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          AI推動SK海力士DRAM市場份額達(dá)到有史以來最高水平
          
                                                            
            
                    	
          • 據(jù)外媒報道，在OpenAI訓(xùn)練的人工智能聊天機器人ChatGPT大火，谷歌等一眾科技巨頭紛紛加入生成式人工智能和大型語言模型的賽道之后，外媒就預(yù)計對AI服務(wù)器的需求將大幅增加，高性能GPU、高帶寬存儲器的需求也將隨之增加，半導(dǎo)體行業(yè)的多家廠商，將迎來新的發(fā)展機遇。市場研究公司Omdia的最新分析顯示，存儲芯片廠商SK海力士就已從人工智能應(yīng)用需求增加中獲益，他們?nèi)径仍谌駾RAM市場的份額達(dá)到了35%，占據(jù)了超過三分之一的份額。也是SK海力士自成立以來，在全球DRAM市場份額最高的一個季度。由于生成式人工
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          • 關(guān)鍵字：
                        AI  SK海力士  DRAM                          
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          存儲市場前瞻：DDR5 需求顯著增長、AI 崛起讓手機內(nèi)存邁入 20GB 時代
          
                                                            
            
                    	
          • IT之家?11 月 24 日消息，由于廠商減產(chǎn)的效果逐漸顯現(xiàn)，以及特定應(yīng)用市場的持續(xù)強勁需求，DRAM 和 NAND 閃存價格在 2023 年第 4 季度呈現(xiàn)全面上漲，并有望持續(xù)到明年第 1 季度。集邦咨詢分析預(yù)估，2023 年第 4 季度移動 DRAM 合約價格預(yù)計上漲 13-18%，而 eMMC 和 UFS NAND Flash 合約預(yù)計上漲約 10-15%，上漲趨勢會持續(xù)到 2024 年第 1 季度。移動 DRAM：根據(jù)國外科技媒體 WccFtech 報道，2024 年手機的一個明顯變化是
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          • 關(guān)鍵字：
                        閃存  DRAM  NAND                          
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          美光率先為業(yè)界伙伴提供基于32Gb單裸片DRAM的高速率、低延遲128GB大容量RDIMM內(nèi)存
          
                                                            
            
                    	
          • Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布領(lǐng)先業(yè)界推出基于?32Gb?單裸片的128GB DDR5 RDIMM?內(nèi)存，具有高達(dá)?8,000 MT/s?速率的一流性能，可支持當(dāng)前及未來的數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載。該款大容量、高速率內(nèi)存模塊特別針對數(shù)據(jù)中心和云環(huán)境中廣泛的任務(wù)關(guān)鍵型應(yīng)用，例如人工智能?(AI)、內(nèi)存數(shù)據(jù)庫?(IMDB)?以及需要對多線程、多核通用計算工作負(fù)載進(jìn)行高效處理的場景，滿足它們對
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          • 關(guān)鍵字：
                        美光  DRAM  128GB  RDIMM內(nèi)存                          
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          芯片設(shè)計中，DRAM 類型的選擇正在變復(fù)雜
          
                                                            
            
                    	
          • 選擇越多，選擇越難。
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          • 關(guān)鍵字：
                        DRAM                          
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          市況好轉(zhuǎn) 內(nèi)存廠Q3獲利嗨
          
                                                            
            
                    	
          • NAND Flash現(xiàn)貨價于8月中旬反彈，DRAM價格也在9月開始回升，內(nèi)存市況確立好轉(zhuǎn)，帶動內(nèi)存族群獲利能力普遍呈現(xiàn)攀升。觀察第三季內(nèi)存族群財報，內(nèi)存制造大廠包括南亞科、旺宏及華邦電仍呈小幅虧損；內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見、威剛、廣穎、品安、宇瞻單季每股稅后純益（EPS）皆有1元以上，宜鼎及群聯(lián)單季EPS更分別有3、4元以上亮眼成績。另從毛利率、營利率及稅后純益率三大財務(wù)指標(biāo)來看，第三季財報數(shù)字呈現(xiàn)「三率三升」的內(nèi)存廠商，則有創(chuàng)見、威剛、十銓、廣穎、宜鼎、品安，財務(wù)成績表現(xiàn)亮眼。此外，威剛14日公告10月自結(jié)財務(wù)數(shù)
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          • 關(guān)鍵字：
                        內(nèi)存  ?NAND Flash  DRAM                          
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          2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&東芯半導(dǎo)體股份有限公司
          
                                                            
            
                    	
          • 在本次展會上，東芯半導(dǎo)體也來到了EEPW的直播間。東芯半導(dǎo)體股份有限公司成立于2014年，作為Fabless芯片企業(yè)，東芯半導(dǎo)體擁有獨立自主的知識產(chǎn)權(quán)，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研發(fā)、設(shè)計和銷售，是目前國內(nèi)少數(shù)可以同時提供NAND/NOR/DRAM設(shè)計工藝和產(chǎn)品方案的存儲芯片研發(fā)設(shè)計公司。2022年EEPW曾有幸采訪過東芯半導(dǎo)體副總經(jīng)理陳總，這次在2023年慕尼黑華南電子展上，陳總向我們介紹了東芯半導(dǎo)體這次在展會上帶來了全線的產(chǎn)品，包括了NAND/NOR/DRAM。目前東芯在NAND 
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          • 關(guān)鍵字：
                        東芯半導(dǎo)體  NAND  NOR  DRAM  存儲                          
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          預(yù)估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合約價均上漲
          
                                                            
            
                    	
          • 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究顯示，第四季Mobile DRAM合約價季漲幅預(yù)估將擴大至13~18%。NAND 
Flash方面，eMMC、UFS第四季合約價漲幅約10~15%；由于Mobile 
DRAM一直以來獲利表現(xiàn)均較其他DRAM產(chǎn)品低，因此成為本次的領(lǐng)漲項目。季漲幅擴大包括幾個原因，供應(yīng)方面：三星擴大減產(chǎn)、美光祭出逾20%的漲幅等，持續(xù)奠定同業(yè)漲價信心的基礎(chǔ)。需求方面：2023下半年Mobile
 DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）除了受傳統(tǒng)旺季帶動，華為Mate 
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          • 關(guān)鍵字：
                        Mobile DRAM  NAND Flash  TrendForce                          
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          通脹沖擊消費電子終端買氣，2022年DRAM模組廠營收年減4.6%
          
                                                            
            
                    	
          • 受高通脹沖擊消費電子產(chǎn)品買氣影響，據(jù)TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計，2022年全球DRAM模組市場整體銷售額173億美元，年衰退約4.6%；其中各模組廠因供應(yīng)的領(lǐng)域不同，使得各家營收表現(xiàn)差異較大。TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計，2022年全球前五大存儲器模組廠占整體銷售額90%；前十名則合計囊括全球模組市場的96%營業(yè)額，其中Kingston（金士頓）的市占達(dá)78%，雖營收小幅下跌，仍維持全球第一。盡管終端市場需求不佳，但基于Kingston品牌規(guī)模，加上完整的產(chǎn)品供應(yīng)鏈，使得其營收衰退幅度較小，僅衰
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          • 關(guān)鍵字：
                        消費電子  DRAM  模組                          
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          三星、SK海力士拿到無限期豁免權(quán)
          
                                                            
            
                    	
          • 10月9日，韓國總統(tǒng)辦公室通報，美國目前已做出決定 —— 在無需單獨批準(zhǔn)的情況下，三星和SK海力士可以向中國工廠提供半導(dǎo)體設(shè)備，該決定一經(jīng)通報即生效。據(jù)悉，無限期豁免將通過更新Validated End-User（VEU）清單來取得。若被納入該清單，便無需額外獲得許可，代表美國出口管制的適用性實際上是被無限期暫停。三星在一份聲明中表示，“通過與相關(guān)政府的密切協(xié)調(diào)，與我們在中國的半導(dǎo)體生產(chǎn)線運營有關(guān)的不確定性已大大消除?！盨K海力士則表示，“我們歡迎美國政府決定延長對出口管制規(guī)定的豁免。我們相信，這一決定將
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          • 關(guān)鍵字：
                        三星  SK海力士  NAND  DRAM  半導(dǎo)體設(shè)備                          
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          存儲芯片，果真回暖了
          
                                                            
            
                    	
          • 受需求放緩、供應(yīng)增加、價格競爭加劇等因素影響，存儲芯片的價格在 2022 年最后兩個季度均出現(xiàn)暴跌。根據(jù) TrendForce 的最新數(shù)據(jù)顯示，DRAM 的平均價格繼 2022 年第三季度暴跌 31.4% 之后，在第四季度的跌幅擴大到了 34.4%。今年 Q1，DRAM 均價跌幅收斂至 13%～18%，Q2 DRAM 價格跌幅收窄至 10% 到 15%。與 DRAM 市況相似，NAND 閃存的市場需求也大幅下滑。2022 年 Q3 和 Q4 NAND Flash 價格跌幅均超過 20%，今年 Q1 NAN
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          • 關(guān)鍵字：
                        NAND  SSD  DRAM                          
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          1γ DRAM、321 層 NAND: 主流廠商新一輪裝備競賽已拉開帷幕
          
                                                            
            
                    	
          • IT之家 10 月 10 日消息，閃存市場固然存在全球經(jīng)濟(jì)下行、高通脹等諸多因素影響，依然處于充滿挑戰(zhàn)的時期，但美光、三星等 DRAM 巨頭正積極備戰(zhàn) 1γ DRAM 技術(shù)。圖源：SK 海力士DRAM目前全球最先進(jìn)的 DRAM 工藝發(fā)展到了第五代，美光將其稱為 1β DRAM，而三星將其稱為 1b DRAM。美光于去年 10 月開始量產(chǎn) 1β DRAM，不過研發(fā)的目標(biāo)是在 2025 年量產(chǎn) 1γ DRAM，這將標(biāo)志著美光首次涉足極紫外 (EUV) 光刻技術(shù)。而三星計劃 2023 年邁入 1b D
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          • 關(guān)鍵字：
                        DRAM  閃存                          
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          1γ DRAM、321層NAND！存儲大廠先進(jìn)技術(shù)競賽仍在繼續(xù)
          
                                                            
            
                    	
          • 盡管由于經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)、高通貨膨脹影響，存儲產(chǎn)業(yè)身處下行周期，但存儲大廠對于先進(jìn)技術(shù)的競賽仍在繼續(xù)。對DRAM芯片而言，先進(jìn)制程意味著高能效與高容量，以及更好的終端使用體驗。當(dāng)前，DRAM先進(jìn)制程工藝——10nm級別目前來到了第五代，美光稱之為1β DRAM，三星稱之為1b DRAM。美光去年10月開始量產(chǎn)1β DRAM之后，計劃于2025年量產(chǎn)1γ 
DRAM，這將是美光第1代采用極紫外光（EUV）的制程技術(shù)，目前在美光只在臺中有EUV的制造工廠，因此1γ制程勢必會先在臺中廠量產(chǎn)，未來日本廠也有望導(dǎo)入EUV
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          • 關(guān)鍵字：
                        DRAM  NAND  存儲                          
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          面對美國的護(hù)欄最終規(guī)則，韓國半導(dǎo)體公司被建議改變中國市場戰(zhàn)略
          
                                                            
            
                    	
          • 面對美國的護(hù)欄最終規(guī)則，韓國半導(dǎo)體公司被建議改變中國市場戰(zhàn)略據(jù)韓國新聞媒體報道，隨著拜登政府最終確定CHIPS和《CHIPS法案》（CHIPS法案）資金分配和限制的國家安全護(hù)欄，韓國半導(dǎo)體公司可能不得不改變他們在中國的業(yè)務(wù)，并利用其在那里的成熟節(jié)點能力來針對國內(nèi)需求的產(chǎn)品。關(guān)于最終規(guī)則對三星和SK海力士的影響，人們有不同的意見。但有一點是肯定的：希望獲得CHIPS法案資助的公司在美國擴大產(chǎn)能的公司將不得不接受拜登政府設(shè)定的條件，并在未來10年內(nèi)避免在中國進(jìn)行實質(zhì)性產(chǎn)能擴張。商務(wù)部的新聞稿顯示，補貼接受者在
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          • 關(guān)鍵字：
                        CHIPS法案  韓國半導(dǎo)體  DRAM  NAND                          
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          集邦咨詢：2023Q4 NAND 價格預(yù)估增長 3-8%，DRAM 要開啟增長周期
          
                                                            
            
                    	
          • IT之家 9 月 27 日消息，存儲制造商在經(jīng)歷了有史以來最長的下降周期之后，終于看到了 DRAM 市場復(fù)蘇的希望。根據(jù)集邦咨詢報道，伴隨著主要存儲制造商的持續(xù)減產(chǎn)，已經(jīng)市場去庫存效果顯現(xiàn)，預(yù)估 NAND Flash 價格回暖之后，DRAM 價格也會上漲。NAND 閃存供應(yīng)商為減少虧損，2023 年以來已經(jīng)進(jìn)行了多次減產(chǎn)，目前相關(guān)效果已經(jīng)顯現(xiàn)，消息稱 8 月 NAND Flash 芯片合約價格出現(xiàn)反彈，9 月繼續(xù)上漲。行業(yè)巨頭三星繼續(xù)減產(chǎn)，主要集中在 128 層以下產(chǎn)品中，在 9 月產(chǎn)量下降了 
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          • 關(guān)鍵字：
                        存儲  DRAM  NAND Flash                          
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          為什么消費類DRAM無法滿足工業(yè)應(yīng)用需求？
          
                                                            
            
                    	
          • 消費類DRAM廣泛普及，而且往往物美價廉。然而，這些表面上的好處掩蓋了消費類DRAM 在工業(yè)應(yīng)用中的真正危險和缺陷。在本文中，我們將探討消費類DRAM和工業(yè)DRAM之間的差異，并揭示不正確使用DRAM的風(fēng)險。固定BOM的重要性消費類 DRAM 模塊沒有固定的 BOM（物料清單）；這意味著模塊中使用的材料可能會發(fā)生變化，而且經(jīng)常會在用戶未知的情況下發(fā)生變化，另外用戶可能會在一月份訂購兩個 DIMM 用于測試，在三月份再訂購五百個用于生產(chǎn)，但無法保證一月份訂購的模塊與三月份訂購的模塊包含相同的材料。即使是物料
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          • 關(guān)鍵字：
                        innodisk  DRAM                          
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