sic mosfet 文章 進入sic mosfet技術社區(qū)
使用集成MOSFET限制電流的簡單方法
- 電子電路中的電流通常必須受到限制。例如在USB端口中，必須防止電流過大，以便為電路提供可靠的保護。同樣在充電寶中，必須防止電池放電。放電電流過高會導致電池的壓降太大和下游設備的供電電壓不足。因此，通常需要將電流限制在一個特定值。大多數(shù)功率轉(zhuǎn)換器都有過流限制器，以保護其免受額外電流造成的損壞。在一些DC-DC轉(zhuǎn)換器中，甚至可以調(diào)整閾值。圖1. 每個端口輸出電流為1 A的充電寶中的電流限制。在圖1中，還可以使用具有內(nèi)置甚至可調(diào)節(jié)限流器的DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器。在這種情況下，無需額外的限流器模塊。不過，也有許多應
- 關鍵字： ADI MOSFET
GaN 時代來了？
- 隨著特斯拉宣布其下一代 EV 動力總成系統(tǒng)的 SiC 組件使用量減少 75%，預計第三代化合物半導體市場狀況將發(fā)生變化，GaN 被認為會產(chǎn)生后續(xù)替代效應。據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露，這有望使臺積電、世界先進半導體 (VIS) 和聯(lián)華電子受益，它們已經(jīng)進行了早期部署，并繼續(xù)擴大其 8 英寸加工 GaN 器件的產(chǎn)能。GaN 和 SiC 的比較GaN 和 SiC 滿足市場上不同的功率需求。SiC 器件可提供高達 1200V 的電壓等級，并具備高載流能力，因此非常適合汽車和機車牽引逆變器、高功率太陽能發(fā)電場和大型三相電網(wǎng)
- 關鍵字： GaN SiC
5大重要技巧讓您利用 SiC 實現(xiàn)高能效電力電子產(chǎn)品！
- 當您設計新電力電子產(chǎn)品時，您的目標任務一年比一年更艱巨。高效率是首要要求，但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一個必須實現(xiàn)的特性。SiC MOSFET 是一種能夠滿足這些目標的解決方案。以下重要技巧旨在幫助您創(chuàng)建基于 SiC 半導體的開關電源，其應用領域包括光伏系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)、電動汽車 (EV) 充電站等。為何選擇 SiC？為了證明您選擇 SiC 作為開關模式設計的首選功率半導體是正確的，請考慮以下突出的特性。與標準或超級結 MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的電壓、更高的
- 關鍵字： 安森美 SiC
英飛凌與Resonac擴大合作范圍,簽署多年期碳化硅（SiC）材料供應協(xié)議
- 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）持續(xù)擴大與碳化硅（SiC）供應商的合作。英飛凌是一家總部位于德國的半導體制造商，此次與Resonac Corporation（原昭和電工）簽署了全新的多年期供應和合作協(xié)議。早在2021年，雙方就曾簽署合作協(xié)議，此次的合作是在該基礎上的進一步豐富和擴展，將深化雙方在SiC材料領域的長期合作伙伴關系。協(xié)議顯示，英飛凌未來十年用于生產(chǎn)SiC半導體的SiC材料中，約占兩位數(shù)份額將由Resonac供給。前期，Resonac將主要供應6英寸SiC
- 關鍵字： 英飛凌 Resonac 碳化硅 SiC
是什么使SiC成為組串式逆變器的完美解決方案
- 與硅技術相比，SiC MOSFET在光伏和儲能應用中具有明顯的優(yōu)勢，它解決了能效與成本的迫切需求，特別是在需要雙向功率轉(zhuǎn)換的時候。易于安裝是大功率光伏組串式逆變器的關鍵特征之一。如果只需要兩個工人來搬運和安裝該系統(tǒng)，將會非常利于運維。因此，尺寸和重量非常重要。最新一代的碳化硅半導體使電力轉(zhuǎn)換效率大幅提高。這不僅節(jié)省了能源，而且使設備更小、更輕，相關的資本、安裝和維護成本更低。關鍵的應用要求及其挑戰(zhàn)。在光伏和儲能系統(tǒng)中，1500V的高系統(tǒng)電壓要求宇宙輻射引起的故障率非常低，同時要求功率器件具有更高的系統(tǒng)效率
- 關鍵字： 英飛凌 SiC 逆變器
功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)選型避坑指南
- _____“?動態(tài)特性是功率器件的重要特性，在器件研發(fā)、系統(tǒng)應用和學術研究等各個環(huán)節(jié)都扮演著非常重要的角色。故對功率器件動態(tài)參數(shù)進行測試是相關工作的必備一環(huán)，主要采用雙脈沖測試進行?！卑凑毡粶y器件的封裝類型，功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)分為針對分立器件和功率模塊兩大類。長期以來，針對功率模塊的測試系統(tǒng)占據(jù)絕大部分市場份額，針對分立器件的測試系統(tǒng)需求較少，選擇也很局限。隨著我國功率器件國產(chǎn)化進程加快，功率器件廠商和系統(tǒng)應用企業(yè)也越來越重視功率器件動態(tài)參數(shù)測試，特別是針對分立器件的測試系統(tǒng)提出了越來越多
- 關鍵字： MOSFET
功率MOSFET零電壓軟開關ZVS的基礎認識
- 高頻高效是開關電源及電力電子系統(tǒng)發(fā)展的趨勢，高頻工作導致功率元件開關損耗增加，因此要使用軟開關技術，保證在高頻工作狀態(tài)下，減小功率元件開關損耗，提高系統(tǒng)效率。高頻高效是開關電源及電力電子系統(tǒng)發(fā)展的趨勢，高頻工作導致功率元件開關損耗增加，因此要使用軟開關技術，保證在高頻工作狀態(tài)下，減小功率元件開關損耗，提高系統(tǒng)效率。功率MOSFET開關損耗有2個產(chǎn)生因素：1）開關過程中，穿越線性區(qū)（放大區(qū)）時，電流和電壓產(chǎn)生交疊，形成開關損耗。其中，米勒電容導致的米勒平臺時間，在開關損耗中占主導作用。圖1 功率MOSFET
- 關鍵字： MOSFET ZVS
高壓SiC MOSFET研究現(xiàn)狀與展望
- 碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）作為寬禁帶半導體單極型功率 器件，具有頻率高、耐壓高、效率高等優(yōu)勢，在高壓應用領域需求廣泛，具有巨大的研究價值?；仡櫫烁邏?SiC MOSFET 器件的發(fā)展歷程和前沿技術進展，總結了進一步提高器件品質(zhì)因數(shù)的元胞優(yōu)化結構，介紹了針對高壓器件的幾種終端結構及其發(fā)展現(xiàn)狀，對高壓 SiC MOSFET 器件存在的瓶頸和挑戰(zhàn)進行了討論。1 引言電力電子變換已經(jīng)逐步進入高壓、特高壓領域，高壓功率器件是制約變換器體積、功耗和效率的決定性因素。特高壓交直流輸電、
- 關鍵字： SiC MOSFET
sic mosfet介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條sic mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對sic mosfet的理解，并與今后在此搜索sic mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對sic mosfet的理解，并與今后在此搜索sic mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
sic mosfet相關帖子
sic mosfet資料下載
sic mosfet專欄文章
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473