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ST推出一款新的濾波和ESD保護(hù)二合一芯片

　　消費電子全球領(lǐng)先半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體推出一款新的濾波和ESD保護(hù)二合一芯片，新產(chǎn)品可以濾除手機(jī)產(chǎn)生的高頻干擾，讓便攜音樂播放器和功能手機(jī)輸出更為優(yōu)異的音質(zhì)。　　意法半導(dǎo)體的這款新器件是銷售量日益增長的音樂手機(jī)的理想選擇。市場調(diào)查公司iSuppli預(yù)測，到2010年，音樂手機(jī)的年銷售量將超過10億臺，占整個手機(jī)市場份額的90%以上。這款新器件還可以保護(hù)其它便攜音樂播放器，防止附近的手機(jī)產(chǎn)生的電磁干擾。　　新器件EMIF04-EAR02M8的尺寸為1.5 x 1.7mm，可以替代音樂播放器的
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高性能的便攜應(yīng)用ESD保護(hù)方案

　　隨著手機(jī)等便攜設(shè)備中具備更多的功能，可供靜電放電(ESD)電壓進(jìn)入的潛在輸入輸出(I/O)通道更趨眾多，包括鍵盤、按鍵、SIM卡、電池充電、USB接口、FM天線、LCD顯示屏、耳機(jī)插孔、FM天線等眾多位置都需要ESD保護(hù)。根據(jù)電容及數(shù)據(jù)率的不同，便攜設(shè)備的ESD保護(hù)應(yīng)用領(lǐng)域可分為大功率、高速和極高速等三個類型，其電容分別為大于30 pF、介于1至30 pF之間和小于1 pF，參見表1。由此表中可見，速度越高的應(yīng)用要求的電容也越低，這是因為高速應(yīng)用中更需要維持信號完整性及降低插入損耗。　　表1：便攜
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安森美半導(dǎo)體推出兩款靜電放電保護(hù)器件

　　全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體推出兩款采用最新的超小型0201雙硅片無引腳(Dual Silicon No-Lead ，DSN-2)封裝的靜電放電(ESD)保護(hù)器件。這DSN型封裝尺寸僅為 0.6 mm x 0.3 mm x 0.3 mm，令工作的硅片百分之百地利用封裝面積，與采用塑模封裝的產(chǎn)品相比，提供顯著的性能/電路板面積比優(yōu)勢。　　安森美半導(dǎo)體采用這新型封裝的首批產(chǎn)品是ESD11N5.0ST5G和ESD11B5.0ST5G，擴(kuò)展了公司高性能片外ESD保護(hù)產(chǎn)品系列。安森美
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飛思卡爾系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片簡化并幫助保護(hù)汽車網(wǎng)絡(luò)

　　LIN(Local Interconnect Network)是基于通用異步收發(fā)器(UART)的串行通信協(xié)議作為一種低成本的串行通訊網(wǎng)絡(luò)，用于實現(xiàn)汽車中的分布式電子系統(tǒng)控制，LIN為現(xiàn)有汽車網(wǎng)絡(luò)(例如CAN總線)提供輔助功能，LIN網(wǎng)絡(luò)為電機(jī)、開關(guān)、傳感器和燈的連接提供了經(jīng)濟(jì)高效的單線主從架構(gòu)。　　為了保護(hù)運(yùn)行在惡劣環(huán)境中的汽車電子組件，飛思卡爾半導(dǎo)體近日推出了先進(jìn)系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片(SBC)系列，旨在為LIN汽車網(wǎng)絡(luò)提供強(qiáng)勁的電磁兼容性(EMC)和靜電放電(ESD)性能。　　針對汽車電子應(yīng)用市場對
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安森美推出共模扼流圈及靜電放電(ESD)保護(hù)IC

　　安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出業(yè)界首款共模扼流圈及靜電放電(ESD)保護(hù)集成電路(IC) ，應(yīng)用于高速數(shù)據(jù)線路。　　新的NUC2401MN結(jié)合了高帶寬差分濾波、固體共模停止帶寬衰減及世界級ESD保護(hù)。這些結(jié)合的特性，使這方案遠(yuǎn)優(yōu)于典型的電磁干擾(EMI)濾波器及分立可選方案，同時有助顯著減少元件數(shù)量。這器件讓設(shè)計人員實現(xiàn)優(yōu)異的濾波及保護(hù)性能，且節(jié)省空間及成本，并提高總體可靠性，非常適用于基于高速差分?jǐn)?shù)據(jù)線路的廣泛應(yīng)用，包括USB 2.0、IEEE1394、低壓差分信令(L
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技術(shù)降成本創(chuàng)新求發(fā)展

電子元件技術(shù)網(wǎng)(www.cntronics.com)攜手中國電子展將在4月9日-4月10日在深圳會展中心舉辦三大技術(shù)和采購研討會及峰會，主題為：技術(shù)降成本，創(chuàng)新求發(fā)展。　　金融海嘯席卷全球，中國的電子制造業(yè)也受到不同程度的影響。今天的設(shè)計活動是明天的晴雨表,知道了產(chǎn)品的趨勢和技術(shù)應(yīng)用的趨勢可以預(yù)測市場的變化。市場不好，研發(fā)更不能停。電子元件技術(shù)網(wǎng)CEO劉杰博士（Michael Liu）認(rèn)為經(jīng)濟(jì)下坡時，市場受信心的影響
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探索供應(yīng)電源關(guān)閉時的‘Off-amps’問題

除了靜電放電(ESD)測試以外，放大器的所有特性都是以電源開啟的狀態(tài)下所呈現(xiàn)的，因此，當(dāng)電源供應(yīng)關(guān)閉時，放大器所 ...
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在PCB板的設(shè)計當(dāng)中抗ESD的方法與分析

*在卡的邊緣上放置安裝孔,安裝孔周圍用無阻焊劑的頂層和底層焊盤連接到機(jī)箱地上。*在卡的頂層和底層靠近安...
關(guān)鍵字： ESD 機(jī)箱接收電路信號線 PCB板 CMOS器件放電極旁路電容驅(qū)動信號共模

可靠性工程——關(guān)于電子設(shè)備靜電放電(ESD)防護(hù)的設(shè)計原則

0 引言　　靜電是物體表面的靜止電荷。物體在接觸、摩擦、分離、電解等過程中，發(fā)生電子或離子的轉(zhuǎn)移，正電荷和負(fù)電荷在局部范圍內(nèi)失去平衡，就形成了靜電。當(dāng)物體表面的靜電場梯度達(dá)到一定的程度，正電荷和負(fù)電荷發(fā)生中和，就出現(xiàn)了靜電放電(ESD)。靜電放電可以出現(xiàn)在兩個物體之間，也可由物體表面經(jīng)電荷直接向空氣放電。 l 靜電放電的危害　　靜電作為一種普遍物理現(xiàn)象，近十多年來伴隨著集成電路的飛速發(fā)展和高分子材料的廣泛應(yīng)用，靜電的作用力、放電和感應(yīng)現(xiàn)象引起的危害十分嚴(yán)重，美國統(tǒng)計，美國電子行業(yè)部門每年因靜電危
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CMOS集成電路中ESD保護(hù)技術(shù)研究

　　靜電在芯片的制造、封裝、測試和使用過程中無處不在，積累的靜電荷以幾安培或幾十安培的電流在納秒到微秒的時間里釋放，瞬間功率高達(dá)幾百千瓦，放電能量可達(dá)毫焦耳，對芯片的摧毀強(qiáng)度極大。所以芯片設(shè)計中靜電保護(hù)模塊的設(shè)計直接關(guān)系到芯片的功能穩(wěn)定性，極為重要。隨著工藝的發(fā)展，器件特征尺寸逐漸變小，柵氧也成比例縮小。二氧化硅的介電強(qiáng)度近似為8×106V／cm，因此厚度為10 nm的柵氧擊穿電壓約為8 V左右，盡管該擊穿電壓比3.3 V的電源電壓要高一倍多，但是各種因素造成的靜電，一般其峰值電壓遠(yuǎn)超過8 V
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安森美半導(dǎo)體專家在靜電放電保護(hù)技術(shù)研討會作主題報告

　　2008年11月4日 – 全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅解決方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN)今日在臺北舉行的第七屆靜電放電保護(hù)技術(shù)研討會上，針對如何防止靜電放電(ESD) 所帶來的損失，從元件、制造和系統(tǒng)三個層級的技術(shù)面加以探討，為業(yè)界提供實質(zhì)建議。要有效降低ESD所帶來的損害，除了可選擇在制程中直接控制ESD之外，也可以在電子元件中加強(qiáng)抵抗ESD的裝置。安森美半導(dǎo)體長期投入于研發(fā)ESD保護(hù)技術(shù)，通過先進(jìn)的ESD保護(hù)技術(shù)和完整的產(chǎn)品系列
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汽車電子引爆無源器件發(fā)展新高潮

　　在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為IC領(lǐng)域的45nm、多核技術(shù)的飛速發(fā)展所吸引時，一向波瀾不驚的無源器件在汽車電子的推動下正暗流涌動，7月31日，TDK宣布收購EPCOS，劍指汽車電子領(lǐng)域。而村田，也在7月拉開了中國九城市汽車技術(shù)研討會的序幕。汽車電子給無源器件提出哪些新的需求？無源器件在這些新需求下出現(xiàn)什么新的變化？中國汽車電子設(shè)計工程師在無源器件的應(yīng)用上應(yīng)該注意什么？來自全球主要無源器件供應(yīng)商將為你解讀無源器件在汽車電子應(yīng)用上的未來與新技術(shù)。　　汽車電子如何推動無源器件發(fā)展　　隨著汽車電子化、
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手機(jī)中ESD和EMI干擾

　　這篇文章簡要地探討了手機(jī)音頻系統(tǒng)中ESD及EMI的起因及結(jié)果。接著研討了ESD干擾抑制器和EMI濾波器的使用，以避免這些威脅。最后，比較了當(dāng)前三種解決方案。　　現(xiàn)代材料和技術(shù)引起靜電放電(ESD)和電磁干擾(EMI)，并成為經(jīng)常存在的危險。我們的穿著和我們接觸的物品會引起靜電放電。數(shù)字技術(shù)已有電磁干擾。靜電放電會破壞手機(jī)里的電子部件。手機(jī)容易替換，但對用戶的傷害很大。手機(jī)電路設(shè)計者必須確保采取必要的措施，以消除ESD的破壞。　　在音頻電路中如有電磁干擾(EMI)，會出現(xiàn)嘶嘶、噼
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便攜式設(shè)備高速端口的ESD防護(hù)

　　在高速數(shù)據(jù)率下，低電容 ESD 保護(hù)對于保持 USB 2.0、IEEE 1394 以及 ITV操作中使用的 DVI和HDMI 協(xié)議的數(shù)據(jù)完整性是很關(guān)鍵的。　　全世界有數(shù)百萬的家庭都已經(jīng)在通過衛(wèi)星電視、有線電視以及陸地廣播享用互動式電視 (ITV)服務(wù) 。借助于計算機(jī)技術(shù)，ATSC ACAP協(xié)議正在通過數(shù)據(jù)廣播 (PC 下載) 以及實時互動應(yīng)用服務(wù)成為富有生命力的廣播服務(wù)。　　隨著這些行業(yè)的匯聚聯(lián)合，制造商必須對設(shè)備需求作出響應(yīng)，以便容納更高的數(shù)據(jù)率以及符合當(dāng)前和擬議中的通信需求。另外，保護(hù)昂貴
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Vishay 推出高性能、超小型4 線ESD保護(hù)陣列

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出最新小型 4 線 ESD 保護(hù)陣列 --- VBUS054CV-HS3，該器件可在高浪涌電流情況下提供低電容，以保護(hù)兩個高速 USB 端口或四個其它高頻信號線，以免它們受到瞬態(tài)電壓信號的損壞。　　VBUS054CV-HS3 采用占位面積為 1.6mm×1.6mm 且具有 0.75mm 超薄厚度的無鉛 LLP75 封裝，可將眾多便攜式電子設(shè)備中的有源 ESD 保護(hù)所需的板面空間縮減至最小，這些系統(tǒng)包括便攜式與手持式計算、通
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