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          300層之后，3D NAND的技術路線圖
          
                                                            
            
                    	
          • 開發(fā)下一代 3D NAND 閃存就像攀登永無止境的山峰。
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          • 關鍵字：
                        3D NAND                          
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          存儲市場前瞻：DDR5 需求顯著增長、AI 崛起讓手機內存邁入 20GB 時代
          
                                                            
            
                    	
          • IT之家?11 月 24 日消息，由于廠商減產的效果逐漸顯現(xiàn)，以及特定應用市場的持續(xù)強勁需求，DRAM 和 NAND 閃存價格在 2023 年第 4 季度呈現(xiàn)全面上漲，并有望持續(xù)到明年第 1 季度。集邦咨詢分析預估，2023 年第 4 季度移動 DRAM 合約價格預計上漲 13-18%，而 eMMC 和 UFS NAND Flash 合約預計上漲約 10-15%，上漲趨勢會持續(xù)到 2024 年第 1 季度。移動 DRAM：根據(jù)國外科技媒體 WccFtech 報道，2024 年手機的一個明顯變化是
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          • 關鍵字：
                        閃存  DRAM  NAND                          
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          越便宜越沒人買！全球SSD出貨量暴跌10% 用戶買漲不買跌
          
                                                            
            
                    	
          • 11月22日消息，據(jù)TrendForce最新報告，2022年全球SSD出貨量為1.14億塊，同比下降10.7%。報告中指出，2021年上半年受到主控IC短缺的影響，SSD出貨量不高；但在2022年下半年供應情況已經極大緩解，渠道SSD市場恢復正常供需狀態(tài)。隨著個人電腦和計算機硬件市場的萎縮，固態(tài)硬盤的需求依然疲軟，而更多的用戶也是買漲不買跌（便宜了還能更便宜，便宜反而買單的人銳減）。TrendForce稱，由于NAND閃存供應商積極減產，導致整個行業(yè)價格上漲，市場情緒在2022年第三季度末"迅速
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          • 關鍵字：
                        SSD  固態(tài)硬盤  閃存  NAND                          
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          一文看懂TSV技術
          
                                                            
            
                    	
          • 前言從HBM存儲器到3D NAND芯片，再到CoWoS，硬件市場上有許多芯片是用英文稱為TSV構建的，TSV是首字母縮寫，TSV（Through Silicon Via）中文為硅通孔技術。它是通過在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導通；TSV技術通過銅、鎢、多晶硅等導電物質的填充，實現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互聯(lián)，這項技術是目前唯一的垂直電互聯(lián)技術，是實現(xiàn)3D先進封裝的關鍵技術之一。在本文中，我們將告訴您它們是什么，它們如何工作以及它們的用途。在2000年的第一個月，Santa Clara Universi
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          • 關鍵字：
                        芯片  TSV  HBM  NAND  先進封裝                          
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          市況好轉 內存廠Q3獲利嗨
          
                                                            
            
                    	
          • NAND Flash現(xiàn)貨價于8月中旬反彈，DRAM價格也在9月開始回升，內存市況確立好轉，帶動內存族群獲利能力普遍呈現(xiàn)攀升。觀察第三季內存族群財報，內存制造大廠包括南亞科、旺宏及華邦電仍呈小幅虧損；內存模塊廠創(chuàng)見、威剛、廣穎、品安、宇瞻單季每股稅后純益（EPS）皆有1元以上，宜鼎及群聯(lián)單季EPS更分別有3、4元以上亮眼成績。另從毛利率、營利率及稅后純益率三大財務指標來看，第三季財報數(shù)字呈現(xiàn)「三率三升」的內存廠商，則有創(chuàng)見、威剛、十銓、廣穎、宜鼎、品安，財務成績表現(xiàn)亮眼。此外，威剛14日公告10月自結財務數(shù)
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          • 關鍵字：
                        內存  ?NAND Flash  DRAM                          
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          2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&東芯半導體股份有限公司
          
                                                            
            
                    	
          • 在本次展會上，東芯半導體也來到了EEPW的直播間。東芯半導體股份有限公司成立于2014年，作為Fabless芯片企業(yè)，東芯半導體擁有獨立自主的知識產權，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研發(fā)、設計和銷售，是目前國內少數(shù)可以同時提供NAND/NOR/DRAM設計工藝和產品方案的存儲芯片研發(fā)設計公司。2022年EEPW曾有幸采訪過東芯半導體副總經理陳總，這次在2023年慕尼黑華南電子展上，陳總向我們介紹了東芯半導體這次在展會上帶來了全線的產品，包括了NAND/NOR/DRAM。目前東芯在NAND 
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          • 關鍵字：
                        東芯半導體  NAND  NOR  DRAM  存儲                          
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          SK 海力士 
          
                                                            
            
                    	
          • 韓國芯片制造商 SK 海力士（SK Hynix）在經歷了又一個利潤率和收入下降的季度后，表現(xiàn)得很勇敢，強調了需求的逐步恢復，以及在今年早些時候削減資本支出后，計劃在 2024 年增加資本支出。在第三季度財報電話會議上，首席財務官 Kim Woohyun 指出，對高性能存儲芯片的需求不斷增長，降低了銷售額的下降率。然而旗艦智能手機的發(fā)布和人工智能服務器部署的激增推動了芯片需求。"我們相信，內存行業(yè)終于度過了嚴重的低迷期，正在進入全面復蘇階段"。Kim指出，該公司的目標是通過考慮投資效率和
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          • 關鍵字：
                        SK海力士  韓國  NAND                          
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          預估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合約價均上漲
          
                                                            
            
                    	
          • 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究顯示，第四季Mobile DRAM合約價季漲幅預估將擴大至13~18%。NAND 
Flash方面，eMMC、UFS第四季合約價漲幅約10~15%；由于Mobile 
DRAM一直以來獲利表現(xiàn)均較其他DRAM產品低，因此成為本次的領漲項目。季漲幅擴大包括幾個原因，供應方面：三星擴大減產、美光祭出逾20%的漲幅等，持續(xù)奠定同業(yè)漲價信心的基礎。需求方面：2023下半年Mobile
 DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）除了受傳統(tǒng)旺季帶動，華為Mate 
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          • 關鍵字：
                        Mobile DRAM  NAND Flash  TrendForce                          
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          NAND閃存市場，開始洗牌
          
                                                            
            
                    	
          • 最近，鎧俠和西部數(shù)據(jù)的合并已經傳來消息，或將于本月達成合并協(xié)議。當初，業(yè)內聽到這兩大存儲企業(yè)的合并是非常驚訝的，畢竟鎧俠在 NAND 領域世界排名第二、西部數(shù)據(jù)排在第四，這兩大巨頭的合并可以震動存儲市場。具體來看一下，目前兩家企業(yè)的合并方式。西部數(shù)據(jù)這邊將拆分 NAND Flash 閃存部門，與鎧俠合并。在合并后成立新的控股公司，在交換新公司所需數(shù)量的股份后，西部數(shù)據(jù)將保留 50.1% 的資產，其余 49.9% 將歸鎧俠所有。新的公司在美國注冊，但總部設置在日本，并且股票將在美國和東京證劵交易所上市，采用
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          • 關鍵字：
                        NAND                          
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          傳三星計劃2024年將量產第九代V-NAND閃存
          
                                                            
            
                    	
          • 近日，據(jù)媒體報道，三星電子存儲業(yè)務主管李政培稱，三星已生產出基于其第九代V-NAND閃存產品的產品，希望明年初可以實現(xiàn)量產。三星正在通過增加堆疊層數(shù)、同時降低高度來實現(xiàn)半導體行業(yè)最小的單元尺寸。目前，存儲產業(yè)處于緩速復蘇階段，大廠們正在追求存儲先進技術的研發(fā)。從當前進度來看，NAND Flash的堆疊競賽已經突破200層大關：SK海力士已至321層，美光232層，三星則計劃2024年推出第九代3D NAND（有望達到280層）。據(jù)悉，三星將于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達到430層）
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          • 關鍵字：
                        三星  第九代  V-NAND  閃存                          
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          三星將擴建中國西安的NAND芯片工廠
          
                                                            
            
                    	
          • 三星電子計劃將其西安NAND閃存工廠升級到236層NAND工藝，并開始大規(guī)模擴張。據(jù)外媒，三星電子計劃將其西安NAND閃存工廠升級到236層NAND工藝，并開始大規(guī)模擴張。報道中稱，三星已開始采購最新的半導體設備，新設備預計將在2023年底交付，并于2024年在西安工廠陸續(xù)引進可生產236層NAND的設備。此前消息稱，美國同意三星電子和SK海力士向其位于中國的工廠提供設備，無需其他許可。據(jù)了解，目前三星西安工廠已成為世界上最大的NAND制造基地，約占了三星NAND總產量的40%。
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          • 關鍵字：
                        三星  NAND  西安                          
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          三星西安工廠工藝升級獲批，將引進236層NAND芯片生產設備
          
                                                            
            
                    	
          • 據(jù)悉，三星電子經營高層日前做出決定，將升級位于中國西安的 NAND 閃存工廠，為完成工廠制程升級已下單采購最新半導體設備，或將于今年年底開始引進新設備。西安工廠是目前三星電子位于海外的唯一內存芯片生產基地，2014 年開始投產，經 2020 年擴建二期項目后，目前每月生產 20 萬張 12 英寸芯片，是全球最大的 NAND 閃存生產基地，占三星電子 NAND 芯片總產量的 40% 以上。三星電子計劃明年在西安工廠內部署生產 236 層（第 8 代）NAND 芯片的設備，并依次完成工藝轉換。2022 年 1
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          • 關鍵字：
                        三星電子  NAND                          
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          第四季NAND Flash合約價季漲幅預估8~13%
          
                                                            
            
                    	
          • 據(jù)TrendForce集邦咨詢集邦咨詢研究顯示，由于供應商嚴格控制產出，NAND 
Flash第四季合約價全面起漲，漲幅約8~13%。展望2024年，除非原廠仍能維持減產策略，且服務器領域對Enterprise 
SSD需求回溫，否則在缺乏需求作為支撐的前提下，NAND Flash要延續(xù)漲勢將有難度。Client SSD方面，由于原廠及模組廠均積極漲價，促使PC 
OEM欲在價格相對低點預備庫存，采購量會較實際需求量高。而供應商為擴大位元出貨量，已在第三季推出促銷，故Client 
SSD價格沒有
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          • 關鍵字：
                        NAND Flash  TrendForce                          
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          三星、SK海力士拿到無限期豁免權
          
                                                            
            
                    	
          • 10月9日，韓國總統(tǒng)辦公室通報，美國目前已做出決定 —— 在無需單獨批準的情況下，三星和SK海力士可以向中國工廠提供半導體設備，該決定一經通報即生效。據(jù)悉，無限期豁免將通過更新Validated End-User（VEU）清單來取得。若被納入該清單，便無需額外獲得許可，代表美國出口管制的適用性實際上是被無限期暫停。三星在一份聲明中表示，“通過與相關政府的密切協(xié)調，與我們在中國的半導體生產線運營有關的不確定性已大大消除。”SK海力士則表示，“我們歡迎美國政府決定延長對出口管制規(guī)定的豁免。我們相信，這一決定將
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          • 關鍵字：
                        三星  SK海力士  NAND  DRAM  半導體設備                          
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          存儲芯片，果真回暖了
          
                                                            
            
                    	
          • 受需求放緩、供應增加、價格競爭加劇等因素影響，存儲芯片的價格在 2022 年最后兩個季度均出現(xiàn)暴跌。根據(jù) TrendForce 的最新數(shù)據(jù)顯示，DRAM 的平均價格繼 2022 年第三季度暴跌 31.4% 之后，在第四季度的跌幅擴大到了 34.4%。今年 Q1，DRAM 均價跌幅收斂至 13%～18%，Q2 DRAM 價格跌幅收窄至 10% 到 15%。與 DRAM 市況相似，NAND 閃存的市場需求也大幅下滑。2022 年 Q3 和 Q4 NAND Flash 價格跌幅均超過 20%，今年 Q1 NAN
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          • 關鍵字：
                        NAND  SSD  DRAM                          
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