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全球汽車(chē)半導(dǎo)體行業(yè)將以每年10%的速度增長(zhǎng)
- 12月22日消息，據(jù)報(bào)道，Adroit Market Research預(yù)計(jì)，全球汽車(chē)半導(dǎo)體行業(yè)將以每年10%的速度增長(zhǎng)，到2032年將達(dá)到1530億美元，2023年至2032年復(fù)合年增長(zhǎng)率 (CAGR) 為10.3%。報(bào)告顯示，半導(dǎo)體器件市場(chǎng)將從2022年的$43B增長(zhǎng)到2028年的$84.3B，復(fù)合年增長(zhǎng)率高達(dá)11.9%。目前的市場(chǎng)表明，到2022年，每輛汽車(chē)的半導(dǎo)體器件價(jià)值約為540美元，在ADAS、電氣化等汽車(chē)行業(yè)大趨勢(shì)下，到2028年，該數(shù)字將增長(zhǎng)至約912美元。電動(dòng)化和ADAS是技術(shù)變革的主要驅(qū)
- 關(guān)鍵字： 汽車(chē)電子 半導(dǎo)體 ADAS 碳化硅 DRAM MCU
DRAM / NAND 巨頭明年加碼半導(dǎo)體投資：三星增加 25%、SK 海力士增加 100%
- IT之家 12 月 21 日消息，根據(jù)韓媒 ETNews 報(bào)道，三星和 SK 海力士都計(jì)劃 2024 年增加半導(dǎo)體設(shè)備投資。三星計(jì)劃投資 27 萬(wàn)億韓元（IT之家備注：當(dāng)前約 1482.3 億元人民幣），比 2023 年投資預(yù)算增加 25%；而 SK 海力士計(jì)劃投資 5.3 萬(wàn)億韓元（當(dāng)前約 290.97 億元人民幣），比今年的投資額增長(zhǎng) 100%。報(bào)道中指出，三星和 SK 海力士在增加半導(dǎo)體設(shè)備投資之外，還提高了 2024 年的產(chǎn)能目標(biāo)。報(bào)道稱三星將 DRAM 和 NAND
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ) DRAM NAND Flash
集邦咨詢稱 2024Q1 手機(jī) DRAM、eMMC / UFS 均價(jià)環(huán)比增長(zhǎng) 18-23%
- IT之家 12 月 20 日消息，集邦咨詢近日發(fā)布報(bào)告，預(yù)估 2024 年第 1 季度 Mobile DRAM 及 NAND Flash（eMMC / UFS）環(huán)比增長(zhǎng) 18-23%，而且不排除進(jìn)一步拉高的情況。集邦咨詢表示 2024 年第 1 季中國(guó)智能手機(jī) OEM 的生產(chǎn)規(guī)劃依然穩(wěn)健，由于存儲(chǔ)器價(jià)格漲勢(shì)明確，帶動(dòng)買(mǎi)方積極擴(kuò)大購(gòu)貨需求，以建設(shè)安全且相對(duì)低價(jià)的庫(kù)存水位。集邦咨詢認(rèn)為買(mǎi)賣(mài)雙方庫(kù)存降低，加上原廠減產(chǎn)效應(yīng)作用，這兩大因素促成這一波智能手機(jī)存儲(chǔ)器價(jià)格的強(qiáng)勁漲勢(shì)。集邦咨詢認(rèn)為明年第 1 季
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ) DRAM NAND Flash
DRAM掀起新一輪熱潮，封裝技術(shù)發(fā)揮關(guān)鍵作用
- 處理器，無(wú)論是 CPU、GPU、FPGA，還是 NPU，要想正常運(yùn)行，都離不開(kāi) RAM，特別是 DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），它已經(jīng)成為各種系統(tǒng)（PC，手機(jī)，數(shù)據(jù)中心等）中內(nèi)存的代名詞。根據(jù)應(yīng)用不同，系統(tǒng)對(duì)芯片面積和功耗有不同要求，因此，DRAM 被分成標(biāo)準(zhǔn) DDR（雙倍數(shù)據(jù)速率）、LPDDR、GDDR 等，當(dāng)然，主要就是這三類(lèi)。其中，DDR 是相對(duì)于 SDR（單數(shù)據(jù)速率）而言的，將 I/O 時(shí)鐘加倍了，主要為 PC 和數(shù)據(jù)中心的 CPU 服務(wù)，目前已經(jīng)發(fā)展到 DDR5；LPDDR 是低功耗的 DDR，
- 關(guān)鍵字： DRAM 封裝技術(shù) HBM
DRAM的范式轉(zhuǎn)變歷程
- 本文總結(jié)和更新了 DRAM 的產(chǎn)品、發(fā)展和技術(shù)趨勢(shì)。
- 關(guān)鍵字： DRAM
集邦咨詢稱 2023Q3 全球 DRAM 規(guī)模 134.8 億美元，環(huán)比增長(zhǎng) 18%
- IT之家 12 月 5 日消息，根據(jù)市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)集邦咨詢公布的最新報(bào)告，2023 年第 3 季度全球 DRAM 產(chǎn)業(yè)規(guī)模合計(jì)營(yíng)收 134.8 億美元，環(huán)比增長(zhǎng) 18.0%。集邦咨詢表示由于下半年需求緩步回溫，買(mǎi)方重啟備貨動(dòng)能，讓各原廠營(yíng)收皆有所增長(zhǎng)。展望今年第 4 季度，供給方面，原廠漲價(jià)態(tài)度明確，預(yù)估第四季 DRAM 合約價(jià)上漲約 13~18%；需求方面的回溫程度則不如過(guò)往旺季，整體而言，DRAM 行業(yè)出貨增長(zhǎng)幅度有限。三家主流廠商情況細(xì)分到各家品牌，三大原廠營(yíng)收皆有所成長(zhǎng)
- 關(guān)鍵字： DRAM 閃存
消息稱 SK 海力士與三星電子 DRAM 市場(chǎng)份額差距已縮小至 4.4%
- 11 月 28 日消息，上周就有研究機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)顯示，在人工智能聊天機(jī)器人 ChatGPT 大火帶動(dòng)的人工智能領(lǐng)域應(yīng)用需求增加的推動(dòng)下，SK 海力士三季度在全球 DRAM 市場(chǎng)的份額達(dá)到了 35%，是他們自成立以來(lái)市場(chǎng)份額最高的一個(gè)季度。而從最新報(bào)告來(lái)看，DRAM 市場(chǎng)份額在三季度創(chuàng)下新高的 SK 海力士，也縮小了同競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星電子在這一產(chǎn)品領(lǐng)域的市場(chǎng)份額差距。研究機(jī)構(gòu)的報(bào)告顯示，SK 海力士 DRAM 產(chǎn)品在三季度的銷(xiāo)售額為 46.3 億美元，環(huán)比增長(zhǎng) 34.59%；三星電子 DRAM 三季度的銷(xiāo)售額則是
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM 海力士
三季度全球 DRAM 銷(xiāo)售額達(dá) 132.4 億美元，連續(xù)兩個(gè)季度環(huán)比增長(zhǎng)
- 11 月 30 日消息，據(jù)外媒報(bào)道，從去年下半年開(kāi)始，受消費(fèi)電子產(chǎn)品需求下滑影響，全球存儲(chǔ)芯片的需求也明顯下滑，三星電子、SK 海力士等主要廠商都受到了影響。但在削減產(chǎn)量、人工智能領(lǐng)域相關(guān)需求增加的推動(dòng)下，DRAM 這一類(lèi)存儲(chǔ)產(chǎn)品的價(jià)格已在回升，銷(xiāo)售額環(huán)比也在增加。研究機(jī)構(gòu)最新的數(shù)據(jù)就顯示，在今年三季度，全球 DRAM 的銷(xiāo)售額達(dá)到了 132.4 億美元，環(huán)比增長(zhǎng) 19.2%，在一季度的 93.7 億美元之后，已連續(xù)兩個(gè)季度環(huán)比增長(zhǎng)。全球 DRAM 的銷(xiāo)售額在三季度明顯增長(zhǎng)，也就意味著主要廠商的銷(xiāo)售額，環(huán)
- 關(guān)鍵字： DRAM 閃存 三星 海力士
AI推動(dòng)SK海力士DRAM市場(chǎng)份額達(dá)到有史以來(lái)最高水平
- 據(jù)外媒報(bào)道，在OpenAI訓(xùn)練的人工智能聊天機(jī)器人ChatGPT大火，谷歌等一眾科技巨頭紛紛加入生成式人工智能和大型語(yǔ)言模型的賽道之后，外媒就預(yù)計(jì)對(duì)AI服務(wù)器的需求將大幅增加，高性能GPU、高帶寬存儲(chǔ)器的需求也將隨之增加，半導(dǎo)體行業(yè)的多家廠商，將迎來(lái)新的發(fā)展機(jī)遇。市場(chǎng)研究公司Omdia的最新分析顯示，存儲(chǔ)芯片廠商SK海力士就已從人工智能應(yīng)用需求增加中獲益，他們?nèi)径仍谌駾RAM市場(chǎng)的份額達(dá)到了35%，占據(jù)了超過(guò)三分之一的份額。也是SK海力士自成立以來(lái)，在全球DRAM市場(chǎng)份額最高的一個(gè)季度。由于生成式人工
- 關(guān)鍵字： AI SK海力士 DRAM
存儲(chǔ)市場(chǎng)前瞻：DDR5 需求顯著增長(zhǎng)、AI 崛起讓手機(jī)內(nèi)存邁入 20GB 時(shí)代
- IT之家?11 月 24 日消息，由于廠商減產(chǎn)的效果逐漸顯現(xiàn)，以及特定應(yīng)用市場(chǎng)的持續(xù)強(qiáng)勁需求，DRAM 和 NAND 閃存價(jià)格在 2023 年第 4 季度呈現(xiàn)全面上漲，并有望持續(xù)到明年第 1 季度。集邦咨詢分析預(yù)估，2023 年第 4 季度移動(dòng) DRAM 合約價(jià)格預(yù)計(jì)上漲 13-18%，而 eMMC 和 UFS NAND Flash 合約預(yù)計(jì)上漲約 10-15%，上漲趨勢(shì)會(huì)持續(xù)到 2024 年第 1 季度。移動(dòng) DRAM：根據(jù)國(guó)外科技媒體 WccFtech 報(bào)道，2024 年手機(jī)的一個(gè)明顯變化是
- 關(guān)鍵字： 閃存 DRAM NAND
美光率先為業(yè)界伙伴提供基于32Gb單裸片DRAM的高速率、低延遲128GB大容量RDIMM內(nèi)存
- Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布領(lǐng)先業(yè)界推出基于?32Gb?單裸片的128GB DDR5 RDIMM?內(nèi)存，具有高達(dá)?8,000 MT/s?速率的一流性能，可支持當(dāng)前及未來(lái)的數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載。該款大容量、高速率內(nèi)存模塊特別針對(duì)數(shù)據(jù)中心和云環(huán)境中廣泛的任務(wù)關(guān)鍵型應(yīng)用，例如人工智能?(AI)、內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(kù)?(IMDB)?以及需要對(duì)多線程、多核通用計(jì)算工作負(fù)載進(jìn)行高效處理的場(chǎng)景，滿足它們對(duì)
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM 128GB RDIMM內(nèi)存
芯片設(shè)計(jì)中，DRAM 類(lèi)型的選擇正在變復(fù)雜
- 選擇越多，選擇越難。
- 關(guān)鍵字： DRAM
市況好轉(zhuǎn) 內(nèi)存廠Q3獲利嗨
- NAND Flash現(xiàn)貨價(jià)于8月中旬反彈，DRAM價(jià)格也在9月開(kāi)始回升，內(nèi)存市況確立好轉(zhuǎn)，帶動(dòng)內(nèi)存族群獲利能力普遍呈現(xiàn)攀升。觀察第三季內(nèi)存族群財(cái)報(bào)，內(nèi)存制造大廠包括南亞科、旺宏及華邦電仍呈小幅虧損；內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見(jiàn)、威剛、廣穎、品安、宇瞻單季每股稅后純益（EPS）皆有1元以上，宜鼎及群聯(lián)單季EPS更分別有3、4元以上亮眼成績(jī)。另從毛利率、營(yíng)利率及稅后純益率三大財(cái)務(wù)指標(biāo)來(lái)看，第三季財(cái)報(bào)數(shù)字呈現(xiàn)「三率三升」的內(nèi)存廠商，則有創(chuàng)見(jiàn)、威剛、十銓、廣穎、宜鼎、品安，財(cái)務(wù)成績(jī)表現(xiàn)亮眼。此外，威剛14日公告10月自結(jié)財(cái)務(wù)數(shù)
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存 ?NAND Flash DRAM
2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&東芯半導(dǎo)體股份有限公司
- 在本次展會(huì)上，東芯半導(dǎo)體也來(lái)到了EEPW的直播間。東芯半導(dǎo)體股份有限公司成立于2014年，作為Fabless芯片企業(yè)，東芯半導(dǎo)體擁有獨(dú)立自主的知識(shí)產(chǎn)權(quán)，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷(xiāo)售，是目前國(guó)內(nèi)少數(shù)可以同時(shí)提供NAND/NOR/DRAM設(shè)計(jì)工藝和產(chǎn)品方案的存儲(chǔ)芯片研發(fā)設(shè)計(jì)公司。2022年EEPW曾有幸采訪過(guò)東芯半導(dǎo)體副總經(jīng)理陳總，這次在2023年慕尼黑華南電子展上，陳總向我們介紹了東芯半導(dǎo)體這次在展會(huì)上帶來(lái)了全線的產(chǎn)品，包括了NAND/NOR/DRAM。目前東芯在NAND
- 關(guān)鍵字： 東芯半導(dǎo)體 NAND NOR DRAM 存儲(chǔ)
預(yù)估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合約價(jià)均上漲
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究顯示，第四季Mobile DRAM合約價(jià)季漲幅預(yù)估將擴(kuò)大至13~18%。NAND Flash方面，eMMC、UFS第四季合約價(jià)漲幅約10~15%；由于Mobile DRAM一直以來(lái)獲利表現(xiàn)均較其他DRAM產(chǎn)品低，因此成為本次的領(lǐng)漲項(xiàng)目。季漲幅擴(kuò)大包括幾個(gè)原因，供應(yīng)方面：三星擴(kuò)大減產(chǎn)、美光祭出逾20%的漲幅等，持續(xù)奠定同業(yè)漲價(jià)信心的基礎(chǔ)。需求方面：2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）除了受傳統(tǒng)旺季帶動(dòng)，華為Mate
- 關(guān)鍵字： Mobile DRAM NAND Flash TrendForce
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