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海力士半導(dǎo)體江蘇無(wú)錫廠停電4小時(shí) 半數(shù)晶圓報(bào)廢
- 有消息傳出，韓國(guó)內(nèi)存芯片大廠海力士（Hynix）大陸江蘇無(wú)錫DRAM制造晶圓廠區(qū)21日下午不明原因停電超過四個(gè)小時(shí)，當(dāng)?shù)卦庐a(chǎn)能10萬(wàn)片的12英寸晶圓廠本月恐半數(shù)會(huì)晶圓會(huì)報(bào)廢，沖擊全球DRAM供給約1%。 由于目前正邁入旺季庫(kù)存補(bǔ)貨期，業(yè)界已開始憂心客戶端會(huì)出現(xiàn)恐慌性買盤進(jìn)場(chǎng)，造成短期DRAM價(jià)格急拉。DRAM業(yè)者表示，以過去經(jīng)驗(yàn)來(lái)看，雖然晶圓廠多有不斷電系統(tǒng)，但在停電的瞬間，仍無(wú)法滿足每一道制程所需的電力需求，尤其四個(gè)小時(shí)以上的停電，關(guān)鍵機(jī)臺(tái)都將停擺，原本在生產(chǎn)在線的晶圓都要報(bào)廢，損失相當(dāng)大，若
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存儲(chǔ)器大廠意外頻發(fā)“穩(wěn)定”行業(yè)價(jià)格
- 近期記憶體業(yè)者常幽默指出，以后DRAM和NAND型快閃記憶體(Flash)產(chǎn)業(yè)可能只有2種方法可帶動(dòng)價(jià)格，一是每年1次的晶圓廠跳電事件，帶來(lái)的“自然減產(chǎn)機(jī)制”，使得上游供給減少，二是記憶體廠制程凸捶，導(dǎo)致的供給大減，尤其DRAM產(chǎn)業(yè)這么依賴個(gè)人電腦(PC)的成長(zhǎng)性，很難再出現(xiàn)需求大好的情況，只好想盡辦法讓供給減少，維持價(jià)格秩序。 意外事件＋制程出錯(cuò) 穩(wěn)定價(jià)格的捷徑 2007年8月三星電子(Samsung Electronics)廠房意外電線走火，導(dǎo)致NAND Fla
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三星減少NAND閃存供貨量 擬甩掉臺(tái)灣廠商
- 近期，三星和海力士(Hynix)面向臺(tái)灣的NAND閃存芯片供貨量有所下降，另一方面，英特爾和Micron的合資公司IM則推出了更具競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格并逐步搶占市場(chǎng)，許多分析人士認(rèn)為未來(lái)閃存市場(chǎng)或許將會(huì)出現(xiàn)另一番局面。 三星和海力士減少向臺(tái)灣內(nèi)存廠商的供貨量，是為了滿足蘋果這類國(guó)際大客戶的供貨需求。東芝也限制了供應(yīng)量，唯獨(dú)沒有對(duì)群聯(lián)電子(Phison Electronics)采取限制措施，這使得不少臺(tái)灣企業(yè)開始考慮降低對(duì)大廠商產(chǎn)品的依賴。 一些臺(tái)灣內(nèi)存廠商指出，它們都不愿意繼續(xù)向三星和海力士采購(gòu)，
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傳華潤(rùn)上華購(gòu)首鋼NEC 首鋼或退出半導(dǎo)體業(yè)
- 繼9月從無(wú)錫海力士-意法半導(dǎo)體手中接過8英寸生產(chǎn)線設(shè)備之后，芯片制造商無(wú)錫華潤(rùn)上華科技有限公司(0597.HK，下稱華潤(rùn)上華)再次出手。 記者近日從接近華潤(rùn)集團(tuán)高層的業(yè)內(nèi)人士處獲悉，華潤(rùn)集團(tuán)欲收購(gòu)首都鋼鐵集團(tuán)旗下半導(dǎo)體業(yè)務(wù)公司——首鋼日電電子有限公司(以下簡(jiǎn)稱“首鋼NEC”)的大部分股權(quán)，并將把這部分資產(chǎn)注入華潤(rùn)控股的芯片制造企業(yè)華潤(rùn)上華。 “收購(gòu)價(jià)格還沒有最終確定?！鄙鲜鲋槿耸客嘎叮侨A潤(rùn)上華有著強(qiáng)烈意愿，華潤(rùn)集團(tuán)也非常支持，目前華潤(rùn)與首鋼NEC已達(dá)成初步交易意向。 首鋼NEC
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我國(guó)IC芯片生產(chǎn)線達(dá)50條 應(yīng)繼續(xù)鼓勵(lì)發(fā)展
- 到2007年8月底，“十一五”規(guī)劃期的五年時(shí)間已過去了1/3，謹(jǐn)在此回顧一下這段時(shí)間內(nèi)我國(guó)IC芯片線建設(shè)的進(jìn)展?fàn)顩r。 2005年底，我國(guó)共有40條IC芯片線在運(yùn)轉(zhuǎn)，其中有1條12英寸線，9條8英寸線，8條6英寸線，8條5英寸線，14條4英寸線。從2006年1月至2007年8月期間，我國(guó)建成投入運(yùn)營(yíng)11條IC芯片線，但由于原有的1條生產(chǎn)線停止運(yùn)營(yíng)，因此，凈增10條線，總計(jì)達(dá)到50條線。 經(jīng)統(tǒng)計(jì)，2006年1月至2007年8月期間投入運(yùn)營(yíng)的，計(jì)有1條
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海力士半導(dǎo)體DRAM產(chǎn)品獲得 ISi存儲(chǔ)技術(shù)授權(quán)
- 海力士已經(jīng)同意在其動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技術(shù)。采用Z-RAM的DRAM將使用一種單晶體管位單元，來(lái)替代多個(gè)晶體管和電容器的組合，這代表了自上世紀(jì)70年代初發(fā)明DRAM來(lái)，基本DRAM位單元實(shí)現(xiàn)了首次變革。海力士已經(jīng)獲得了搶先將Z-RAM引入DRAM市場(chǎng)的機(jī)會(huì)。為確保這項(xiàng)優(yōu)勢(shì)，兩家公司已經(jīng)投入相當(dāng)大的工程資源共同開發(fā)該項(xiàng)目。 Z-RAM最初作為全球成本最低的嵌入式內(nèi)存技術(shù)而應(yīng)用于邏輯芯片，如移動(dòng)芯片組、微處
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半導(dǎo)體制造大門向中國(guó)敞開？
- 海力士與ST的合資晶圓制造廠終于落戶無(wú)錫，這座占地800余畝的新廠位于無(wú)錫新區(qū)，主要制造NAND閃存和DRAM存儲(chǔ)器芯片。這個(gè)晶圓廠的一期工程總投資為20億美元，成為迄今為止我國(guó)單體投資最大的半導(dǎo)體項(xiàng)目，同時(shí)它也是無(wú)錫市政府引進(jìn)的江蘇省最大的外商獨(dú)資項(xiàng)目，因此被無(wú)錫當(dāng)?shù)氐膱?bào)紙稱為“晶圓航母”。新工廠一投產(chǎn)運(yùn)營(yíng)，馬上就可以量產(chǎn)最先進(jìn)的12英寸的70nm晶圓，而且未來(lái)４期項(xiàng)目的總投資額將有望超過１００億美元。 業(yè)界一些專家和權(quán)威人士也對(duì)這個(gè)項(xiàng)目普遍稱道，認(rèn)為該項(xiàng)目將使中國(guó)和世界半導(dǎo)體頂尖技術(shù)的差距縮短５～１０
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2006年10月，無(wú)錫海力士意法半導(dǎo)體在無(wú)錫正式投產(chǎn)
- 2006年10月，無(wú)錫海力士意法半導(dǎo)體在無(wú)錫正式投產(chǎn)。
- 關(guān)鍵字： 海力士 意法半導(dǎo)體
海力士與ST為合資存儲(chǔ)器芯片制造廠舉行落成典禮
- 意法半導(dǎo)體公司和另一家大型半導(dǎo)體廠商海力士半導(dǎo)體為在中國(guó)江蘇省無(wú)錫市合資建立的存儲(chǔ)器芯片前端制造廠舉行了正式的開業(yè)典禮。中國(guó)地方及國(guó)家領(lǐng)導(dǎo)參加了開業(yè)典禮。 這個(gè)技術(shù)先進(jìn)的新工廠將負(fù)責(zé)制造NAND閃存和DRAM存儲(chǔ)器芯片，該合資公司是海力士與意法半導(dǎo)體成功合作的結(jié)晶。合資雙方將獲得規(guī)模經(jīng)濟(jì)帶來(lái)的巨大的經(jīng)濟(jì)效益，將能提前進(jìn)入飛速增長(zhǎng)的中國(guó)市場(chǎng)，在制造工藝和產(chǎn)品開發(fā)上實(shí)現(xiàn)優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)。無(wú)錫晶圓制造廠將加快
- 關(guān)鍵字： ST為 存儲(chǔ)器芯片制造廠 單片機(jī) 海力士 合資 落成典禮 嵌入式系統(tǒng) 通訊 網(wǎng)絡(luò) 無(wú)線 存儲(chǔ)器
海力士2006年4月啟用無(wú)錫半導(dǎo)體廠
- 海力士與意法半導(dǎo)體合資興建的江蘇無(wú)錫半導(dǎo)體廠，將在明年4月著手量產(chǎn)。 韓國(guó)業(yè)界相關(guān)人員近日指出，據(jù)傳海力士最快將在明年第一季底，最遲將在明年第二季初啟用無(wú)錫廠。無(wú)錫廠將以生產(chǎn)DRAM為主，NAND型閃存則將視市場(chǎng)需求彈性生產(chǎn)。 無(wú)錫廠區(qū)達(dá)16萬(wàn)平方米，海力士計(jì)劃投入2兆韓元以上興建一座八吋晶圓廠與一座12吋晶圓廠。明年4月將啟用的為8吋晶圓廠，將采用9
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