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          利用低端柵極驅(qū)動器IC進行系統(tǒng)開發(fā)

          • 利用低端柵極驅(qū)動器IC可以簡化開關電源轉(zhuǎn)換器的設計,但這些IC必須正確運用才能充分發(fā)揮其潛力,以最大限度地減小電源尺寸和提高效率。如何根據(jù)額定電流和功能來選擇適當?shù)尿?qū)動器,驅(qū)動器周圍需要哪些補償元件,以及如何確定熱性能等是設計時要注意的方面。
          • 關鍵字: Fairchild  轉(zhuǎn)換器  MOSFET  開關電源  柵極驅(qū)動器  200912  

          D類MOSFT在發(fā)射機射頻功放中的應用

          能效需求催生功率器件應用熱潮

          •   市場需求逐步恢復   ● 能效需求催生功率器件應用熱潮   ● 擴內(nèi)需政策為企業(yè)提供增長空間   陳坤和   從2008年底到2009年初,所有電子產(chǎn)品的需求均有減少,功率半導體也不例外。我們認識到,困難時期可能成為重新把公司塑造成一個更精簡、更專注、更贏利企業(yè)的催化劑。由于各國政府的經(jīng)濟刺激措施紛紛把提升能效列為重點內(nèi)容,許多企業(yè)開始關注功率產(chǎn)品。在中國,由于政府刺激消費電子市場,中國市場需求增長,推動功率管理和其他半導體產(chǎn)品的需求開始復蘇。從長期來看,功率半導體將與許多其他領域的半導體產(chǎn)品
          • 關鍵字: 功率器件  MOSFET  

          針對應用選擇正確的MOSFET驅(qū)動器

          • 現(xiàn)有的MOSFET技術和硅工藝種類繁多,這使得選擇合適的MOSFET驅(qū)動器成了一個富有挑戰(zhàn)性的過程。
          • 關鍵字: MOSFET  選擇正確  驅(qū)動器    

          Diodes推出為VoIP應用優(yōu)化的全新MOSFET

          •   Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET,為網(wǎng)絡電話 (VoIP) 通信設備的設計人員帶來一種更堅固的解決方案,極大地降低了電路的復雜性和成本。   ZXMN15A27K及ZXMN20B28K經(jīng)過特別設計,能滿足各種VoIP應用中基于用戶線接口電路(SLIC)DC/DC轉(zhuǎn)換器對變壓器中初級開關位置的嚴格要求。這些應用涵蓋寬帶語音系統(tǒng)、PBX系統(tǒng)、有線和DSL網(wǎng)關。   兩款新器件的擊穿電壓(BVDSS)分別為150V及200V,能夠承受SLIC環(huán)境下的高脈沖雪崩能量和通信模式,不需要額外的保護電
          • 關鍵字: Diodes  MOSFET  

          MOSFET柵漏電流噪聲模型研究

          • CMOS器件的等比例縮小發(fā)展趨勢,導致了柵等效氧化層厚度、柵長度和柵面積都急劇減小。對于常規(guī)體MOSFET,當氧化層厚度2 nm時,大量載流子以不同機制通過柵介質(zhì)形成顯著的柵極漏電流。柵極漏電流不僅能產(chǎn)生
          • 關鍵字: 研究  模型  噪聲  電流  MOSFET  

          功率半導體充當節(jié)能先鋒 中國企業(yè)加快步伐

          •   過去,人們常把集成電路比作電子系統(tǒng)的大腦,而把功率半導體器件比作四肢,因為集成電路的作用是接受和處理信息,而功率器件則根據(jù)這些信息指令產(chǎn)生控制功率,去驅(qū)動相關電機進行所需的工作。如今,新型功率半導體器件如MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)及功率集成電路應用逐漸普及,其為信息系統(tǒng)提供電源的功能也越來越引人注目。功率半導體器件在電子系統(tǒng)中的地位已不僅限于“四肢”,而是為整個系統(tǒng)“供血”的“心臟&rdq
          • 關鍵字: 功率半導體  MOSFET  IGBT  

          Vishay Siliconix推出新款20V P溝道功率MOSFET

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強PowerPAK SC-70®封裝,具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFET® P溝道技術的最新器件,使用了自矯正的工藝技術,在每平方英寸的硅片上裝進了1億個晶體管。這種最先進的技術實現(xiàn)了超精細、亞微米的間距工藝,將目前業(yè)界最好的P溝道MOSFET
          • 關鍵字: Vishay  MOSFET  SiA433EDJ  

          理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性

          • 通常,許多資料和教材都認為,MOSFET的導通電阻具有正的溫度系數(shù),因此可以并聯(lián)工作。當其中一個并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時,具有正的溫度系數(shù)導通電阻也增加,因此流過的電流減小,溫度降低,從而實現(xiàn)自動的均流達到平衡。同樣對于一個功率MOSFET器件,在其內(nèi)部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成,晶胞的導通電阻具有正的溫度系數(shù),因此并聯(lián)工作沒有問題。但是,當深入理解功率MOSFET的傳輸特性和溫度對其傳輸特性的影響,以及各個晶胞單元等效電路模型,就會發(fā)現(xiàn),上述的理論只有在MOSFET進入穩(wěn)態(tài)導通的狀態(tài)下才能成立,而在
          • 關鍵字: MOSFET  RDS  ON  溫度系數(shù)    

          Vishay推出業(yè)界最小的芯片級MOSFET

          •   日前,Vishay宣布推出兩款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB,最大尺寸為1mm x 1 mm x 0.548mm,是迄今為止業(yè)界最小的芯片級功率MOSFET。   在種類繁多的便攜式設備中,20V的P溝道Si8461DB和Si8465DB可用于負載開關、電池開關和充電開關應用。器件的小尺寸和薄厚度有助于減少電源管理電路所占用的空間,以及/或是實現(xiàn)更多的功能。與市場上尺寸與之最接近的芯片級功率MOSFET相比,1mm x 1mm x 0.548mm的M
          • 關鍵字: Vishay  MOSFET  Si8461DB  Si8465DB  

          安森美推出24款新的30伏、N溝道溝槽MOSFET

          •   全球領先的高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N溝道溝槽(Trench)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。這些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ8FL及SOIC-8封裝, 為計算機和游戲機應用中的同步降壓轉(zhuǎn)換器提供更高的開關性能。   新系列的MOSFET利用安森美半導體獲市場驗證的溝槽技術,提供優(yōu)異的導通阻抗[RDS(on)]及更高的開關性能,用于個人計算機(PC)、服務器、游戲機、處理器穩(wěn)壓電源
          • 關鍵字: 安森美  MOSFET  溝槽  同步降壓轉(zhuǎn)換器  

          理解功率MOSFET的開關損耗

          • 本文詳細分析計算開關損耗,并論述實際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程,從而使電子工程師知道哪個參數(shù)起主導作用并更加深入理解MOSFET。

          • 關鍵字: MOSFET  開關損耗    

          MOSFET管并聯(lián)應用時電流分配不均問題探究

          • 1 引言
            MOSFET管的導通電阻具有正的溫度特性,可自動調(diào)節(jié)電流,因而易于并聯(lián)應用。但由于器件自身參數(shù)(柵極電路參數(shù)及漏源極電路參數(shù)不一致)原因,并聯(lián)應用功率MOSFET管會產(chǎn)生電流分配不均的問題,關于此問題,
          • 關鍵字: 不均  問題  探究  分配  電流  管并聯(lián)  應用  MOSFET  

          采用射頻功率MOSFET設計功率放大器

          • 1. 引言
             本文設計的50MHz/250W 功率放大器采用美國APT公司生產(chǎn)的推挽式射頻功率MOSFET管ARF448A/B進行設計。APT公司在其生產(chǎn)的射頻功率MOSFET的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和封裝形式上都進行了優(yōu)化設計,使之更適用于射頻功率放大器
          • 關鍵字: MOSFET  射頻功率  功率放大器    

          即將普及的碳化硅器件

          •   隨綠色經(jīng)濟的興起,節(jié)能降耗已成潮流。在現(xiàn)代化生活中,人們已離不開電能。為解決“地球變暖”問題,電能消耗約占人類總耗能的七成,提高電力利用效率被提至重要地位。   據(jù)統(tǒng)計,60%至70%的電能是在低能耗系統(tǒng)中使用的,而其中絕大多數(shù)是消耗于電力變換和電力驅(qū)動。在提高電力利用效率中起關鍵作用的是功率器件,也稱電力電子器件。如何降低功率器件的能耗已成為全球性的重要課題。   在這種情況下,性能遠優(yōu)于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人們青睞。SiC器件耐高溫(工作溫度和環(huán)境
          • 關鍵字: 豐田  SiC  碳化硅  MOSFET  200910  
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          sic mosfet介紹

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