碳化硅(sic)mosfet 文章進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)

納芯微推出基于創(chuàng)新型振鈴抑制專利的車規(guī)級(jí)CAN SIC: NCA1462-Q1

納芯微宣布推出基于其自研創(chuàng)新型振鈴抑制專利的車規(guī)級(jí)CAN SIC（信號(hào)改善功能，Signal Improvement Capability）NCA1462-Q1。相比當(dāng)前主流的CAN FD車載通信方案，NCA1462-Q1在滿足ISO 11898-2:2016標(biāo)準(zhǔn)的前提下，進(jìn)一步兼容CiA 601-4標(biāo)準(zhǔn)，可實(shí)現(xiàn)≥8Mbps的傳輸速率。憑借納芯微專利的振鈴抑制功能，即使在星型網(wǎng)絡(luò)多節(jié)點(diǎn)連接的情況下，NCA1462-Q1仍具有良好的信號(hào)質(zhì)量；此外，超高的EMC表現(xiàn)，更加靈活、低至1.8V的VIO可有效助力工
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晶盛機(jī)電披露碳化硅進(jìn)展

近日，晶盛機(jī)電在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示，目前公司已基本實(shí)現(xiàn)8-12英寸大硅片設(shè)備的全覆蓋并批量銷售，6英寸碳化硅外延設(shè)備實(shí)現(xiàn)批量銷售且訂單量快速增長，成功研發(fā)出具有國際先進(jìn)水平的8英寸單片式碳化硅外延生長設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了成熟穩(wěn)定的8英寸碳化硅外延工藝。同時(shí)公司基于產(chǎn)業(yè)鏈延伸，開發(fā)出了應(yīng)用于8-12英寸晶圓及封裝端的減薄設(shè)備、外延設(shè)備、LPCVD設(shè)備、ALD設(shè)備等。晶盛機(jī)電自2017年開始碳化硅產(chǎn)業(yè)布局，聚焦碳化硅襯底片和碳化硅外延設(shè)備兩大業(yè)務(wù)。公司已掌握行業(yè)領(lǐng)先的8英寸碳化硅襯底技術(shù)和工藝，量產(chǎn)晶片的核心位錯(cuò)達(dá)到
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?MOSFET共源放大器的頻率響應(yīng)

在本文中，我們通過研究MOSFET共源放大器的s域傳遞函數(shù)來了解其頻率響應(yīng)。之前，我們了解了MOSFET共源放大器的大信號(hào)和小信號(hào)行為。這些分析雖然有用，但僅適用于低頻操作。為了了解共用源（CS）放大器在較高頻率下的功能，我們需要更詳細(xì)地研究其頻率響應(yīng)。在本文中，我們將在考慮MOSFET寄生電容的情況下導(dǎo)出CS放大器的全傳遞函數(shù)。然而，在我們這么做之前，讓我們花點(diǎn)時(shí)間回顧頻域中更為普遍的傳遞函數(shù)（TF）分析。s域傳輸函數(shù)TF是表示如何由線性系統(tǒng)操縱輸入信號(hào)（x）以產(chǎn)生輸出信號(hào)（y）的方程式。其形式為：&n
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基于SiC的完整“傻瓜型”逆變器參考設(shè)計(jì)為先進(jìn)電機(jī)應(yīng)用鋪平了道路

先進(jìn)電機(jī)應(yīng)用（如高轉(zhuǎn)速、高頻、高功率密度、高溫等）需要相匹配的逆變器支持，但業(yè)界一直為其開發(fā)難度所困擾。全球領(lǐng)先的高溫半導(dǎo)體解決方案提供商CISSOID公司近期推出的基于碳化硅（SiC）功率器件的完整逆變器參考設(shè)計(jì)很好地解決了這一問題。該參考設(shè)計(jì)整合了CISSOID 公司的SiC高壓功率模塊和相匹配的集成化柵極驅(qū)動(dòng)器，Silicon Mobility公司的控制板和軟件，超低寄生電感的直流母線電容和EMI濾波器，直流和相電流傳感器等其它附件。由此為先進(jìn)電機(jī)應(yīng)用提供了一個(gè)已全面集成的完整“傻瓜型”逆變器開發(fā)平
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輕松了解功率MOSFET的雪崩效應(yīng)

在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動(dòng)。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級(jí)。根據(jù)電路條件不同，在雪崩、MOSFET漏極或源極中，電流范圍可從微安到數(shù)百安。額定擊穿電壓，也可稱之為“BV”，通常是在給定溫度范圍（通常是整個(gè)工作結(jié)溫范圍）內(nèi)定義的MOSFET器件的最小阻斷電壓（例如30V）。數(shù)據(jù)表中的BVdss值是在低雪崩電流（通常為
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Qorvo推出緊湊型E1B封裝的1200V SiC模塊

中國北京，2024 年 2 月 29 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?（納斯達(dá)克代碼：QRVO）近日宣布推出四款采用緊湊型 E1B 封裝的 1200V 碳化硅（SiC）模塊，其中兩款為半橋配置，兩款為全橋配置，導(dǎo)通電阻 RDS(on) 最低為 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模塊非常適合電動(dòng)汽車充電站、儲(chǔ)能、工業(yè)電源和太陽能等應(yīng)用。Qorvo SiC 電源產(chǎn)品線市場總監(jiān) Ramanan Natarajan 表示：“該全新系列中的模塊可以取代多達(dá)四個(gè)分立式 SiC FET，從而簡化
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Nexperia在APEC 2024上發(fā)布拓寬分立式FET解決方案系列

奈梅亨，2024年2月29日：Nexperia再次在APEC上展示產(chǎn)品創(chuàng)新，今天宣布發(fā)布幾款新型MOSFET，以進(jìn)一步拓寬其分立開關(guān)解決方案的范圍，可用于多個(gè)終端市場的各種應(yīng)用。此次發(fā)布的產(chǎn)品包括用于PoE、eFuse和繼電器替代產(chǎn)品的100 V 應(yīng)用專用MOSFET (ASFET)，采用DFN2020封裝，體積縮小60%，以及改進(jìn)了電磁兼容性(EMC)的40 ?V NextPowerS3 MOSFETPoE交換機(jī)通常有多達(dá)48個(gè)端口，每個(gè)端口需要2個(gè)MOSFET提供保護(hù)。單個(gè)PCB上有多達(dá)96
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MOSFET共源放大器介紹

在本文中，我們介紹了具有不同負(fù)載類型的MOSFET共源放大器的基本行為。模擬電路隨處可見，放大器基本上是每個(gè)模擬電路的一部分。MOSFET能夠制造出卓越的放大器件，這就是為什么有多種基于它們的單級(jí)放大器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的原因。根據(jù)哪個(gè)晶體管端子是輸入端和哪個(gè)晶體管端子是輸出端來區(qū)分它們。在本文中，我們將討論共用源極（CS）放大器，它使用柵極作為其輸入端子，使用漏極作為其輸出。在交流信號(hào)方面，源端子對(duì)于輸入和輸出都是公共的，因此得名為共源。圖1顯示了具有理想電流源的CS放大器。具有理想電流源負(fù)載的共源放大器。&nb
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?MOSFET共源放大器介紹

在本文中，我們介紹了具有不同負(fù)載類型的MOSFET共源放大器的基本行為。模擬電路隨處可見，放大器基本上是每個(gè)模擬電路的一部分。MOSFET能夠制造出卓越的放大器件，這就是為什么有多種基于它們的單級(jí)放大器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的原因。根據(jù)哪個(gè)晶體管端子是輸入端和哪個(gè)晶體管端子是輸出端來區(qū)分它們。在本文中，我們將討論共用源極（CS）放大器，它使用柵極作為其輸入端子，使用漏極作為其輸出。在交流信號(hào)方面，源端子對(duì)于輸入和輸出都是公共的，因此得名為共源。圖1顯示了具有理想電流源的CS放大器。具有理想電流源負(fù)載的共源放大器。&nb
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內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC，助推工廠智能化

本文的關(guān)鍵要點(diǎn)各行各業(yè)的工廠都在擴(kuò)大生產(chǎn)線的智能化程度，在生產(chǎn)線上的裝置和設(shè)備旁邊導(dǎo)入先進(jìn)信息通信設(shè)備的工廠越來越多。要將高壓工業(yè)電源線的電力轉(zhuǎn)換為信息通信設(shè)備用的電力，需要輔助設(shè)備用的高效率電源，而采用內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC可以輕松構(gòu)建這種高效率的輔助電源。各行各業(yè)加速推進(jìn)生產(chǎn)線的智能化如今，從汽車、半導(dǎo)體到食品、藥品和化妝品等眾多行業(yè)的工廠，既需要進(jìn)一步提升生產(chǎn)效率和產(chǎn)品品質(zhì)，還需要推進(jìn)無碳生產(chǎn)（降低功耗和減少溫室氣體排放）。在以往的制造業(yè)中，提高工廠的生產(chǎn)效率和
關(guān)鍵字：電力轉(zhuǎn)換 SiC MOSFET

瘋狂的碳化硅，國內(nèi)狂追！

近幾日，英飛凌在碳化硅合作與汽車半導(dǎo)體方面合作動(dòng)態(tài)頻頻，再度引起業(yè)界對(duì)碳化硅材料關(guān)注。1月23日，英飛凌與Wolfspeed宣布擴(kuò)大并延伸現(xiàn)有的長期150mm碳化硅晶圓供應(yīng)協(xié)議（原先的協(xié)議簽定于2018年2月）。延伸后的合作將包括一個(gè)多年期產(chǎn)能預(yù)留協(xié)議。這將有助于保證英飛凌整個(gè)供應(yīng)鏈的穩(wěn)定，同時(shí)滿足汽車、太陽能、電動(dòng)汽車充電應(yīng)用、儲(chǔ)能系統(tǒng)等領(lǐng)域?qū)τ谔蓟璋雽?dǎo)體不斷增長的需求。據(jù)英飛凌科技首席執(zhí)行官 JochenHanebeck 消息，為了滿足不斷增長的碳化硅器件需求，英飛凌正在落實(shí)一項(xiàng)多供應(yīng)商戰(zhàn)略，從而在
關(guān)鍵字：碳化硅英飛凌晶圓

安森美碳化硅技術(shù)專家“把脈”汽車產(chǎn)業(yè)2024年新風(fēng)向

回首2023年，盡管全球供應(yīng)鏈面臨多重挑戰(zhàn)，但我們看到了不少閃光點(diǎn)，比如AIGC的熱潮、汽車電子的火爆，以及物聯(lián)網(wǎng)的小跑落地……今天，安森美(onsemi)碳化硅技術(shù)專家牛嘉浩先生為大家?guī)砹怂麑?duì)過去一年的經(jīng)驗(yàn)總結(jié)和對(duì)新一年的展望期盼。汽車產(chǎn)業(yè)鏈中的困難與挑戰(zhàn)在過去一年中，汽車芯片短缺、全球供應(yīng)鏈的復(fù)雜性和不確定性及市場需求的變化，可能是汽車產(chǎn)業(yè)鏈最為棘手的難題，汽車制造商需要不斷調(diào)整生產(chǎn)和采購策略以應(yīng)對(duì)潛在的風(fēng)險(xiǎn)和瓶頸。隨著更多傳統(tǒng)車企和新興造車勢力進(jìn)入新能源汽車市場，競爭壓力加大，汽車制造商需要不斷提
關(guān)鍵字：智能電源智能感知汽車領(lǐng)域 SiC

2000V 12-100mΩ CoolSiC? MOSFET

CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯(lián)技術(shù)，CoolSiC?技術(shù)的輸出電流能力強(qiáng)，可靠性提高。產(chǎn)品型號(hào)：???IMYH200R012M1H???IMYH200R024M1H???IMYH200R050M1H???IMYH200R075M1H???IMYH200R0100M1H產(chǎn)品特點(diǎn)■ VDSS=2000V，可用于最高母線電壓為1500VDC系統(tǒng)■ 開關(guān)損
關(guān)鍵字： MOSFET CoolSiC Infineon

帶隙對(duì)決：GaN和SiC，哪個(gè)會(huì)占上風(fēng)？

電力電子應(yīng)用希望納入新的半導(dǎo)體材料和工藝。
關(guān)鍵字： GaN SiC

談?wù)凷iC MOSFET的短路能力

在電力電子的很多應(yīng)用，如電機(jī)驅(qū)動(dòng)，有時(shí)會(huì)出現(xiàn)短路的工況。這就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的時(shí)間內(nèi)承受住短路電流而不損壞。目前市面上大部分IGBT都會(huì)在數(shù)據(jù)手冊中標(biāo)出短路能力，大部分在5~10us之間，例如英飛凌IGBT3/4的短路時(shí)間是10us，IGBT7短路時(shí)間是8us。而大部分的 SiC MOSFET 都沒有標(biāo) 出短路能力，即使有，也比較短，例如英飛凌的CoolSiCTM MOSFET單管封裝器件標(biāo)稱短路時(shí)間是3us，EASY封裝器件標(biāo)
關(guān)鍵字： infineon MOSFET