半導體 文章 進入半導體技術(shù)社區(qū)
瞄準 3D 結(jié)構(gòu)半導體制造封裝需求，尼康力圖實現(xiàn)光刻機出貨量倍增
- 集微網(wǎng)消息，據(jù)日經(jīng)新聞報道，尼康公司日前提出半導體光刻設(shè)備新的業(yè)務(wù)發(fā)展目標，即到 2026 年 3 月為止的財年，將光刻機年出貨量較目前的三年平均水平提高一倍以上。報道稱，尼康將積極開拓除英特爾以外的其他客戶，特別是日本本土和中國地區(qū)客戶，計劃將英特爾在光刻機設(shè)備營收中所占比重從 80% 降低到 50%。尼康還將推出適應(yīng) 3D 堆疊結(jié)構(gòu)器件如存儲半導體、圖像傳感器制造需求的光刻機新產(chǎn)品，已提高其在成熟制程設(shè)備市場的競爭力，目前，該公司平均每年售出 16 臺 ArF 光刻機（含二手翻新）。
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電子產(chǎn)業(yè)未來的材料——氧化鎵（Ga2O3）
- 可以說，人類在20世界下半葉開始，絕大部分的科技成果都建立在電子計算機之上，而半導體材料，就是各類現(xiàn)代信息技術(shù)的基石。自上世紀50年代，以硅和鍺為代表的第一代半導體材料為人類信息技術(shù)的高速發(fā)展走出了第一步；時間來到20世紀90年代，第二代半導體橫空出世，以砷化鎵、磷化銦為代表的材料為人類在無線電通訊、微波雷達及紅光 LED方面起到了舉足輕重的作用；而近十年來，也被稱為寬禁帶半導體材料的氮化鎵和碳化硅、氧化鋅等第三代半導體，直接推動了功率器件、短波長光電器件、光顯示、光存儲、 光探測、透明導電等領(lǐng)域的高速發(fā)
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俄公民被禁止考托福？美宣布新一輪對俄制裁，針對俄羅斯“硅谷”和半導體行業(yè)
- 當?shù)貢r間周二（8月2日），美國宣布了新一輪對俄羅斯的制裁，主要針對俄羅斯的金融和技術(shù)領(lǐng)域，尤其是俄羅斯的高科技和半導體行業(yè)。據(jù)悉，此次被制裁的對象包括被稱作“俄羅斯硅谷”的斯科爾科沃科技園（Skolkovo）、莫斯科物理技術(shù)學院（MIPT）、世界最大鋼鐵生產(chǎn)商之一馬格尼托哥爾斯克鋼鐵集團公司（MMK）及其董事會主席等。此外，俄知名化工企業(yè)佛薩卡集團的創(chuàng)始人安德烈·古里耶夫（Andrey Guryev）也在制裁名單內(nèi)。不過報道指出，該集團本身暫未在制裁名單上。根據(jù)美國國務(wù)院發(fā)布的官方文件，被制裁的對象在美國
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東芝第三代 SiC MOS 性能提升 80%，將在 8 月下旬量產(chǎn)
- 據(jù)東芝近日官網(wǎng)宣布，他們的第三代 SiC MOSFET（碳化硅場效應(yīng)管）計劃在今年 8 月下旬開始量產(chǎn)。據(jù)了解，該新產(chǎn)品使用全新的器件結(jié)構(gòu)，具有低導通電阻，且開關(guān)損耗與第二代產(chǎn)品相比降低了約 20%。2020 年 8 月，東芝利用這項新技術(shù)量產(chǎn)了第二代 SiC MOSFET ——1.2kV SiC MOSFET。這是一種將 SBD 嵌入 MOSFET 的結(jié)構(gòu)，將其與 PN 二極管 并聯(lián)放置 ，能將可靠性提升 10 倍 。雖然上述器件結(jié)構(gòu)可以顯著提升可靠性，可它卻有著無法規(guī)避的缺點 —— 特定導通電阻和性能
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美日連手將成立新的聯(lián)合國際半導體研究中心
- 日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)大臣萩生田光一（Koichi Hagiuda）今天在華盛頓的記者會指出，美日已決定成立一個新的聯(lián)合國際半導體研究中心。路透社報導，美日在經(jīng)濟會談中同意，將共同研發(fā)次世代半導體，以建立這種重要組件一個安全的來源。美國商務(wù)部長雷蒙多（Gina Raimondo）表示，雙方今天深入討論「有關(guān)日本和美國如何進行合作，尤其是在先進半導體方面」?！溉战?jīng)亞洲」（Nikkei Asia）稍早報導，日本將于今年底之前與美國合作開設(shè)一個次世代2奈米芯片研發(fā)中心，這是兩國致力建構(gòu)安全芯片供應(yīng)鏈行動的一環(huán)。美日計劃研
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顯卡、內(nèi)存全在跌 ASML的EUV光刻機賣不動：一下少了15臺
- 全球半導體市場從產(chǎn)能緊張已經(jīng)轉(zhuǎn)向過剩，部分領(lǐng)域跌價跌得厲害，比如顯卡、內(nèi)存及SSD等，這一波芯片價格下滑也會影響廠商的生產(chǎn)計劃，結(jié)果就是ASML一度供不應(yīng)求的EUV光刻機賣不動了，今年出貨量減少15臺。ASML昨天發(fā)布了2022年Q2季度財報，當季凈銷售額為54.31億歐元，好于市場預(yù)期的52.6億歐元，上年同期為40.20億歐元，同比增長35%。凈利潤為14.11億歐元，上年同期為10.38億歐元，同比增長36%。雖然業(yè)績大漲，但是ASML對全年的預(yù)期更加悲觀，從之前預(yù)期增長20%下調(diào)到了增長10%，其
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三星計劃于美國德州投資2000億美元建立11座芯片工廠
- 中關(guān)村在線消息：據(jù)媒體報道，三星電子近日提出了將于美國得克薩斯州大規(guī)模建立半導體制造工廠的規(guī)劃，將在未來的20年內(nèi)陸續(xù)投入近2000億美元建設(shè)11座工廠。不過，三星目前還處于“規(guī)劃”階段，第一座建成工廠最早也要到2034年才會開始運營。對此，得州州長格雷格·阿博特(Greg Abbott)在一份聲明中表示:“這些新設(shè)施鞏固了得州這個孤星之州在半導體行業(yè)的領(lǐng)導地位，我感謝三星增加了他們對得州中部辛勤工作的人們的投資?！睋?jù)悉，美國目前正在推進一項520億美元的聯(lián)邦計劃，用以激勵本土半導體行業(yè)發(fā)展，以減輕產(chǎn)能不
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DRAM能否成為半導體市場預(yù)測晴雨表？
- 在今年Gartner的半導體市場分析報告中指出，從歷史角度來看，存儲市場一直規(guī)律的處于2~3年的周期波動中。2021年DRAM市場存在一個供不應(yīng)求的情況，使得價格上漲，但在2022年下半年會恢復并且進入供過于求的周期，這個周期會導致存儲市場價格的整體下滑。下面我們來具體分析都存在哪些因素導致DRAM的周期波動。1.地緣問題導致消費市場向下修正 俄烏戰(zhàn)爭打破歐洲和平局面，導致能源價格大幅提升，整體社會的消費水平降低，企業(yè)和消費者會減少很多不必要的開支。早在4月底，美國商務(wù)部公布的數(shù)據(jù)顯示，美國一季度G
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猴痘宛逗引領(lǐng)黑天鵝 經(jīng)濟衰退大潮半導體很難獨善其身
- 2021年半導體市場錄得了超過26%的超高增長率，分析其中的原因，除了歷史級的全行業(yè)缺貨導致芯片價格上漲之外，存儲芯片的價格也攀上了一個高點，幾家存儲巨頭的營收也接近了歷史最高點的2018。另外，因2020年疫情影響而延緩的各類消費支出也在疫情緩解的2021年實現(xiàn)了報復性回歸。加上2021一個沒有觀眾的奧運會和5G基礎(chǔ)設(shè)施的普及，2021年算是集合了多個計劃內(nèi)和計劃外的增長推動因素。但轉(zhuǎn)眼到了2022年年中，似乎我們看到的市場推動因素要小于市場萎縮的預(yù)警，這也讓我們開始對未來一兩年的半導體市場增長產(chǎn)生不好
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(2022.7.4)半導體周要聞－莫大康
- 半導體周要聞 2022.6.27- 2022.7.11. 魏少軍教授：中國集成電路產(chǎn)業(yè)的再破局魏教授表示，美國現(xiàn)在包括中國臺灣、日本和韓國建立“Chip4聯(lián)盟”在內(nèi)的種種動作，似乎都是想將中國排除在全球半導體供應(yīng)鏈之外。在這種形勢下，我們更需要重新審視中國半導體產(chǎn)業(yè)的未來。在持之以恒的投入下，中國集成電路產(chǎn)業(yè)的實力正在不斷上升，但自給率依然不足。據(jù)魏教授介紹，我國的集成電路自給率只能做到12.5%，“有人說，這是不是意味著我們可以拼命投資集成電路制造呢？也不盡然，因為如果這樣做，我們可能很快就會
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當各種下滑征兆組合到一起，也許這就是半導體的新節(jié)奏
- 同行最近更是開始預(yù)測2023年可能會出現(xiàn)半導體行業(yè)周期性衰退的情況，筆者仔細研究了一下最近的一些行業(yè)分析，感覺2023年半導體行業(yè)下滑似乎不是小概率事件。
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萊迪思發(fā)布兩款新品 持續(xù)拓展FPGA市場布局
- 作為低功耗FPGA領(lǐng)域的領(lǐng)先供應(yīng)商，萊迪思半導體可以說是全球FPGA出貨量最多的廠商之一，為通信、計算、工業(yè)、汽車和消費市場客戶提供著從網(wǎng)絡(luò)邊緣到云端的各類解決方案。40年來，萊迪思的創(chuàng)新之路從未間斷，并于5月31日推出了兩款新品——MachXO5-NX系列產(chǎn)品和Lattice ORAN解決方案集合。其中，MachXO5-NX系列產(chǎn)品通過增加邏輯和存儲器資源、支持穩(wěn)定的3.3 V I/O以及差異化的安全功能集，實現(xiàn)了新一代的安全控制功能，Lattice ORAN解決方案集合可實現(xiàn)穩(wěn)定的控制數(shù)據(jù)安全、靈活的
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半導體介紹
semiconductor
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導體室溫時電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。半導體材料很多，按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導體；化合物半導體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細 ]
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