碳化硅(sic)mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)
Wolfspeed宣布其全球最大、最先進(jìn)的碳化硅工廠封頂
- 2024年3月27日，Wolfspeed宣布，其在位于美國北卡羅來納州查塔姆縣的“John Palmour碳化硅制造中心”舉辦建筑封頂慶祝儀式。據(jù)官方介紹，“John Palmour碳化硅制造中心”總投資50億美元，獲得了來自公共部門和私營機(jī)構(gòu)的支持，將助力從硅向碳化硅的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型，提升對于能源轉(zhuǎn)型至關(guān)重要的材料的供應(yīng)。該中心占地445英畝，一期建設(shè)預(yù)計(jì)將于2024年底竣工，該中心將制造200mm碳化硅（SiC）晶圓，顯著擴(kuò)大Wolfspeed材料產(chǎn)能，滿足對于能源轉(zhuǎn)型和AI人工智能至關(guān)重要的新一代半導(dǎo)體的
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Wolfspeed 8英寸SiC襯底產(chǎn)線一期工程封頂
- 3月28日消息，當(dāng)?shù)貢r間3月26日，Wolfspeed宣布第三座工廠——8英寸SiC襯底產(chǎn)線一期工程舉行了封頂儀式。據(jù)了解，該工廠位于貝卡萊納州查塔姆縣，總投資50億美元（約合人民幣356億元），占地面積445英畝，主要生產(chǎn)8英寸SiC單晶襯底。目前，該工廠已有一些長晶爐設(shè)備進(jìn)場，預(yù)計(jì)2024年底將完成一期工程建設(shè)，2025年上半年開始生產(chǎn)，預(yù)計(jì)竣工達(dá)產(chǎn)后Wolfspeed的SiC襯底產(chǎn)量將擴(kuò)大10倍。近期，Wolfspeed與瑞薩電子、英飛凌等公司簽署了客戶協(xié)議，查塔姆工廠的投建將為這些協(xié)議提供支持，同
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近年來對碳化硅（SiC）襯底需求的持續(xù)激增
- 隨著近年來對碳化硅（SiC）襯底需求的持續(xù)激增，市場研究公司TrendForce表示，對于SiC的成本降低呼聲越來越高，因?yàn)樽罱K產(chǎn)品價格仍然是消費(fèi)者的關(guān)鍵決定因素。SiC襯底的成本占整個成本結(jié)構(gòu)的比例最高，約占50%。因此，襯底部分的成本降低和利用率提高尤為關(guān)鍵。由于其成本優(yōu)勢，大尺寸襯底逐漸開始被采用，市場對其寄予了很高的期望。中國SiC襯底制造商天科藍(lán)半導(dǎo)體計(jì)算，從4英寸升級到6英寸可以使單位成本降低50%，從6英寸升級到8英寸可以再次降低35%。與此同時，8英寸襯底可以生產(chǎn)更多的芯片，從而減少邊緣浪
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SEMICON2024收官，第三代半導(dǎo)體賽道競爭激烈！
- 3月20日，春分時期，萬物復(fù)蘇，SEMICON China 2024在上海新國際博覽中心拉開了序幕?，F(xiàn)場一片繁忙熱鬧，據(jù)悉本次展會面積達(dá)90000平方米，共有1100家展商、4500個展位和20多場會議及活動涉及了IC制造、功率及化合物半導(dǎo)體、先進(jìn)材料、芯車會等多個專區(qū)。本次展會中，碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈格外亮眼，據(jù)全球半導(dǎo)體觀察不完全統(tǒng)計(jì)，共有近70家相關(guān)企業(yè)帶來了一眾新品與最新技術(shù)，龍頭企業(yè)頗多，材料方面包括Resonac、天域半導(dǎo)體、天岳先進(jìn)、天科合達(dá)等企業(yè)，設(shè)備端則如晶盛機(jī)電、中微公司
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如何通過SiC增強(qiáng)電池儲能系統(tǒng)？
- 電池可以用來儲存太陽能和風(fēng)能等可再生能源在高峰時段產(chǎn)生的能量，這樣當(dāng)環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時，就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統(tǒng) (BESS) 的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，然后介紹了安森美 (onsemi) 的EliteSiC方案，可作為硅MOSFET或IGBT開關(guān)的替代方案，改善BESS的性能。圖1：BESS 實(shí)施概覽BESS 的優(yōu)勢最常用的儲能方法有四種，分別是電化學(xué)儲能、化學(xué)儲能、熱儲能和機(jī)械儲能。鋰離子電池是家喻戶曉的電化學(xué)儲能系統(tǒng)，具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點(diǎn)
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SiC是如何「拯救」降價車企的？
- 進(jìn)入 2024 年，10 多家車企紛紛宣布降價。車企給供應(yīng)商的降價壓力更大，普遍要求降價 20%，過去一般是每年降 3%-5%。有觀點(diǎn)認(rèn)為，車市降價是由于新技術(shù)帶來的成本下降，但從大背景來看，2 月銷量下滑，或是更多企業(yè)加入價格戰(zhàn)的不得已選擇。但從另一個角度來看，成本的下降確實(shí)會緩解降價的壓力，SiC（碳化硅）會不會是出路呢？降價風(fēng)波始末2 月 19 日，可以說是一切的開始。降價潮是由比亞迪掀起的，從 2 月 19 日到 3 月 6 日，在春節(jié)假期結(jié)束后的 17 天里，比亞迪密集推出了 13 款主力車型的
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英飛凌推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET，以更高的功率密度和效率樹立行業(yè)新標(biāo)準(zhǔn)
- 英飛凌科技股份公司近日推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產(chǎn)品系列，使電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用取得了飛躍性的進(jìn)展。這一全新產(chǎn)品組合將為電動摩托車、微型電動汽車和電動叉車等應(yīng)用提供出色的性能。新 MOSFET產(chǎn)品的導(dǎo)通損耗和開關(guān)性能均有所改善，降低了電磁干擾（EMI）和開關(guān)損耗，有益于用于服務(wù)器、電信、儲能系統(tǒng)（ESS）、音頻、太陽能等用途的各種開關(guān)應(yīng)用。此外，憑借寬安全工作區(qū)（SOA）和業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)，該產(chǎn)品系列非常適合電池管理系統(tǒng)等靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用。全新推出的英飛凌OptiMOS? 6 200
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英飛凌推出OptiMOS? 6200V MOSFET
- 英飛凌科技股份公司近日出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產(chǎn)品系列，使電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用取得了飛躍性的進(jìn)展。這一全新產(chǎn)品組合將為電動摩托車、微型電動汽車和電動叉車等應(yīng)用提供出色的性能。新MOSFET產(chǎn)品的導(dǎo)通損耗和開關(guān)性能均有所改善，降低了電磁干擾（EMI）和開關(guān)損耗，有益于用于服務(wù)器、電信、儲能系統(tǒng)（ESS）、音頻、太陽能等用途的各種開關(guān)應(yīng)用。此外，憑借寬安全工作區(qū)（SOA）和業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)，該產(chǎn)品系列非常適合電池管理系統(tǒng)等靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用。全新推出的英飛凌OptiMOS? 6 200 V產(chǎn)
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功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？
- 在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級。之前我們討論過功率MOSFET的雪崩效應(yīng)，今天，我們將繼續(xù)分享相關(guān)UIS (UIL)數(shù)據(jù)表的額定值。除了Ipk vs tav圖之外，大多數(shù)功率MOSFET數(shù)據(jù)表還包含一個UIS能量額定值，通常列在最大值表中。這有點(diǎn)誤導(dǎo)，因?yàn)楹苊黠@ (E=0.5Vav*Ipk*tav) 功率 M
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納微半導(dǎo)體與您相約亞洲充電展，最新GaN+SiC技術(shù)展望快充未來
- 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體近日宣布將參加于2024年3月20-22日在深圳福田會展中心舉辦的亞洲充電展，邀請觀眾造訪由最新氮化鎵和碳化硅技術(shù)打造，象征著全電氣化未來的“納微芯球”展臺。納微半導(dǎo)體將展出最新的GaNFast?和GeneSiC?應(yīng)用及解決方案，包括：●? ?功率水平更高、以應(yīng)用為導(dǎo)向的GaNSense? Halfbridge半橋氮化鎵技術(shù)●? ?高性能、速度快的第三代高速碳化硅技術(shù)●? &
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全球加速碳化硅產(chǎn)能擴(kuò)充
- 受惠于下游應(yīng)用市場的強(qiáng)勁需求，碳化硅產(chǎn)業(yè)正處于高速成長期。據(jù)TrendForce集邦咨詢預(yù)期，至2026年SiC功率元件市場規(guī)模可望達(dá)53.3億美元，其主流應(yīng)用仍倚重電動汽車及可再生能源。近期，備受關(guān)注的碳化硅市場又有了新動態(tài)，涉及三菱電機(jī)、美爾森、芯粵能等企業(yè)。三菱電機(jī)SiC工廠預(yù)計(jì)4月開建據(jù)日經(jīng)新聞近日報(bào)道，三菱電機(jī)將于今年4月，在日本熊本縣開工建設(shè)新的8英寸SiC工廠，并計(jì)劃于2026年4月投入運(yùn)營。2023年3月，三菱電機(jī)宣布，計(jì)劃在5年內(nèi)投資約1000億日元（折合人民幣約48.56億元）建設(shè)一個
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Vishay的新款80V對稱雙通道MOSFET的RDS(ON)達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平，可顯著提高功率密度、能效和熱性能
- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型80 V對稱雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF4800LDT，將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT適用于工業(yè)和通信應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換，在提高功率密度和能效的同時，增強(qiáng)熱性能，減少元器件數(shù)量并簡化設(shè)計(jì)。日前發(fā)布的雙通道MOSFET可用來取代兩個PowerPAK 1
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芯動半導(dǎo)體與與意法半導(dǎo)體達(dá)成SiC合作
- 3月13日消息，日前，芯動半導(dǎo)體官微宣布，已與意法半導(dǎo)體簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將就SiC芯片業(yè)務(wù)展開合作。此次與意法半導(dǎo)體就SiC芯片業(yè)務(wù)簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，也將進(jìn)一步推動長城汽車垂直整合，穩(wěn)定供應(yīng)鏈發(fā)展。公開資料顯示，芯動半導(dǎo)體于2022年11月成立于江蘇無錫，由長城汽車與穩(wěn)晟科技合資成立，以開發(fā)第三代功率半導(dǎo)體SiC模組及應(yīng)用解決方案為目標(biāo)。目前，芯動半導(dǎo)體位于無錫的第三代半導(dǎo)體模組封測制造基地項(xiàng)目已完成建設(shè)。該項(xiàng)目總投資8億元，規(guī)劃車規(guī)級模組年產(chǎn)能為120萬套，預(yù)計(jì)本月正式量產(chǎn)。除了碳化硅模塊外，芯動
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英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 2000 V，在不影響系統(tǒng)可靠性的情況下提供更高功率密度
- 英飛凌科技股份公司近日推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC??MOSFET?2000?V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計(jì)人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴(yán)格的高電壓和開關(guān)頻率要求，也不會降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達(dá)到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC? MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14 mm，電氣間隙為5
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英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC? MOSFET G2，推動低碳化的高性能系統(tǒng)
- 英飛凌科技股份公司近日推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，?英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標(biāo)（如能量和電荷儲量）提高了20%，不僅提升了整體能效，更進(jìn)一步推動了低碳化進(jìn)程。CoolSiC? MOSFET Generation 2 (G2)?技術(shù)繼續(xù)發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢，通過降低能量損耗來提高功率轉(zhuǎn)換過程
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碳化硅(sic)mosfet介紹
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