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日韓貿(mào)易戰(zhàn)與東芝跳電影響DRAM/NAND短期價(jià)格走勢，長期須關(guān)注原廠庫存水位
- Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，繼6月中旬東芝斷電事件后，日本政府近日宣布從7月4日起，開始管控向南韓出口3種生產(chǎn)半導(dǎo)體、智能手機(jī)與面板所需的關(guān)鍵材料，造成存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)下游模組廠出現(xiàn)提高報(bào)價(jià)狀況，然而，由于目前DRAM和NAND Flash庫存水位仍高，加上并非完全禁止原物料出貨，僅是申請流程延長，短期結(jié)構(gòu)性供需反轉(zhuǎn)的可能性低。日韓貿(mào)易戰(zhàn)的爆發(fā)使得業(yè)界盛傳存儲(chǔ)器價(jià)格將反轉(zhuǎn)，集邦咨詢分析指出，因DRAM價(jià)格已歷經(jīng)連續(xù)三個(gè)季度快速下滑，下游
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國際半導(dǎo)體遭遇寒冬 中國存儲(chǔ)方隊(duì)逆勢擴(kuò)張
- 在中美貿(mào)易摩擦有所緩和之際，日前紫光集團(tuán)宣布組建DRAM集團(tuán)，讓市場注意力集中到國內(nèi)存儲(chǔ)器布局上。當(dāng)前國際存儲(chǔ)寡頭壟斷的格局下，國內(nèi)存儲(chǔ)方隊(duì)既要面對技術(shù)、團(tuán)隊(duì)等方面的疊代差距，又要面對當(dāng)前國際半導(dǎo)體市場勢弱，存儲(chǔ)大幅降價(jià)的風(fēng)險(xiǎn)，迎難而上，逆勢擴(kuò)張?！ H半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)降溫 6月30日晚間，紫光集團(tuán)宣布了組建DRAM事業(yè)群的計(jì)劃，并配套部署人事安排，深化和完善紫光集團(tuán)“從芯到云”產(chǎn)業(yè)鏈的建設(shè)。而如果放眼國際，此時(shí)紫光集團(tuán)布局DRAM可謂迎難而上，逆勢擴(kuò)張?！ ?jù)美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)官網(wǎng)最新統(tǒng)計(jì)，5月全球半
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MRAM技術(shù)新突破！臺(tái)灣清大團(tuán)隊(duì)發(fā)表新磁性翻轉(zhuǎn)技術(shù)
- 全球各半導(dǎo)體大廠如三星、東芝、英特爾等摩拳擦掌競相投入磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)，準(zhǔn)備在后摩爾定律世代一較高下。臺(tái)灣清華大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)最新發(fā)表以自旋流操控鐵磁-反鐵磁納米膜層的磁性翻轉(zhuǎn)，研究成果已于今年2月19日刊登于材料領(lǐng)域頂尖期刊《自然材料》(NatureMaterials)。 MRAM為非揮發(fā)性存儲(chǔ)器技術(shù)，斷電時(shí)利用納米磁鐵所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)流失，是“不失憶”的存儲(chǔ)器。其結(jié)構(gòu)如三明治，上層是自由翻轉(zhuǎn)的鐵磁層，可快速處理數(shù)據(jù)，底層則是釘鎖住的鐵磁層，可用作存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，兩層中則有氧化層隔開。 其
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集邦咨詢：DRAM均價(jià)受庫存尚未去化完成影響，跌勢恐將持續(xù)至下半年
- Mar. 25, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，受庫存過高影響，DRAM第一季合約價(jià)跌幅持續(xù)擴(kuò)大，整體均價(jià)已下跌逾20%。然而價(jià)格加速下跌并未刺激需求回溫，預(yù)計(jì)在庫存尚未去化完成的影響下，DRAM均價(jià)跌勢恐將持續(xù)至第三季。 根據(jù)DRAMeXchange調(diào)查，DRAM供應(yīng)商累積的庫存水位在第一季底已經(jīng)普遍超過六周 (含wafer bank)，而買方的庫存水位雖受到不同產(chǎn)品別的影響略有增減，但平均至少達(dá)五周，在服務(wù)器以及PC客戶端甚至超過七周?！ ∵M(jìn)
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中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨瓶頸，因素在于美國管制與韓國壟斷
- 根據(jù)韓國媒體《BusinessKorea》的報(bào)導(dǎo)指出，中國一直企望發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，但在近期受到韓國存儲(chǔ)器大廠三星與SK海力士在市場壟斷與持續(xù)技術(shù)精進(jìn)下，加上美國對知識(shí)產(chǎn)權(quán)的嚴(yán)密保護(hù)，其目的將難以達(dá)成。 報(bào)導(dǎo)指出，2018年10月份，在中國NANDFlash快閃存儲(chǔ)器技術(shù)上領(lǐng)先的長江存儲(chǔ)(YMTC)發(fā)布了自行研發(fā)的32層堆疊產(chǎn)品之后，當(dāng)時(shí)就宣布將在2020年時(shí)跳過64層及96層堆疊的產(chǎn)品，直接發(fā)展128層堆疊的產(chǎn)品。由于韓國的存儲(chǔ)器龍頭廠三星，早在2014年就已經(jīng)推出了32層堆疊的NANDFlash快
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DRAM價(jià)格暴跌 韓國前景“一片烏云”
- 根據(jù)據(jù)韓媒《韓鮮日報(bào)》報(bào)導(dǎo)，DRAM的價(jià)格接連下跌，零售的計(jì)算機(jī)用DRAM價(jià)格最終也下跌到5萬韓元以下，這樣的走勢比預(yù)期要快許多，預(yù)計(jì)今年出口的前景也不樂觀?！ ≡陧n國電子產(chǎn)品價(jià)格比較網(wǎng)“Danawa”上，本月6日三星電子DDR48GBPC4-21300DRAM價(jià)格是4萬8900韓元，已經(jīng)下跌到5萬韓元以下，與去年4月9萬9270韓元的高點(diǎn)相比下跌了50.7%?！ 2B(企業(yè)間交易)市場價(jià)格指標(biāo)也呈暴跌的趨勢，據(jù)市調(diào)公司DRAMeXchange指出，2月底的DDR48Gb的固定交易價(jià)格是比起今年1月
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DRAM大幅跌價(jià) 三星的半導(dǎo)體老大位置懸了
- 據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange公布的調(diào)查報(bào)告指，今年以來DRAM內(nèi)存價(jià)格大幅下跌，其估算一季度的跌幅從預(yù)期的25%擴(kuò)大至30%，這對于依靠存儲(chǔ)芯片取得了全球半導(dǎo)體老大位置的三星來說顯然不是好消息，其或因存儲(chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)下跌導(dǎo)致位置不保?！ 〈鎯?chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)上漲助三星取代Intel 自2016年以來，受PC、智能手機(jī)等產(chǎn)品對存儲(chǔ)芯片需求不斷擴(kuò)大，PC正將機(jī)械硬盤轉(zhuǎn)換為速度更快的SSD硬盤、DRAM內(nèi)存的容量在不斷增大，智能手機(jī)的閃存和內(nèi)存容量也在不斷擴(kuò)大，存儲(chǔ)芯片價(jià)格進(jìn)入了快速上漲的階段?！ ∽鳛?/li>
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集邦咨詢：第一季DRAM合約價(jià)大幅下修，創(chuàng)8年以來最大跌幅
- Mar. 5, 2019 ---- 根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查，由于供過于求的市況，DRAM產(chǎn)業(yè)大部分交易已經(jīng)改為月結(jié)價(jià)(Monthly Deals)，2月份更罕見出現(xiàn)價(jià)格大幅下修。目前季跌幅從原先預(yù)估的25%調(diào)整至逼近30%，是繼2011年以來單季最大跌幅?！ RAMeXchange指出，從市場面來觀察，整體合約價(jià)自去年第四季開始下跌，隨后庫存水位持續(xù)攀升。近期DRAM原廠庫存(含wafer bank)普遍來到至少一個(gè)半月的高水位。同時(shí)，Intel低
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