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          EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> sk 海力士

          海力士DRAM制程升級(jí)到30納米級(jí)

          •   海力士(Hynix)緊跟三星電子(Samsung Electronics)之后,將把DRAM的生產(chǎn)制程轉(zhuǎn)換為30納米級(jí)制程。海力士29日宣布,已開(kāi)發(fā)出2款計(jì)算機(jī)用DRAM產(chǎn)品,將首度采用30納米級(jí)制程量產(chǎn)。據(jù)海力士表示,計(jì)劃采用38納米制程生產(chǎn)4Gb和2Gb 2種產(chǎn)品,2011年第1季將先量產(chǎn)2Gb產(chǎn)品。  
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          海力士2011年計(jì)劃投資26億美元

          •   據(jù)彭博(Bloomberg)報(bào)導(dǎo),海力士(Hynix)計(jì)劃資本支出3兆韓元(約26億美元),該公司發(fā)言人證實(shí)首爾經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)(Seoul Economic Daily)的報(bào)導(dǎo)。   彭博電話訪問(wèn)發(fā)言人Park Seong Ae指出,實(shí)際投資金額可能會(huì)依市場(chǎng)情況而調(diào)整。Park進(jìn)一步指出,2010年的投資金額為3.38兆韓元,相較之下,2011年的投資金額可能會(huì)比較小。
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          海力士半導(dǎo)體明年一季度開(kāi)始量產(chǎn)30納米芯片

          •   海力士半導(dǎo)體發(fā)言人Park Seong Ae周四表示,公司將從明年第一季度開(kāi)始量產(chǎn)30納米芯片。   這一表態(tài)證實(shí)了韓國(guó)網(wǎng)絡(luò)新聞媒體edaily此前的相關(guān)報(bào)道。
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          海力士期望大陸市場(chǎng)能給其帶來(lái)轉(zhuǎn)機(jī)

          •   全球第2大DRAM記憶體廠海力士(Hynix)第4季業(yè)績(jī)走弱,營(yíng)運(yùn)獲利下滑加上淡季效應(yīng)與產(chǎn)品價(jià)格走跌等因素,有鑒于大陸市場(chǎng)潛力巨大,該公司擬加碼大陸資本投資金額,希望借此刺激營(yíng)收。海力士大陸區(qū)負(fù)責(zé)人Lee Jae-woo接受Korea Times采訪時(shí)表示,公司計(jì)劃提高大陸廠制程技術(shù),以生產(chǎn)高階晶片。     
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          海力士M8產(chǎn)線將以代工為重心

          •   海力士半導(dǎo)體(Hynix)M8產(chǎn)線未來(lái)將以代工事業(yè)為重心。據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo),近期海力士以部分IC設(shè)計(jì)公司為對(duì)象,提出運(yùn)用清州M8廠的合作方案。采用90奈米以上制程的電源管理半導(dǎo)體、發(fā)光二極管(LED)驅(qū)動(dòng)芯片、顯示器用驅(qū)動(dòng)芯片(DDI)、傳感器專(zhuān)門(mén)IC設(shè)計(jì)等企業(yè)皆為協(xié)商對(duì)象。   
          • 關(guān)鍵字: 海力士  閃存  

          海力士半導(dǎo)體將投資2.31億美元以提高芯片產(chǎn)能

          •   11月19日電全球第二大計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)芯片制造商海力士半導(dǎo)體(Hynix Semiconductor)周五表示,計(jì)劃投資2610億韓圜(約合2.31億美元),,以提高和升級(jí)芯片產(chǎn)能。   該公司對(duì)證交所表示,上述投資將于12月底做出。
          • 關(guān)鍵字: 海力士  芯片  

          海力士Q3獲利翻5倍

          •   受惠于出貨成長(zhǎng)及轉(zhuǎn)進(jìn)優(yōu)勢(shì)芯片的策略奏效,南韓海力士半導(dǎo)體第三季營(yíng)業(yè)利益創(chuàng)下歷史次高記錄。海力士預(yù)估,內(nèi)存芯片價(jià)格將于明年第一季開(kāi)始止跌回穩(wěn)。   海力士周四公布,第三季營(yíng)業(yè)利益為1.01兆韓元(8.849億美元),超越市場(chǎng)預(yù)期的9610億韓元,并較去年同期的2090億韓元大幅成長(zhǎng)近5倍,同時(shí)逼近上一季創(chuàng)下的1.05兆韓元的歷史新高。   
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          海力士擬明年量產(chǎn)20納米NAND Flash

          •   韓國(guó)半導(dǎo)體廠海力士(Hynix)計(jì)劃2011年中以20納米制程量產(chǎn)NAND Flash。此20納米制程快閃存儲(chǔ)器可應(yīng)用于手機(jī)或平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)等裝置,相較26納米存儲(chǔ)器,晶圓(wafer)產(chǎn)出量提高約25%。   
          • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  20納米  

          三星、海力士4Q營(yíng)收不樂(lè)觀

          •   DRAM存儲(chǔ)器半導(dǎo)體價(jià)格跌勢(shì)持續(xù)第5個(gè)月,韓廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士半導(dǎo)體(Hynix)等存儲(chǔ)器公司2010年第4季將難避免營(yíng)收惡化的危機(jī)。     
          • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  

          景氣雖不明 海力士仍持續(xù)投資30納米制程

          •   雖然在經(jīng)濟(jì)前景不明的情況下,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣亦受到連帶影響,不過(guò)全球排名第2的半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)仍計(jì)劃對(duì)轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程持續(xù)加碼,以增加和三星電子(Samsung Electronics)、日本爾必達(dá)(Elpida)等大廠競(jìng)爭(zhēng)的優(yōu)勢(shì)。   
          • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  30納米  

          海力士:股份收購(gòu)者將出現(xiàn)

          •   據(jù)韓國(guó)電子新聞報(bào)導(dǎo),目前韓國(guó)有幾間業(yè)者對(duì)海力士(Hynix) 股份拋售顯露興趣。海力士理事議長(zhǎng)金鍾甲表示,韓國(guó)企業(yè)中有業(yè)者表示對(duì)海力士股份有興趣,早晚會(huì)對(duì)外宣布收購(gòu)立場(chǎng)。   金鍾甲在接受電子新聞訪談時(shí)表示,由于存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)構(gòu)圖產(chǎn)生變化,且海力士的競(jìng)爭(zhēng)力更強(qiáng)化,韓國(guó)業(yè)者對(duì)海力士的表現(xiàn)皆抱持正面的態(tài)度。   雖然主要是由債權(quán)團(tuán)執(zhí)行海力士股份拋售,金鍾甲以理事會(huì)議長(zhǎng)身分也積極接觸海力士潛在收購(gòu)者。海力士近期以來(lái)對(duì)拋售股份的官方說(shuō)法維持沒(méi)有表明收購(gòu)意愿的企業(yè),但金鍾甲此次的發(fā)言則暗示禁止拋售作業(yè)已進(jìn)行
          • 關(guān)鍵字: 海力士  存儲(chǔ)器  

          今年全球芯片廠商資本開(kāi)支將增長(zhǎng)一倍

          •   據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,市場(chǎng)研究公司Gartner星期二稱(chēng),2010年全球芯片廠商的資本開(kāi)支將比2009年增長(zhǎng)將近一倍,因?yàn)樵谌ツ甑慕?jīng)濟(jì)衰退之后,芯片廠商渴望進(jìn)行更多的投資。   Gartner稱(chēng),全球芯片廠商2010年的資本開(kāi)支將達(dá)到507億美元,比2009年增長(zhǎng)96%。由于經(jīng)濟(jì)衰退,全球芯片廠商2009年的資本開(kāi)支是259億美元,比2008年減少了41%。   Gartner副總裁Klaus Rinnen在聲明中稱(chēng),2010年半導(dǎo)體市場(chǎng)的強(qiáng)勁增長(zhǎng)推動(dòng)半導(dǎo)體資本開(kāi)支增長(zhǎng)到創(chuàng)紀(jì)錄的高水平。   隨著半導(dǎo)
          • 關(guān)鍵字: 海力士  芯片  

          DRAM價(jià)15天爆跌10% 恐跌至2美元線

          •   韓國(guó)電子時(shí)報(bào)報(bào)導(dǎo),DRAM價(jià)格在15天內(nèi)暴跌10%,1Gb DDR3價(jià)格恐將跌至2美元線。價(jià)格跌落幅度超過(guò)預(yù)測(cè)值,不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix),設(shè)備業(yè)者也感到相當(dāng)緊張。據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXange統(tǒng)計(jì),1Gb DDR3 9月初固定交易價(jià)格較15天前跌落10.60%至2.09美元,這是DDR3自2009年1月上市以來(lái),固定交易價(jià)格最大跌幅。甫推出DDR3時(shí),價(jià)格僅 在1美元在線,其后持續(xù)上升,至2009年11月,以2.25美元首度突破2美元線。   D
          • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  DDR3  

          DRAM價(jià)15天爆跌10% 恐跌至2美元線

          •   韓國(guó)電子時(shí)報(bào)報(bào)導(dǎo),DRAM價(jià)格在15天內(nèi)暴跌10%,1Gb DDR3價(jià)格恐將跌至2美元線。價(jià)格跌落幅度超過(guò)預(yù)測(cè)值,不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix),設(shè)備業(yè)者也感到相當(dāng)緊張。   據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXange統(tǒng)計(jì),1Gb DDR3 9月初固定交易價(jià)格較15天前跌落10.60%至2.09美元,這是DDR3自2009年1月上市以來(lái),固定交易價(jià)格最大跌幅。甫推出DDR3時(shí),價(jià)格僅在1美元在線,其后持續(xù)上升,至2009年11月,以2.25美元首度突破2美元線。DD
          • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  DDR3  

          韓國(guó)2015年前將非內(nèi)存芯片份額提高一倍

          •   韓國(guó)知識(shí)經(jīng)濟(jì)部上星期四稱(chēng),韓國(guó)將在未來(lái)五年投資1.7萬(wàn)億韓元(14.5億美元)幫助韓國(guó)芯片廠商找出進(jìn)入快速增長(zhǎng)的非內(nèi)存芯片市場(chǎng)的道路。   三星電子和海力士半導(dǎo)體等韓國(guó)芯片廠商目前擁有全球內(nèi)存芯片市場(chǎng)50%以上的份額。但是,在非內(nèi)存芯片市場(chǎng),韓國(guó)廠商的市場(chǎng)份額只有大約3%。韓國(guó)政府正是在這個(gè)背景之下采取這個(gè)行動(dòng)的。   根據(jù)這個(gè)計(jì)劃,韓國(guó)芯片廠商在2015年要取得全球非內(nèi)存芯片市場(chǎng)7.5%的份額。2009年全球非內(nèi)存芯片市場(chǎng)的規(guī)模是1858億美元。這個(gè)市場(chǎng)預(yù)計(jì)將以平均15%的年增長(zhǎng)率繼續(xù)增長(zhǎng)。
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