）。由反饋環(huán)路組成電路時(shí)，通過控制反正電壓來改變放大器增益。所以傳統(tǒng)的作法是利用二極管的單向特性或采用CDS光耦合器。而在本電路中，是利用柵極源極之間的電壓使溝道電阻發(fā)生變
關(guān)鍵字： FET 結(jié)型電壓控制放大器

Vishay推出4款MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET®技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。　　新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET FET

友達(dá)光電宣布收購(gòu)FET公司的FED資產(chǎn)及技術(shù)

　　友達(dá)光電1月20日宣布，與由索尼(SONY)持股39.8%的Field Emission Technologies Inc. 公司(以下簡(jiǎn)稱FET)及FET Japan Inc.(以下簡(jiǎn)稱FETJ)簽署資產(chǎn)收購(gòu)技術(shù)移轉(zhuǎn)協(xié)議，收購(gòu)FET的場(chǎng)發(fā)射顯示器(field emission displays;FED)技術(shù)，該公司為全球FED技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者。友達(dá)在此交易中，將取得FET顯示技術(shù)及材料的專利、技術(shù)、發(fā)明，以及相關(guān)設(shè)備等資產(chǎn)。　　FED技術(shù)在快速反應(yīng)時(shí)間、高效率、亮度和對(duì)比度方面不但能與傳統(tǒng)CRT相
關(guān)鍵字：友達(dá) FED FET

瞄準(zhǔn)高端市場(chǎng) 友達(dá)將收購(gòu)FET的部分資產(chǎn)

　　臺(tái)灣友達(dá)科技近日宣布，他們已經(jīng)與FET公司以及FET日本公司達(dá)成了協(xié)議，友達(dá)將出資收購(gòu)FET公司的部分資產(chǎn)，并將因此而獲得FET公司的部分專利技術(shù)。FET公司目前在FED場(chǎng)射顯示技術(shù)(Field Emission Display)領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先地位，索尼公司目前擁有FET公司39.8%的股份。友達(dá)并表示，其收購(gòu)的內(nèi)容將包括FED場(chǎng)射面板相關(guān)技術(shù)專利，F(xiàn)ED技術(shù)實(shí)施方案，以及FED面板生產(chǎn)用設(shè)備等。　　FED場(chǎng)射面板兼具CRT顯示器和LCD顯示器的優(yōu)勢(shì)，其工作原理與CRT顯示器完全相同，同樣采用
關(guān)鍵字：友達(dá) FED FET

即將普及的碳化硅器件

　　隨綠色經(jīng)濟(jì)的興起，節(jié)能降耗已成潮流。在現(xiàn)代化生活中，人們已離不開電能。為解決“地球變暖”問題，電能消耗約占人類總耗能的七成，提高電力利用效率被提至重要地位。　　據(jù)統(tǒng)計(jì)，60%至70%的電能是在低能耗系統(tǒng)中使用的，而其中絕大多數(shù)是消耗于電力變換和電力驅(qū)動(dòng)。在提高電力利用效率中起關(guān)鍵作用的是功率器件，也稱電力電子器件。如何降低功率器件的能耗已成為全球性的重要課題。　　在這種情況下，性能遠(yuǎn)優(yōu)于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人們青睞。SiC器件耐高溫(工作溫度和環(huán)境
關(guān)鍵字：豐田 SiC 碳化硅 MOSFET 200910

砷化鎵外延襯底市場(chǎng)規(guī)模將超過4億美元

　　Strategy Analytics 發(fā)布最新年度預(yù)測(cè)報(bào)告“半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場(chǎng)預(yù)測(cè)2008-2013”。報(bào)告總結(jié)，2008年半絕緣砷化鎵(SI GaAs)外延襯底市場(chǎng)年增長(zhǎng)率達(dá)到22%，但 Strategy Analytics 預(yù)計(jì)2009年該市場(chǎng)將持平或轉(zhuǎn)負(fù)增長(zhǎng)。借助下一代蜂窩手機(jī)平臺(tái)上嵌入多砷化鎵(GaAs)器件，以及來自其它市場(chǎng)對(duì)砷化鎵 (GaAs) 器件的需求，半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場(chǎng)在2010年將恢復(fù)增長(zhǎng)。　　一直
關(guān)鍵字： GaAs 外延襯底 FET HBT

T推出具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉(zhuǎn)換器

　　日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉(zhuǎn)換器，該器件將寬泛的輸入、輕負(fù)載效率以及更小的解決方案尺寸進(jìn)行完美結(jié)合，可實(shí)現(xiàn)更高的電源密度。TPS51315 是一款具有 D-CAP 模式控制機(jī)制的 1 MHz DC/DC 轉(zhuǎn)換器，與同類競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品相比，該器件在將外部輸出電容需求數(shù)量降至 32% 的同時(shí)，還可實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)。該轉(zhuǎn)換器充分利用自動(dòng)跳過模式與 Eco-mode 輕負(fù)載控制機(jī)制，幫助設(shè)計(jì)人員滿足能量之星/90Plus 標(biāo)準(zhǔn)的要求，從而可實(shí)現(xiàn)整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)的高
關(guān)鍵字： TI FET 轉(zhuǎn)換器 TPS51315

SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

使用國(guó)產(chǎn)6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號(hào)模型，利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級(jí)GaNMMIC，研制出具有通孔結(jié)構(gòu)的GaN MMIC芯片，連續(xù)波測(cè)試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時(shí)連續(xù)波輸出功率大于10W，帶內(nèi)增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個(gè)采用國(guó)產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
關(guān)鍵字： MMIC SiC GaN 襯底

ADI公司推出快速FET運(yùn)算放大器

　　2009年1月22日，中國(guó)北京——Analog Devices, Inc.（紐約證券交易所代碼: ADI），全球領(lǐng)先的高性能信號(hào)處理解決方案供應(yīng)商，最新推出一款業(yè)界最快的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)運(yùn)算放大器——ADA4817。這款產(chǎn)品工作頻率高達(dá)1GHz，設(shè)計(jì)用于高性能的便攜式醫(yī)療診斷設(shè)備和儀器儀表設(shè)備。與競(jìng)爭(zhēng)器件相比，可提供兩倍的帶寬，同時(shí)噪聲降低一半。它已被領(lǐng)先的醫(yī)療、測(cè)試和測(cè)量設(shè)備公司所采用，用于如CT、MRI、示波器衰減探頭和其它醫(yī)療設(shè)備。與ADA4
關(guān)鍵字： ADI 運(yùn)算放大器 FET ADA4817

德州儀器1.5A 線性電池充電器可最大化AC 適配器與USB 輸入功率

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： FET TI IC－bq2407x

SiC二極管逆變器投入應(yīng)用，讓燃料電池車更輕

　　日產(chǎn)汽車開發(fā)出了采用SiC二極管的汽車逆變器。日產(chǎn)已經(jīng)把該逆變器配備在該公司的燃料電池車“X-TRAIL FCV”上，并開始行駛實(shí)驗(yàn)。通過把二極管材料由原來的Si變更為SiC，今后有望實(shí)現(xiàn)逆變器的小型輕量化、提高可靠性。對(duì)于電動(dòng)汽車而言，逆變器的大小一直是布局的制約因素之一。　　SiC元件作為具有優(yōu)異特性的新一代功率半導(dǎo)體備受矚目。SiC的絕緣破壞電場(chǎng)比Si大1位數(shù)左右，理論上SiC導(dǎo)通電阻可比Si減小2位數(shù)以上。原因是導(dǎo)通電阻與絕緣破壞電場(chǎng)3次方成反比。導(dǎo)通電阻小，因此可
關(guān)鍵字：二極管 SiC 汽車逆變器日產(chǎn)

TI推出具有啟動(dòng)過程中禁止吸入功能的DC/DC 轉(zhuǎn)換器

　　TPS54377 是一款輸入電壓為 3V ～6V 的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器，具有可將電壓步降至 0.9V 的集成的 FET。其轉(zhuǎn)換頻率為同步頻率并可調(diào)至 1.6MHz，以減少外部組件數(shù)量且有助于確定頻譜噪聲頻帶。該器件在整個(gè)溫度范圍內(nèi)均可提供高達(dá) 3A 的輸出電流并可支持 4A 的峰值輸出電流。其具有電源狀態(tài)良好指示、啟動(dòng)、可調(diào)慢啟動(dòng)、電流限制、熱關(guān)斷以及 1% 的參考精度等特性。TPS54377 可用于寬帶、聯(lián)網(wǎng)和通信基礎(chǔ)設(shè)施、分布式電源系統(tǒng)以及 DSP、FPGA 和 ASIC 的 POL 穩(wěn)壓。
關(guān)鍵字： TI 轉(zhuǎn)換器 DC/DC FET

探討基于SiC集成技術(shù)的生物電信號(hào)采集方案

　　人體信息監(jiān)控是一個(gè)新興的領(lǐng)域，人們?cè)O(shè)想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動(dòng)空間，并最終通過因特網(wǎng)實(shí)現(xiàn)家庭監(jiān)護(hù)。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了，但如何將他們的體積縮小到病人可接受的程度還是一個(gè)不小的挑戰(zhàn)。本文介紹采用IMEC的SiC技術(shù)，它的開發(fā)重點(diǎn)是進(jìn)一步縮小集成后的EEG系統(tǒng)體積以及將低功耗處理技術(shù)、無線通信技術(shù)和能量提取技術(shù)整合起來，在已有系統(tǒng)上增加一個(gè)帶太陽能電池和能量存儲(chǔ)電路的額外堆疊層，這樣就能構(gòu)成一套完全獨(dú)立的生物電信號(hào)采集方案。　　
關(guān)鍵字： SiC EEG 生物電信號(hào)采集 IMEC

集成功率FET的鋰離子開關(guān)充電器

　　當(dāng)輸入至輸出的開銷電壓(overhead voltage)和/或充電電流較高時(shí)，線性電池充電器的功耗相當(dāng)大。以一般的便攜式DVD播放器(雙節(jié)鋰離子電池組、12V車載適配器、1.2A額定充電電流)為例，其線性充電器的平均功耗超過5W。　　bq241xx系列開關(guān)充電器是對(duì)過熱問題的簡(jiǎn)便解決方案。內(nèi)置功率FET能夠提供高達(dá)2A的充電電流。同步PWM控制器的工作頻率為1.1MHz，輸入電壓最高可達(dá)18V，非常適用于由單節(jié)、雙或三節(jié)電池組供電的系統(tǒng)。該系列開關(guān)充電器具有的高電壓、高電流、高效率等優(yōu)異特性，并且
關(guān)鍵字： FET 鋰離子開關(guān)充電器電源