ddr5 dram 文章 進(jìn)入ddr5 dram技術(shù)社區(qū)
DRAM下季度再漲5%,已連漲七季歷史最長
- DRAM嚴(yán)重供不應(yīng)求,三星明年首季再漲價(jià)3%至5%之后,SK海力士 下季也將漲價(jià)約5%,全球DRAM價(jià)格連續(xù)七季上揚(yáng),是歷來漲勢(shì)最久的一次。 業(yè)界解讀,三星、海力士下季漲價(jià)態(tài)度堅(jiān)決,等于向全球宣告,韓系大廠決定維持DRAM價(jià)格持穩(wěn)不墜的決心,消除外界認(rèn)為兩大韓廠打算調(diào)降售價(jià)格,防止中國DRAM競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手竄起的流言。 手機(jī)中國聯(lián)盟秘書長王艷輝認(rèn)為,有人說三星瘋狂擴(kuò)產(chǎn)存儲(chǔ)器是為了將中國存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)扼殺在萌芽,有點(diǎn)太看得起自己,雖然明年大陸存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)開始進(jìn)入試產(chǎn)階段,要與三星、海力士抗衡,至少還需要
- 關(guān)鍵字: DRAM NAND
三星增產(chǎn)重心為DRAM、NAND明年續(xù)旺?
- 明年NAND flash究竟是漲是跌,多空激烈爭(zhēng)辯。摩根士丹利(大摩)唱衰NAND flash的報(bào)告,開了第一槍 。 如今IHS Markit也跟進(jìn),預(yù)測(cè)明年NAND將供過于求。 但是美系外資力排眾議,高喊各方錯(cuò)看,明年NAND供應(yīng)將持續(xù)吃緊。 韓媒BusinessKorea 5日?qǐng)?bào)導(dǎo)(見此),IHS Markit報(bào)告預(yù)估,明年全球NAND flash供給將提高39.6%、至2,441億GB。 其中三星電子將帶頭增產(chǎn),預(yù)料供給將增39%至879億GB。 與此同時(shí),明年全球NAND需求提高36.7
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM
三星增產(chǎn)重心為DRAM、NAND明年續(xù)旺?
- 明年NAND flash究竟是漲是跌,多空激烈爭(zhēng)辯。摩根士丹利(大摩)唱衰NAND flash的報(bào)告,開了第一槍 。 如今IHS Markit也跟進(jìn),預(yù)測(cè)明年NAND將供過于求。 但是美系外資力排眾議,高喊各方錯(cuò)看,明年NAND供應(yīng)將持續(xù)吃緊。 韓媒BusinessKorea 5日?qǐng)?bào)導(dǎo)(見此),IHS Markit報(bào)告預(yù)估,明年全球NAND flash供給將提高39.6%、至2,441億GB。 其中三星電子將帶頭增產(chǎn),預(yù)料供給將增39%至879億GB。 與此同時(shí),明年全球NAND需求提高36.7
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM
Yole:供需失衡推動(dòng)存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲,市場(chǎng)年均增長9%
- 存儲(chǔ)器行業(yè)正處于強(qiáng)勁增長的階段。Yole在其《2017年存儲(chǔ)器封裝市場(chǎng)與技術(shù)》報(bào)告中預(yù)計(jì),2016~2022年整個(gè)存儲(chǔ)器市場(chǎng)的復(fù)合年增長率約為9%,到2022將達(dá)到1350億美元,DRAM和NAND市場(chǎng)份額合計(jì)約占95%。此外,供需失衡正推動(dòng)存儲(chǔ)器半導(dǎo)體芯片價(jià)格上漲,導(dǎo)致存儲(chǔ)器IDM廠商獲得創(chuàng)紀(jì)錄的利潤! 存儲(chǔ)器的需求來自各行各業(yè),特別是移動(dòng)和計(jì)算(主要是服務(wù)器)市場(chǎng)。平均而言,每部智能手機(jī)的DRAM內(nèi)存容量將增長三倍以上,預(yù)計(jì)到2022年將到6GB左右,而每部智能手機(jī)的NAND存儲(chǔ)器容量將增加
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 DRAM
紫光國芯:DRAM未來會(huì)考慮與長江存儲(chǔ)合作
- 紫光國芯日前在互動(dòng)平臺(tái)表示,公司西安子公司從事DRAM存儲(chǔ)器晶元的設(shè)計(jì),目前產(chǎn)品委托專業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來紫光集團(tuán)下屬長江存儲(chǔ)如果具備DRAM存儲(chǔ)器晶元的制造能力,公司會(huì)考慮與其合作。前不久,針對(duì)“存儲(chǔ)芯片行業(yè)增長很快,為什么西安紫光國芯的毛利率如此低?”的提問,紫光國芯副總裁杜林虎及董秘阮麗穎在與投資機(jī)構(gòu)進(jìn)行互動(dòng)問答時(shí)表示,西安紫光國芯從事DRAM存儲(chǔ)芯片的設(shè)計(jì)業(yè)務(wù),公司自身沒有制造環(huán)節(jié),但市場(chǎng)上DRAM的代工廠很少,特別是在市場(chǎng)需求旺盛的時(shí)期,公司由于規(guī)模較小,產(chǎn)能不好保證
- 關(guān)鍵字: 紫光國芯 DRAM
紫光國芯:DRAM未來會(huì)考慮與長江存儲(chǔ)合作
- 紫光國芯26日在互動(dòng)平臺(tái)表示,公司西安子公司從事DRAM存儲(chǔ)器晶元的設(shè)計(jì),目前產(chǎn)品委托專業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來紫光集團(tuán)下屬長江存儲(chǔ)如果具備DRAM存儲(chǔ)器晶元的制造能力,公司會(huì)考慮與其合作。 前不久,針對(duì)“存儲(chǔ)芯片行業(yè)增長很快,為什么西安紫光國芯的毛利率如此低?”的提問,紫光國芯副總裁杜林虎及董秘阮麗穎在與投資機(jī)構(gòu)進(jìn)行互動(dòng)問答時(shí)表示,西安紫光國芯從事DRAM存儲(chǔ)芯片的設(shè)計(jì)業(yè)務(wù),公司自身沒有制造環(huán)節(jié),但市場(chǎng)上DRAM的代工廠很少,特別是在市場(chǎng)需求旺盛的時(shí)期,公司由于規(guī)模較小,產(chǎn)
- 關(guān)鍵字: 紫光 DRAM
紫光國芯第四代DRAM芯片明年上市 北方華創(chuàng)搶占14nm設(shè)備市場(chǎng)
- 近兩日連續(xù)大漲的紫光國芯在接受數(shù)家機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示,前三季因研發(fā)投入加大及市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇,整體毛利率下降,導(dǎo)致業(yè)績下降。目前第四季度經(jīng)營好于預(yù)期,對(duì)全年業(yè)績估計(jì)相對(duì)樂觀,公司積極開拓集成電路業(yè)務(wù)市場(chǎng),營業(yè)收入穩(wěn)定增長。紫光國芯預(yù)計(jì),公司2017年全年凈利潤為2.35億元~3.36億元,上年同期為3.36億元,同比變動(dòng)-30%~0%。前三季度,紫光國芯實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入13.08億元,同比增長31.31%;凈利潤為2.13億元,同比下降22.912%。紫光國芯表示,公司FPGA產(chǎn)品目前處于研發(fā)投入階段,已投入自有
- 關(guān)鍵字: 紫光國芯 DRAM
數(shù)據(jù)中心需求熱,SK海力士第三季營收大幅增長30.1%
- 根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示,在北美數(shù)據(jù)中心的需求持續(xù)強(qiáng)勁,以及DRAM供給端產(chǎn)能與制程受限制下,并不能滿足整體服務(wù)器內(nèi)存市場(chǎng)需求,Server DRAM供不應(yīng)求的情形在第三季度更為顯著。受到平均零售價(jià)(Average Selling Price)墊高帶動(dòng),三大DRAM原廠第三季營收成長約25.2%。 DRAMeXchange分析師劉家豪指出,進(jìn)入第四季,在服務(wù)器出貨動(dòng)能不減的情況下,整體Server DRAM供不應(yīng)求的狀況將更為明顯,Server DRAM第四
- 關(guān)鍵字: SK海力士 DRAM
存儲(chǔ)器廠調(diào)漲DRAM合約價(jià) 明年Q1價(jià)格仍有望居高不下
- DRAM漲勢(shì)不斷,后遺癥逐步顯現(xiàn),渠道商表示,因存儲(chǔ)器漲幅過大,下游應(yīng)用端,尤其是筆電和部分智能手機(jī)等市場(chǎng),不堪侵蝕獲利,已開始朝降低搭載量抵制,加上部分新產(chǎn)量陸續(xù)在2019年產(chǎn)出,研判明年下半年,DRAM漲勢(shì)將止步,價(jià)格有下調(diào)壓力。 調(diào)研機(jī)構(gòu)研究報(bào)告顯示,三星、SK海力士及福建晉華、合肥睿力等公司的增產(chǎn)計(jì)劃,都為未來DRAM市場(chǎng)投下新變數(shù),明年DRAM產(chǎn)值雖仍可成長11.8%,但成長已低于今年的67.8%,到2019年,在新產(chǎn)能增加,重陷價(jià)格戰(zhàn)下,年產(chǎn)值將衰選25.9%,且預(yù)估有2年的殺戮戰(zhàn)。
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 DRAM
ddr5 dram介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條ddr5 dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)ddr5 dram的理解,并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)ddr5 dram的理解,并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473