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安森美豐富的SiC方案解決新一代UPS的設計挑戰(zhàn)
- 隨著云計算、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、5G應用和大型設備的不斷發(fā)展，市場對不間斷電源 (UPS)的需求保持高位，且正在往小型化、高容量化、高效化發(fā)展，設計人員面臨如何在性能、能效、尺寸、成本、控制難度之間權衡取舍的挑戰(zhàn)，安森美(onsemi)基于新一代半導體材料碳化硅(SiC)的方案，有助于變革性地優(yōu)化UPS設計。安森美是領先的智能電源方案供應商之一，也是全球少數(shù)能提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應商，提供先進的SiC、SiC/Si 混合和 IGBT 模塊技術，以及廣泛的分立器件、門極驅動器等周邊器件，滿足低
- 關鍵字： 安森美 SiC
SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討
- 隨著制備技術的進步，在需求的不斷拉動下，碳化硅（SiC）器件與模塊的成本逐年降低。相關產(chǎn)品的研發(fā)與應用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車，可再生能源及儲能等應用領域的發(fā)展，更是不容小覷。富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術服務，為客戶打造個性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設計周期。在第三代半導體的實際應用領域，富昌電子結合自身的技術積累和項目經(jīng)驗，落筆于SiC相關設計的系列文章。希望以此給到大家一定的設計參考，并期待與您進一步的交流。作為系列文章的第一部分，本文將先就SiC
- 關鍵字： 富昌電子 SiC MOSFET
瑞能半導體亮相PCIM Europe, 用“芯”加碼實現(xiàn)最佳效率
- 2022年5月10日-12日，一年一度的PCIM Europe盛大開幕，作為全球領先的功率半導體供應商，瑞能半導體攜SiC?Diodes和SiC?MOSFETs，第三代肖特基二極管G3 SBD、第五代軟恢復二極管 G5 FRD等多款旗艦產(chǎn)品重磅回歸PCIM Europe展會，全方位展示行業(yè)領先的技術、產(chǎn)品應用和解決方案，和諸多業(yè)內(nèi)伙伴共話智能制造行業(yè)在全球范圍內(nèi)的可持續(xù)發(fā)展。PCIM Europe即歐洲電力電子系統(tǒng)及元器件展，是電力電子、智能運動、可再生能源和能源管理領域最具影響力的博
- 關鍵字： SiC MOSFET 瑞能半導體 PCIM Europe
Power Integrations推出汽車級IGBT/SiC模塊驅動器產(chǎn)品系列SCALE EV，為巴士、卡車以及建筑和農(nóng)用電動汽車提供強大動力
- 深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations近日宣布推出適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM EV系列門極驅動板。新款驅動器同樣適用于原裝、仿制以及其它新的采用SiC的衍生模塊，其應用范圍包括電動汽車、混合動力和燃料電池汽車（包括巴士和卡車）以及建筑、采礦和農(nóng)用設備的大功率汽車和牽引逆變器。SCALE EV板級門極驅動器內(nèi)部集成了兩個增強型門極驅動通道、相關供電電源和監(jiān)控遙測電路。新驅動板已通過汽車級認證和ASIL B認證，可實現(xiàn)AS
- 關鍵字： Power Integrations IGBT SiC 模塊驅動器 SCALE EV PI
英飛凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片，以增強特性進一步提高系統(tǒng)能效
- 英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了一項全新的CoolSiC?技術，即CoolSiC? MOSFET 1200 V M1H。這款先進的碳化硅（SiC）芯片用于頗受歡迎的Easy模塊系列，以及采用基于.XT互連技術的分立式封裝，具有非常廣泛的產(chǎn)品組合。M1H芯片具有很高的靈活性，適用于必須滿足峰值電力需求的太陽能系統(tǒng)，如光伏逆變器。同時，這款芯片也是電動汽車快充、儲能系統(tǒng)和其他工業(yè)應用的理想選擇。CoolSiC技術取得的最新進展使得柵極驅動電壓窗口明顯增大，從而降低了既定芯片面積下的導通電阻。與此同時，隨著柵極運行
- 關鍵字： SiC 太陽能 MOSFET
克服疫情，大灣區(qū)首臺全自動化SiC動態(tài)測試系統(tǒng)在北理汽車研究院交付
- _____日前，泰克攜手方案合作伙伴忱芯科技向北京理工大學深圳汽車研究院交付了一臺全自動化SiC功率模塊動態(tài)測試系統(tǒng)，此為今年度向客戶交付的第五臺SiC功率模塊動態(tài)測試系統(tǒng)，亦是大灣區(qū)的首臺全自動化SiC功率模塊動態(tài)測試系統(tǒng)。此系統(tǒng)集成了來自泰克的專門針對第三代半導體測試的硬件設備，從而解決了“測不準”、“測不全”、“不可靠”這三個難題的挑戰(zhàn)。忱芯作為泰克科技的解決方案合作伙伴，在去年“碳化硅功率半導體及應用研討會”上結成了全范圍的戰(zhàn)略合作聯(lián)盟，進行深度整合資源，圍繞寬禁帶功率半導體測試領域開展全產(chǎn)業(yè)鏈的
- 關鍵字： Tektroni SiC 動態(tài)測試系統(tǒng)
ROHM建立8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產(chǎn)體制
- 半導體制造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量產(chǎn)體制，該系列產(chǎn)品的閘極耐壓（閘極-源極間額定電壓）高達8V，非常適用于基地臺、數(shù)據(jù)中心等工控設備和各類型IoT通訊裝置的電源電路。 EcoGaN首波產(chǎn)品 GNE10xxTB系列?有助基地臺和數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)低功耗和小型化一般來說，GaN組件具有優(yōu)異的低導通電阻和高速開關性能，有助降低各種電源功耗和實現(xiàn)外圍組件小型化。但其閘極耐壓很低，因此在開關工作時的組件可靠性方面尚存在課題。針對該課題，RO
- 關鍵字： SiC GaN ROHM
羅姆SiC評估板測評：射頻熱凝控制儀測試
- 測試設備①直流電源由于手上沒有高電壓的直流電源，只能使用一般的電源，且手上只有一個低壓直流穩(wěn)壓源，所以這穩(wěn)壓電源既用于給開發(fā)板電源供電，又用于半橋母線電源。②電子負載半橋電源電源的輸出負載，可恒流或者恒壓或者恒負載，測試電源的帶載能力非常好用。③信號發(fā)生器產(chǎn)生不同頻率的可調制的方波信號，用于MOS管的驅動④示波器觀察驅動信號、輸出信號、MOS管的波形⑤萬用表測量各測試點的電壓⑥溫度巡檢儀測量帶載后MOS管的溫度測試拓撲將說明書中電路按照上述描述修改：兩個直流電源換成CBB電容，在Hvdc母線上加上12V電
- 關鍵字： SiC 碳化硅 MOSFET ROHM
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