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Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來(lái)越受歡迎的D2PAK-7封裝
- Nexperia近日宣布，公司現(xiàn)推出業(yè)界領(lǐng)先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面貼裝器件(SMD)封裝，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供選擇。這是繼Nexperia于2023年底發(fā)布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的又一新產(chǎn)品，它將使其SiC MOSFET產(chǎn)品組合迅速擴(kuò)展到包括RDSon值為17、30、40、60和80 mΩ 且封裝靈活的器件。隨著NSF0xx120D7A0的發(fā)布，Nexperia正在滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)采用D2
- 關(guān)鍵字： Nexperia SiC MOSFET D2PAK-7
用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器
- Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。 這款創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)器專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。IX4352NE的主要優(yōu)勢(shì)在于其獨(dú)立的9A拉/灌電流輸出，支持量身定制的導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)序，同時(shí)將開(kāi)關(guān)損耗降至最低。 內(nèi)部負(fù)電荷調(diào)節(jié)器還能提供用戶(hù)可選的負(fù)柵極驅(qū)動(dòng)偏置，以實(shí)現(xiàn)更高的dV/dt抗擾度和更快的關(guān)斷速度。 該驅(qū)動(dòng)器
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET IGBT 低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器
多款車(chē)型相繼發(fā)布，SiC技術(shù)加速“上車(chē)”
- SiC技術(shù)似乎已成為蔚來(lái)旗下新車(chē)型標(biāo)配。蔚來(lái)在去年12月發(fā)布的行政旗艦車(chē)型ET9，搭載了蔚來(lái)自研自產(chǎn)的1200V SiC功率模塊，以及面向900V的46105大圓柱電芯和電池包，單顆電芯能量密度高達(dá)292Wh/kg，充電效率達(dá)到5C，呈現(xiàn)出來(lái)的效果就是充電5分鐘，續(xù)航255公里。近日，蔚來(lái)旗下又一款搭載SiC技術(shù)的車(chē)型正式發(fā)布，這便是其全新品牌樂(lè)道的首款車(chē)型L60。據(jù)悉，樂(lè)道全域采用900V高壓架構(gòu)，包括電驅(qū)系統(tǒng)、熱泵空調(diào)、輔助加熱器（PTC）、車(chē)載充電機(jī)（OBC）、直流電壓變換器（DC-DC）均為900
- 關(guān)鍵字： Sic 新能源汽車(chē) 蔚來(lái)
英飛凌為小米新款SU7智能電動(dòng)汽車(chē)供應(yīng)一系列產(chǎn)品
- Source:Getty Images/Natee Meepian英飛凌科技在5月6日發(fā)布的一篇新聞稿中表示，將為小米最近發(fā)布的SU7電動(dòng)汽車(chē)供應(yīng)碳化硅（SiC）功率模塊HybridPACK Drive G2 CoolSiC和裸片產(chǎn)品直至2027年。英飛凌CoolSiC功率模塊支持更高的工作溫度。例如，基于該技術(shù)的牽引逆變器可以進(jìn)一步增加電動(dòng)汽車(chē)的續(xù)航里程。英飛凌為小米SU7 Max車(chē)型提供兩顆HybridPACK Drive G2 CoolSiC 1200 V模塊。此外，英飛凌還為小米電動(dòng)汽車(chē)供應(yīng)了一系
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 小米 SU7 智能電動(dòng)汽車(chē) SiC
中宜創(chuàng)芯SiC粉體500噸生產(chǎn)線(xiàn)達(dá)產(chǎn)
- 近日，河南中宜創(chuàng)芯發(fā)展有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“中宜創(chuàng)芯”）SiC半導(dǎo)體粉體500噸生產(chǎn)線(xiàn)成功達(dá)產(chǎn)，產(chǎn)品純度最高達(dá)到99.99999%，已在國(guó)內(nèi)二十多家企業(yè)和研究機(jī)構(gòu)開(kāi)展試用和驗(yàn)證。資料顯示，中宜創(chuàng)芯成立于2023年5月24日，由中國(guó)平煤神馬控股集團(tuán)和平頂山發(fā)展投資集團(tuán)共同出資設(shè)立，總投資20億元，分期建設(shè)年產(chǎn)2000噸碳化硅半導(dǎo)體粉體生產(chǎn)線(xiàn)。項(xiàng)目一期總投資6億元，年產(chǎn)能500噸，占地12000平方米，2023年6月20日開(kāi)工建設(shè)，9月20日項(xiàng)目建成并試生產(chǎn)，9月30日首批產(chǎn)品出爐。預(yù)計(jì)達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)值5億元，據(jù)悉
- 關(guān)鍵字： 中宜創(chuàng)芯 SiC
2028年全球SiC功率器件市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)91.7億美元
- TrendForce集邦咨詢(xún)最新《2024全球SiC Power Device市場(chǎng)分析報(bào)告》顯示，盡管純電動(dòng)汽車(chē)（BEV）銷(xiāo)量增速的明顯放緩已經(jīng)開(kāi)始影響到SiC供應(yīng)鏈，但作為未來(lái)電力電子技術(shù)的重要發(fā)展方向，SiC在汽車(chē)、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應(yīng)用市場(chǎng)中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢(shì)，未來(lái)幾年整體市場(chǎng)需求將維持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，預(yù)估2028年全球SiC Power Device市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到91.7億美金。Tesla和比亞迪是兩個(gè)備受矚目的BEV品牌，近期均報(bào)告了令人失望的銷(xiāo)售數(shù)據(jù)，其中Tesla在1
- 關(guān)鍵字： SiC 功率器件 TrendForce
雜散電感對(duì)SiC和IGBT功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響探究
- IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開(kāi)關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點(diǎn)討論直流鏈路環(huán)路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate loop inductance）對(duì)VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響，本文為第一部分，將主要討論直流鏈路環(huán)路電感影響分析。測(cè)試設(shè)置雙脈沖測(cè)試 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的設(shè)置來(lái)分析SiC和IGBT模塊的開(kāi)關(guān)特性
- 關(guān)鍵字： 雜散電感 SiC IGBT 開(kāi)關(guān)特性
柵極環(huán)路電感對(duì)SiC和IGBT功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響分析
- IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開(kāi)關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點(diǎn)討論直流鏈路環(huán)路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate loop inductance）對(duì)VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響，本文為第二部分，將主要討論柵極環(huán)路電感影響分析。（點(diǎn)擊查看直流鏈路環(huán)路電感分析）測(cè)試設(shè)置雙脈沖測(cè)試 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的設(shè)置來(lái)分析S
- 關(guān)鍵字： IGBT SiC 開(kāi)關(guān)特性
Qorvo SiC FET與SiC MOSFET優(yōu)勢(shì)對(duì)比
- 在之前一篇題為《功率電子器件從硅（Si）到碳化硅（SiC）的過(guò)渡》的博文中，我們探討了碳化硅（SiC）如何成為功率電子市場(chǎng)一項(xiàng)“顛覆行業(yè)生態(tài)”的技術(shù)。如圖1所示，與硅（Si）材料相比，SiC具有諸多技術(shù)優(yōu)勢(shì)，因此我們不難理解為何它已成為電動(dòng)汽車(chē)（EV）、數(shù)據(jù)中心和太陽(yáng)能/可再生能源等許多應(yīng)用領(lǐng)域中備受青睞的首選技術(shù)。圖1.硅與碳化硅的對(duì)比眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝，來(lái)開(kāi)發(fā)基于雙極結(jié)型晶體管（BJT）、結(jié)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣
- 關(guān)鍵字： Qorvo SiC MOSFET
全面升級(jí)！安森美第二代1200V SiC MOSFET關(guān)鍵特性解析
- 安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開(kāi)關(guān)。M3S 系列專(zhuān)注于提高開(kāi)關(guān)性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對(duì)工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，如太陽(yáng)能逆變器、ESS、UPS 和電動(dòng)汽車(chē)充電樁等。幫助開(kāi)發(fā)者提高開(kāi)關(guān)頻率和系統(tǒng)效率。本應(yīng)用筆記將描述M3S的一些關(guān)鍵特性，與第一代相比的顯著性能提升，以及一些實(shí)用設(shè)計(jì)技巧。本文為第一部分，將重點(diǎn)介紹M3S的一些關(guān)鍵特性以及與
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 SiC MOSFET
SiC邁入8英寸時(shí)代，國(guó)際大廠量產(chǎn)前夕國(guó)內(nèi)廠商風(fēng)口狂追
- 近日，包括Wolfspeed、韓國(guó)釜山政府、科友等在第三代半導(dǎo)體SiC/GaN上出現(xiàn)新進(jìn)展。從國(guó)內(nèi)外第三代化合物進(jìn)展看，目前在碳化硅領(lǐng)域，國(guó)際方面8英寸SiC晶圓制造已邁向量產(chǎn)前夕，國(guó)產(chǎn)廠商方面則有更多廠家具備量產(chǎn)能力，產(chǎn)業(yè)鏈條進(jìn)一步完善成熟，下文將進(jìn)一步說(shuō)明最新情況。SiC/GaN 3個(gè)項(xiàng)目最新動(dòng)態(tài)公布Wolfspeed德國(guó)8英寸SiC工廠或?qū)⒀舆t至明年建設(shè)近日，據(jù)外媒消息，Wolfspeed與采埃孚聯(lián)合投資建設(shè)的德國(guó)8英寸SiC晶圓廠建設(shè)計(jì)劃或被推遲，最早將于2025年開(kāi)始。據(jù)悉，該工廠由Wolfsp
- 關(guān)鍵字： SiC 8英寸
Wolfspeed 8英寸SiC襯底產(chǎn)線(xiàn)一期工程封頂
- 3月28日消息，當(dāng)?shù)貢r(shí)間3月26日，Wolfspeed宣布第三座工廠——8英寸SiC襯底產(chǎn)線(xiàn)一期工程舉行了封頂儀式。據(jù)了解，該工廠位于貝卡萊納州查塔姆縣，總投資50億美元（約合人民幣356億元），占地面積445英畝，主要生產(chǎn)8英寸SiC單晶襯底。目前，該工廠已有一些長(zhǎng)晶爐設(shè)備進(jìn)場(chǎng)，預(yù)計(jì)2024年底將完成一期工程建設(shè)，2025年上半年開(kāi)始生產(chǎn)，預(yù)計(jì)竣工達(dá)產(chǎn)后Wolfspeed的SiC襯底產(chǎn)量將擴(kuò)大10倍。近期，Wolfspeed與瑞薩電子、英飛凌等公司簽署了客戶(hù)協(xié)議，查塔姆工廠的投建將為這些協(xié)議提供支持，同
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 Wolfspeed SiC 瑞薩 英飛凌
近年來(lái)對(duì)碳化硅（SiC）襯底需求的持續(xù)激增
- 隨著近年來(lái)對(duì)碳化硅（SiC）襯底需求的持續(xù)激增，市場(chǎng)研究公司TrendForce表示，對(duì)于SiC的成本降低呼聲越來(lái)越高，因?yàn)樽罱K產(chǎn)品價(jià)格仍然是消費(fèi)者的關(guān)鍵決定因素。SiC襯底的成本占整個(gè)成本結(jié)構(gòu)的比例最高，約占50%。因此，襯底部分的成本降低和利用率提高尤為關(guān)鍵。由于其成本優(yōu)勢(shì)，大尺寸襯底逐漸開(kāi)始被采用，市場(chǎng)對(duì)其寄予了很高的期望。中國(guó)SiC襯底制造商天科藍(lán)半導(dǎo)體計(jì)算，從4英寸升級(jí)到6英寸可以使單位成本降低50%，從6英寸升級(jí)到8英寸可以再次降低35%。與此同時(shí)，8英寸襯底可以生產(chǎn)更多的芯片，從而減少邊緣浪
- 關(guān)鍵字： SiC 碳化硅
sic介紹
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料，具有多種同素異構(gòu)類(lèi)型。其典型結(jié)構(gòu)可分為兩類(lèi)：一類(lèi)是閃鋅礦結(jié)構(gòu)的立方SiC晶型，稱(chēng)為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數(shù)目；另一類(lèi)是六角型或菱形結(jié)構(gòu)的大周期結(jié)構(gòu)，其中典型的有6H、4H、15R等，統(tǒng)稱(chēng)為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能.
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