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          良率超 50%，全球第三大硅晶圓廠環(huán)球晶明年試產 8 英寸 SiC
          
                                                            
            
                    	
          • IT之家 10 月 27 日消息，全球第三大硅晶圓生產商環(huán)球晶圓控股（GlobalWafers）董事長徐秀蘭表示，公司克服了量產碳化硅（SiC）晶圓的重重技術難關，已經將 SiC 晶圓推進至 8 英寸，和國際大廠保持同步。徐秀蘭預估將會在 2024 年第 4 季度開始小批量出貨 8 英寸 SiC 產品，2025 年大幅增長，到 2026 年占比超過 6 英寸晶圓。環(huán)球晶圓表示目前較好地控制了 8 英寸晶圓良率，已經超過 50%，而且有進一步改善的空間，明年上半年開始交付相關樣品。IT之家從報道中
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          • 關鍵字：
                        晶圓廠  SiC                          
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          2024年全球超過一半的SiC晶圓可能來自中國
          
                                                            
            
                    	
          • 2023年，中國化合物半導體產業(yè)實現歷史性突破。 在碳化硅（SiC）晶體生長領域，尤其得到國際IDM廠商的認可，中國廠商產能大幅提升。 此前，來自中國的SiC材料僅占全球市場的5%。 然而，到2024年，預計將搶占可觀的市場份額。該領域的主要中國公司，包括SICC、TankeBlue和三安，幾乎都將產能擴大了千倍。我國大約有四到五家從事SiC晶體生長的龍頭企業(yè)，為測算我國SiC晶體生長產能提供了依據。 目前，他們的月產能合計約為60,000單位。 隨著各公司積極增產，預計到2024年月產能將達到12萬單位
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          • 關鍵字：
                        SiC  碳化硅                          
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          SiC主驅逆變器讓電動汽車延長5%里程的秘訣
          
                                                            
            
                    	
          • 不斷增長的消費需求、持續(xù)提高的環(huán)保意識/環(huán)境法規(guī)約束，以及越來越豐富的可選方案，都在推動著人們選用電動汽車 (EV)，令電動汽車日益普及。高盛近期的一項研究顯示，到 2023 年，電動汽車銷量將占全球汽車銷量的 10%；到 2030 年，預計將增長至 30%；到 2035 年，電動汽車銷量將有可能占全球汽車銷量的一半。然而，“里程焦慮”，也就是擔心充一次電后行駛里程不夠長，則是影響電動汽車普及的主要障礙之一?？朔@一問題的關鍵是在不顯著增加成本的情況下延長車輛行駛里程。本文闡述了如何在主驅逆變器中使用碳化
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          • 關鍵字：
                        電動汽車  逆變器  SiC  MOSFET                          
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          25 年資深專家?guī)ш?，三星已布局推進碳化硅功率半導體業(yè)務
          
                                                            
            
                    	
          • IT之家 10 月 19 日消息，根據韓媒 ETNews 報道，三星電子內部組建了新的碳化硅（SiC）功率半導體團隊，已經任命安森美半導體前董事洪錫俊（Stephen Hong）擔任副總裁，負責監(jiān)管相關業(yè)務。洪錫俊是功率半導體領域的專家，在英飛凌、仙童和安森美等全球大型公司擁有約 25 年的經驗，加入三星后，他負責領導這項工作。洪錫俊負責組建和帶領這支 SiC 商業(yè)化團隊，同時積極與韓國功率半導體產業(yè)生態(tài)系統(tǒng)和學術機構合作進行市場和商業(yè)可行性研究。值得注意的是，三星在正式進軍 GaN（氮化鎵）業(yè)
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          • 關鍵字：
                        三星  SiC                          
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          SiC MOSFET 器件特性知多少？
          
                                                            
            
                    	
          • 對于高壓開關電源應用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢。開關超過 1,000 V的高壓電源軌以數百 kHz 運行并非易事，即使是最好的超結硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾電流”且關斷緩慢，因此僅限用于較低的工作頻率。因此，硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作，而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優(yōu)勢。它是電壓控制的場效應器件，能夠像 IGBT 一樣進行高壓
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          • 關鍵字：
                        SiC  MOSFET  IGBT  WBG                          
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          SiC和GaN的應用優(yōu)勢與技術挑戰(zhàn)
          
                                                            
            
                    	
          • 1? ?SiC和GaN應用及優(yōu)勢我們對汽車、工業(yè)、數據中心和可再生能源等廣泛市場中的碳化硅(SiC) 和氮化鎵（GaN）應用感興趣。一些具體的例子包括：●? ?電動汽車（EV）：SiC和GaN 可用于電動汽車，以提高效率、續(xù)航里程和整車性能。例如，SiC MOSFET 分立器件可用于牽引逆變器和車載充電，以減少功率損耗并提高效率。●? ?數據中心：SiC 和GaN 可用于數據中心電源，以提高效率并降低運營成本?！? ?可再生能
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          • 關鍵字：
                        202310  SiC  GaN  安世半導體                          
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          SiC和GaN的技術應用挑戰(zhàn)
          
                                                            
            
                    	
          • 1 SiC和GaN的優(yōu)勢相比傳統(tǒng)MOSFET和IGBT方案，SiC和GaN器件提供更高的功率密度，具備更低的柵極驅動損耗和更高的開關速度。雖然SiC和GaN在某些低于10 kW功率的應用上有一些重疊，但各自解決的功率需求是不同的。SiC 器件提供更高的耐壓水平和電流承載能力。這使得它們很適合于汽車牽引逆變器、車載充電器和直流/ 直流轉換器、大功率太陽能發(fā)電站和大型三相電網變流器等應用。SiC 進入市場的時間略長，因此它有更多的選擇，例如，相比目前可用的GaN 解決方案，SiC 支持更廣泛的電壓和導通電阻。
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          • 關鍵字：
                        202310  納芯微  SiC  GaN                          
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          東芝在SiC和GaN的技術產品創(chuàng)新
          
                                                            
            
                    	
          • 1 SiC、GaN相比傳統(tǒng)方案的優(yōu)勢雖然硅功率器件目前占據主導地位，但SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）功率器件正日益普及。SiC 功率器件具有出色的熱特性，適用于需要高效率和高輸出的應用，而GaN 功率器件具有出色的射頻頻率特性，能滿足要求高效率和小尺寸的千瓦級應用。最為重要的一點，SiC 的擊穿場是硅的10 倍。由于這種性質，SiC 器件的塊層厚度可以是硅器件的1/10。因此，使用SiC 可以制造出具有超低電阻和高擊穿電壓的開關器件。此外，SiC 的導熱系數大約是硅的3 倍，因此它能提供更高的散熱能力
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          • 關鍵字：
                        202310  東芝  SiC  GaN                          
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          ST在SiC和GaN的發(fā)展簡況
          
                                                            
            
                    	
          • ST（ 意法半導體） 關注電動汽車、充電基礎設施、可再生能源和工業(yè)應用，將最新一代STPOWER SiC MOSFET和二極管部署在這些應用領域。例如，ST 的第三代SiCMOSFET 取得業(yè)界最低的通態(tài)電阻，可以實現能效和功率密度更高的產品設計。ST 還提供GaN 功率器件，例如650 V GaN 增強型HEMT 開關管用于開發(fā)超快速充電和高頻功率轉換應用，功率損耗很小。與硅基芯片相比，SiC 和GaN 等寬帶隙材料特性可讓系統(tǒng)變得尺寸更小，重量更輕，開關和導通損耗更低，從而提高能效。Gianfranc
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          • 關鍵字：
                        202310  意法半導體  SiC  GaN                          
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          攻克SiC的發(fā)展瓶頸,推進在汽車和工業(yè)中的應用
          
                                                            
            
                    	
          • 1 SiC的應用優(yōu)勢Bryan Lu：碳化硅（SiC）是新一代寬禁帶（WBG）半導體材料，具有出色的RDS(ON)*Qg品質因數（FoM）和低反向恢復電荷（Qrr），特別適用于具有挑戰(zhàn)性的應用，尤其是高壓大電流等應用場景，主驅逆變器采用SiC，可提升系統(tǒng)的效率，進而使得在相同的電池容量下里程數得以提升。OBC（車載充電機）采用SiC，可實現更高的能效和功率密度。隨著汽車市場向800 V 高壓系統(tǒng)發(fā)展，SiC 在高壓下的低阻抗、高速等優(yōu)勢將更能體現。Mrinal K.Das博士(安森美電源方案事業(yè)群先進電源
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          • 關鍵字：
                        202310  SiC  安森美                          
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          從國際龍頭企業(yè)布局看SiC產業(yè)發(fā)展趨勢
          
                                                            
            
                    	
          • 碳化硅（SiC）具有高擊穿場強、高熱導率、高飽和電子漂移速率等特點，可很好地滿足新能源汽車與充電樁、光伏新能源、智能電網、軌道交通等應用需求，對我國“新基建”產業(yè)發(fā)展具有重要意義，是未來五年“中國芯”最好的突破口之一，當下我國應該集中優(yōu)勢資源重點發(fā)展。
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          • 關鍵字：
                        ?202310  碳化硅  SiC  襯底  8英寸  擴產                          
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          圖騰柱無橋PFC與SiC相結合，共同提高電源密度和效率
          
                                                            
            
                    	
          • 效率和尺寸是電源設計的兩個主要考慮因素，而功率因數校正 (PFC)也在變得越來越重要。為了減少無功功率引起的電力線諧波含量和損耗，盡可能降低電源運行時對交流電源基礎設施的影響，需要使用 PFC。但要設計出小尺寸、高效率電源（包括 PFC）仍極具挑戰(zhàn)性。本文介紹了如何通過修改傳統(tǒng) PFC 拓撲結構來更好地實現這一目標。使用整流器和升壓二極管的 PFC電源的輸入級通常使用橋式整流器后接單相 PFC 級，由四個整流器二極管和一個升壓二極管組成。圖 1：橋式整流器后接單相 PFC 級圖騰柱無橋拓撲結構還有一種提高
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          • 關鍵字：
                        安森美  PFC  SiC  電源密度                          
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          采用SiC提高住宅太陽能系統(tǒng)性能
          
                                                            
            
                    	
          • 預計在未來五年，住宅太陽能系統(tǒng)的數量將大幅增長。太陽能系統(tǒng)能為家庭提供清潔和綠色的能源，用于為家用電器供電，為電動汽車充電，甚至將多余的電力輸送至電網。有了太陽能系統(tǒng)，即使發(fā)生電網故障，也不用擔心。本篇博客介紹了住宅太陽能系統(tǒng)的主要組成部分，并建議采用安森美 (onsemi) 的電源方案方案來提高太陽能系統(tǒng)的效率、可靠性和成本優(yōu)勢。住宅太陽能逆變器系統(tǒng)概述住宅太陽能逆變器系統(tǒng)中包括了產生可變直流電壓的光伏面板陣列。升壓轉換器使用“最大功率點跟蹤”(MPPT) 方法（根據陽光的強度和方向優(yōu)化能量采集），將可
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          • 關鍵字：
                        SiC  太陽能系統(tǒng)                          
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          杰平方半導體宣布啟動香港首間碳化硅（SiC）先進垂直整合晶圓廠項目
          
                                                            
            
                    	
          • 由創(chuàng)新科技及工業(yè)局和引進重點企業(yè)辦公室共同推動，香港科技園公司（科技園公司）與微電子企業(yè)杰平方半導體（上海）有限公司（杰平方半導體）簽署合作備忘錄，在科學園設立以第三代半導體為主的全球研發(fā)中心，并投資開設香港首間碳化硅（SiC）8寸先進垂直整合晶圓廠，共同推進香港微電子生態(tài)圈及第三代半導體芯片產業(yè)的發(fā)展。香港特區(qū)政府創(chuàng)新科技及工業(yè)局去年公布的《香港創(chuàng)科發(fā)展藍圖》中，明確指出應加強支持具策略性的先進制造產業(yè)發(fā)展，譬如半導體芯片，促進香港「新型工業(yè)化」的發(fā)展。作為全球最大的半導體進出口市場之一，香港更是位處大
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          • 關鍵字：
                        香港科技園公司  杰平方半導體  碳化硅  SiC  垂直整合晶圓廠                          
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          新增SiC和IGBT模型,羅姆官網可提供超過3,500種LTspice模型
          
                                                            
            
                    	
          • 全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都）擴大了支持電路仿真工具*1 LTspice? 的SPICE模型*2陣容。LTspice?具有電路圖捕獲和波形查看器功能，可以提前確認和驗證電路是否按設計預期工作。此前羅姆已經陸續(xù)提供了雙極晶體管、二極管和MOSFET*3的LTspice模型，此次又新增了SiC功率元器件和IGBT*4等的LTspice模型。至此，羅姆已經提供超過3,500 種分立產品的LTspice?模型，這些模型從各產品頁面均可下載。目前，羅姆官網上發(fā)布的產品所對應的LTspice?模型覆蓋率
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          • 關鍵字：
                        SiC  IGBT模型  羅姆  LTspice模型                          
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