EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
sic mosfet
sic mosfet 文章 進(jìn)入sic mosfet技術(shù)社區(qū)
車(chē)用六路低端前置驅(qū)動(dòng)器
- 安森美半導(dǎo)體的NCV7513屬于FlexMOSTM產(chǎn)品系列中的一個(gè)系列,用于控制并保護(hù)N型邏輯電平MOSFET,包括安森美半導(dǎo)...
- 關(guān)鍵字: 前置驅(qū)動(dòng)器 NCV7513 MOSFET
汽車(chē)電子系統(tǒng)使用自保護(hù)MOSFET需考慮的因素
- 采用自保護(hù)MOSFET可以設(shè)計(jì)出高性?xún)r(jià)比的容錯(cuò)系統(tǒng),但損害或毀壞自保護(hù)MOSFET器件的工作情況確實(shí)存在。只有在系...
- 關(guān)鍵字: 汽車(chē)電子系統(tǒng) 自保護(hù) MOSFET 溫敏器件
電源技術(shù)在高密度與新材料輔助下追逐高效
- 電源技術(shù)的市場(chǎng)需求一直離不開(kāi)高能效和清潔能源,在這兩個(gè)大的市場(chǎng)需求推動(dòng)下,電源技術(shù)對(duì)高能效的追求已經(jīng)不是簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)能夠滿足的,新的高能效密度的新材料成為市場(chǎng)的主要推動(dòng)力。
- 關(guān)鍵字: 電源管理 MOSFET 智能電網(wǎng) 201401
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)激烈
- 與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比,SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加,同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開(kāi)了激烈的開(kāi)發(fā)競(jìng)爭(zhēng)。 SiC功率半導(dǎo)體方面,在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開(kāi)發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型,尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一,因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后,采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
- 關(guān)鍵字: SiC GaN
介紹一種實(shí)用、優(yōu)秀的MOSFET驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)
- 現(xiàn)各大公司的MOSFET驅(qū)動(dòng)器層出不窮,主要是針對(duì)小功率使用,使用有很多限制。在工業(yè)應(yīng)用上,大批還是用傳統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)...
- 關(guān)鍵字: MOSFET 驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)
MOSFET封裝進(jìn)步幫助提供超前于芯片組路線圖的移動(dòng)功能
- 移動(dòng)電話滲透率在已開(kāi)發(fā)市場(chǎng)達(dá)到了很高比例,而在世界上其他地區(qū)也不斷提高。根據(jù)GSMA的信息,先進(jìn)的歐洲國(guó)家的移動(dòng)用戶(hù)滲透率已經(jīng)超過(guò)90%。開(kāi)發(fā)中市場(chǎng)的平均滲透比例將由2012年的39%增加至2017年的47%,而且是未來(lái)5年內(nèi)刺激全球移動(dòng)市場(chǎng)增長(zhǎng)的最大因素。
- 關(guān)鍵字: 安森美 MOSFET 電阻 移動(dòng)設(shè)備 LED
汽車(chē)啟動(dòng)/停止系統(tǒng)電源方案
- 為了限制油耗,一些汽車(chē)制造商在其新一代車(chē)型中應(yīng)用了“啟動(dòng)/停止”(Start/Stop)功能。當(dāng)汽車(chē)停下來(lái)時(shí),這些創(chuàng)新的新系統(tǒng)關(guān)閉發(fā)動(dòng)機(jī);而當(dāng)駕駛?cè)说哪_從剎車(chē)踏板移向油門(mén)踏板時(shí),就自動(dòng)重新啟動(dòng)發(fā)動(dòng)機(jī)。這就幫助降低市區(qū)駕車(chē)及停停走走式的交通繁忙期時(shí)的油耗。
- 關(guān)鍵字: MOSFET 二極管 PCB 穩(wěn)壓器 P-FET
Microchip推出三相無(wú)刷直流配套器件實(shí)現(xiàn)完整電機(jī)系統(tǒng)解決方案
- 全球領(lǐng)先的整合單片機(jī)、混合信號(hào)、模擬器件和閃存專(zhuān)利解決方案的供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)宣布推出一款新型帶電源模塊的三相BLDC電機(jī)柵極驅(qū)動(dòng)器MCP8024。該器件能夠?yàn)閐sPIC?數(shù)字信號(hào)控制器(DSC)和PIC?單片機(jī)(MCU)供電,同時(shí)驅(qū)動(dòng)六個(gè)N溝道MOSFET。
- 關(guān)鍵字: Microchip 電機(jī)系統(tǒng) MCP8024 MOSFET
EiceDRIVERTM 系列新品:1EDI Compact驅(qū)動(dòng)器
- 2013年12月4日,英飛凌科技股份公司(法蘭克福股票交易所股票代碼:IFX / 美國(guó)柜臺(tái)交易市場(chǎng)股票代碼:IFNNY)宣布,在今年的電氣自動(dòng)化系統(tǒng)及元器件(SPS IPC Drives)貿(mào)易展上,英飛凌科技股份有限公司推出針對(duì)絕緣電壓高達(dá)1200伏的應(yīng)用的1EDI EiceDRIVERTM Compact單通道柵極驅(qū)動(dòng)器。
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 驅(qū)動(dòng)器 IGBT MOSFET
sic mosfet介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條sic mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)sic mosfet的理解,并與今后在此搜索sic mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)sic mosfet的理解,并與今后在此搜索sic mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473