sic jfet 文章 進入sic jfet技術(shù)社區(qū)
Wolfspeed 8英寸SiC襯底產(chǎn)線一期工程封頂
- 3月28日消息，當?shù)貢r間3月26日，Wolfspeed宣布第三座工廠——8英寸SiC襯底產(chǎn)線一期工程舉行了封頂儀式。據(jù)了解，該工廠位于貝卡萊納州查塔姆縣，總投資50億美元（約合人民幣356億元），占地面積445英畝，主要生產(chǎn)8英寸SiC單晶襯底。目前，該工廠已有一些長晶爐設備進場，預計2024年底將完成一期工程建設，2025年上半年開始生產(chǎn)，預計竣工達產(chǎn)后Wolfspeed的SiC襯底產(chǎn)量將擴大10倍。近期，Wolfspeed與瑞薩電子、英飛凌等公司簽署了客戶協(xié)議，查塔姆工廠的投建將為這些協(xié)議提供支持，同
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 Wolfspeed SiC 瑞薩 英飛凌
近年來對碳化硅（SiC）襯底需求的持續(xù)激增
- 隨著近年來對碳化硅（SiC）襯底需求的持續(xù)激增，市場研究公司TrendForce表示，對于SiC的成本降低呼聲越來越高，因為最終產(chǎn)品價格仍然是消費者的關(guān)鍵決定因素。SiC襯底的成本占整個成本結(jié)構(gòu)的比例最高，約占50%。因此，襯底部分的成本降低和利用率提高尤為關(guān)鍵。由于其成本優(yōu)勢，大尺寸襯底逐漸開始被采用，市場對其寄予了很高的期望。中國SiC襯底制造商天科藍半導體計算，從4英寸升級到6英寸可以使單位成本降低50%，從6英寸升級到8英寸可以再次降低35%。與此同時，8英寸襯底可以生產(chǎn)更多的芯片，從而減少邊緣浪
- 關(guān)鍵字： SiC 碳化硅
如何通過SiC增強電池儲能系統(tǒng)？
- 電池可以用來儲存太陽能和風能等可再生能源在高峰時段產(chǎn)生的能量，這樣當環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時，就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統(tǒng) (BESS) 的拓撲結(jié)構(gòu)，然后介紹了安森美 (onsemi) 的EliteSiC方案，可作為硅MOSFET或IGBT開關(guān)的替代方案，改善BESS的性能。圖1：BESS 實施概覽BESS 的優(yōu)勢最常用的儲能方法有四種，分別是電化學儲能、化學儲能、熱儲能和機械儲能。鋰離子電池是家喻戶曉的電化學儲能系統(tǒng)，具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點
- 關(guān)鍵字： 安森美 SiC 電池儲能
SiC是如何「拯救」降價車企的？
- 進入 2024 年，10 多家車企紛紛宣布降價。車企給供應商的降價壓力更大，普遍要求降價 20%，過去一般是每年降 3%-5%。有觀點認為，車市降價是由于新技術(shù)帶來的成本下降，但從大背景來看，2 月銷量下滑，或是更多企業(yè)加入價格戰(zhàn)的不得已選擇。但從另一個角度來看，成本的下降確實會緩解降價的壓力，SiC（碳化硅）會不會是出路呢？降價風波始末2 月 19 日，可以說是一切的開始。降價潮是由比亞迪掀起的，從 2 月 19 日到 3 月 6 日，在春節(jié)假期結(jié)束后的 17 天里，比亞迪密集推出了 13 款主力車型的
- 關(guān)鍵字： SiC
納芯微推出基于創(chuàng)新型振鈴抑制專利的車規(guī)級CAN SIC: NCA1462-Q1
- 納芯微宣布推出基于其自研創(chuàng)新型振鈴抑制專利的車規(guī)級CAN SIC（信號改善功能，Signal Improvement Capability）NCA1462-Q1。相比當前主流的CAN FD車載通信方案，NCA1462-Q1在滿足ISO 11898-2:2016標準的前提下，進一步兼容CiA 601-4標準，可實現(xiàn)≥8Mbps的傳輸速率。憑借納芯微專利的振鈴抑制功能，即使在星型網(wǎng)絡多節(jié)點連接的情況下，NCA1462-Q1仍具有良好的信號質(zhì)量；此外，超高的EMC表現(xiàn)，更加靈活、低至1.8V的VIO可有效助力工
- 關(guān)鍵字： 納芯微 振鈴抑制 CAN SIC
基于SiC的完整“傻瓜型”逆變器參考設計為先進電機應用鋪平了道路
- 先進電機應用（如高轉(zhuǎn)速、高頻、高功率密度、高溫等）需要相匹配的逆變器支持，但業(yè)界一直為其開發(fā)難度所困擾。全球領(lǐng)先的高溫半導體解決方案提供商CISSOID公司近期推出的基于碳化硅（SiC）功率器件的完整逆變器參考設計很好地解決了這一問題。該參考設計整合了CISSOID 公司的SiC高壓功率模塊和相匹配的集成化柵極驅(qū)動器，Silicon Mobility公司的控制板和軟件，超低寄生電感的直流母線電容和EMI濾波器，直流和相電流傳感器等其它附件。由此為先進電機應用提供了一個已全面集成的完整“傻瓜型”逆變器開發(fā)平
- 關(guān)鍵字： SiC 逆變器 電機 CISSOID Silicon Mobility
Qorvo推出緊湊型E1B封裝的1200V SiC模塊
- 中國 北京，2024 年 2 月 29 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）近日宣布推出四款采用緊湊型 E1B 封裝的 1200V 碳化硅（SiC）模塊，其中兩款為半橋配置，兩款為全橋配置，導通電阻 RDS(on) 最低為 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模塊非常適合電動汽車充電站、儲能、工業(yè)電源和太陽能等應用。Qorvo SiC 電源產(chǎn)品線市場總監(jiān) Ramanan Natarajan 表示：“該全新系列中的模塊可以取代多達四個分立式 SiC FET，從而簡化
- 關(guān)鍵字： Qorvo 1200V SiC模塊 SiC
內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC，助推工廠智能化
- 本文的關(guān)鍵要點各行各業(yè)的工廠都在擴大生產(chǎn)線的智能化程度，在生產(chǎn)線上的裝置和設備旁邊導入先進信息通信設備的工廠越來越多。要將高壓工業(yè)電源線的電力轉(zhuǎn)換為信息通信設備用的電力，需要輔助設備用的高效率電源，而采用內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC可以輕松構(gòu)建這種高效率的輔助電源。各行各業(yè)加速推進生產(chǎn)線的智能化如今，從汽車、半導體到食品、藥品和化妝品等眾多行業(yè)的工廠，既需要進一步提升生產(chǎn)效率和產(chǎn)品品質(zhì)，還需要推進無碳生產(chǎn)（降低功耗和減少溫室氣體排放）。在以往的制造業(yè)中，提高工廠的生產(chǎn)效率和
- 關(guān)鍵字： 電力轉(zhuǎn)換 SiC MOSFET
安森美碳化硅技術(shù)專家“把脈”汽車產(chǎn)業(yè)2024年新風向
- 回首2023年，盡管全球供應鏈面臨多重挑戰(zhàn)，但我們看到了不少閃光點，比如AIGC的熱潮、汽車電子的火爆，以及物聯(lián)網(wǎng)的小跑落地……今天，安森美(onsemi)碳化硅技術(shù)專家牛嘉浩先生為大家?guī)砹怂麑^去一年的經(jīng)驗總結(jié)和對新一年的展望期盼。汽車產(chǎn)業(yè)鏈中的困難與挑戰(zhàn)在過去一年中，汽車芯片短缺、全球供應鏈的復雜性和不確定性及市場需求的變化，可能是汽車產(chǎn)業(yè)鏈最為棘手的難題，汽車制造商需要不斷調(diào)整生產(chǎn)和采購策略以應對潛在的風險和瓶頸。隨著更多傳統(tǒng)車企和新興造車勢力進入新能源汽車市場，競爭壓力加大，汽車制造商需要不斷提
- 關(guān)鍵字： 智能電源 智能感知 汽車領(lǐng)域 SiC
意法半導體:SiC新工廠今年投產(chǎn),豐沛產(chǎn)能滿足井噴市場需求
- 回首2023，碳化硅和氮化鎵行業(yè)取得了哪些進步？出現(xiàn)了哪些變化？2024將迎來哪些新機遇和新挑戰(zhàn)？為更好地解讀產(chǎn)業(yè)格局，探索未來的前進方向，行家說三代半、行家極光獎聯(lián)合策劃了《行家瞭望——2024，火力全開》專題報道。本期嘉賓是意法半導體亞太區(qū)功率分立和模擬產(chǎn)品器件部市場和應用副總裁Francesco MUGGERI（沐杰勵）。全工序SiC工廠今年投產(chǎn)第4代SiC MOS即將量產(chǎn)行家說三代半：據(jù)《2023碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》統(tǒng)計，2023年全球新發(fā)布碳化硅主驅(qū)車型又新增了40多款，預計明年部分
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 SiC
臻驅(qū)科技擬投超6億元新增SiC功率模塊項目
- 2月1日消息，近日，浙江嘉興平湖市政府公示了“年產(chǎn)90萬片功率模塊、45萬片PCBA板和20萬臺電機控制器”建設項目規(guī)劃批前公告。據(jù)披露，該項目建設單位為臻驅(qū)科技的全資子公司——臻驅(qū)半導體（嘉興）有限公司，臻驅(qū)半導體擬投約資6.45億元在平湖市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)新明路南側(cè)建造廠房用于生產(chǎn)及研發(fā)等，項目建筑面積達45800m2。公開資料顯示，臻驅(qū)科技成立于2017年，是一家提供國產(chǎn)功率半導體及新能源汽車驅(qū)動解決方案的公司，總部位于上海浦東，在上海臨港、廣西柳州、浙江平湖及德國亞?。ˋachen）等地布局了多家子
- 關(guān)鍵字： 功率模塊 碳化硅 SiC
sic jfet介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條sic jfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對sic jfet的理解，并與今后在此搜索sic jfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對sic jfet的理解，并與今后在此搜索sic jfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
sic jfet電路
sic jfet相關(guān)帖子
sic jfet資料下載
sic jfet專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473