sk 海力士 文章 進(jìn)入sk 海力士技術(shù)社區(qū)
大陸發(fā)展DRAM 海力士恐首當(dāng)其沖
- 工研院 IEK認(rèn)為，為替代進(jìn)口，中國大陸發(fā)展DRAM已勢在必行，未來若中國大陸成功搶進(jìn)DRAM領(lǐng)域，預(yù)期海力士恐將是最大潛在受害者。 聯(lián)電接受中國大陸福建省晉華集成電路委托，開發(fā)動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)相關(guān)制程技術(shù)，引起各界關(guān)注。 工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟與趨勢研究中心(IEK)電子與系統(tǒng)研究組副組長楊瑞臨認(rèn)為，為替代進(jìn)口，中國大陸發(fā)展DRAM似乎已勢在必行。 楊瑞臨指出，中國大陸目前至少有 5家廠商規(guī)劃投入DRAM發(fā)展，除這次委托聯(lián)電開發(fā)技術(shù)的晉華外，還有武漢新芯，中芯也傳將重操舊業(yè)，
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三星海力士入圍半導(dǎo)體制造商前三甲
- 北京時間13日 韓聯(lián)社報道，據(jù)美國知名半導(dǎo)體市場調(diào)研機構(gòu)IC Insights13日消息，三星[微博]電子和SK海力士入圍整合元件制造商三甲，而全球十大芯片設(shè)計公司(Fabless)中沒有一家韓國企業(yè)?！ ≡?015年整合元件制造商銷售排名中，三星電子(416億美元)和SK海力士(169億美元)分列第二和第三，而英特爾(34.27, -0.50, -1.44%)以503億美元穩(wěn)居榜首。在芯片設(shè)計企業(yè)方面，高通(47.46, -1.11, -2.28%)-CSR排名第一，安華高-博通(57.34, -0
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DRAM現(xiàn)貨價跌破2美元 歷史新低
- 動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)現(xiàn)貨價持續(xù)破底，DDR3 4Gb顆?，F(xiàn)貨均價已跌破2美元大關(guān)，達(dá)1.96美元，創(chuàng)歷史新低價。 DRAM市場庫存問題依然嚴(yán)重，DRAM現(xiàn)貨價如預(yù)期持續(xù)滑落，據(jù)市調(diào)機構(gòu)集邦科技調(diào)查，DDR3 4Gb顆?，F(xiàn)貨均價滑落至1.96美元，創(chuàng)下歷史新低價。 第4季來DDR3 4Gb顆?，F(xiàn)貨均價下跌約0.16美元，跌幅約7.54%。 南亞科預(yù)期，DRAM價格可望逐步趨于穩(wěn)定，第4季產(chǎn)品價格將較第3季微幅下滑。 只是集邦科技對DRAM后市看法相對保守，表示目前市場已
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三星、海力士尬產(chǎn)能，韓國存儲器雙雄掀軍備競賽
- 昨日南韓半導(dǎo)體廠SK 海力士才發(fā)布史上最大擴產(chǎn)計畫，隔天三星即宣布新廠下個月就將成軍啟用，這也宣告記憶體市場正式進(jìn)入新一輪的軍備競賽。 三星新廠位于首爾南部的水原市，可用于量產(chǎn)DRAM等記憶體或邏輯晶片。消息指出，水原廠部分產(chǎn)線過去幾個月已進(jìn)行過試產(chǎn)，年底將全面啟用。 另外，三星目前在平澤市還有一半導(dǎo)體廠正在興建，三星計畫未來兩年在這座工廠砸下15兆韓圜(125億美元)，是韓國史上對單一半導(dǎo)體廠的最大投資案。(koreaherald.com) 在另一方面，海力士昨日盛大宣布，未來十年內(nèi)將投
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海力士擴產(chǎn) DRAM不妙
- 全球第二大DRAM廠南韓SK海力士昨(25)日宣布，規(guī)劃斥資31兆韓元(約259.4億美元、約新臺幣8,300億元)，在南韓興建兩座新廠，預(yù)計2024年前竣工。近期DRAM價格好不容易出現(xiàn)止跌訊號，市場憂心，SK海力士大舉擴產(chǎn)，長期將再度使得產(chǎn)業(yè)陷入供過于求。 外電指出，投資人正密切留意記憶體廠新的資本投資，因為大規(guī)模的支出可能導(dǎo)致供給過剩，或引爆價格戰(zhàn)，這對三星、SK海力士、華亞科(3474)、南亞科等業(yè)者都將不利。 受市場憂心SK海力士大舉擴產(chǎn)影響，南亞科昨天股價在臺股大漲逾265點下
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三星大敵當(dāng)前，海力士、SanDisk專利訴訟戰(zhàn)大和解
- 南韓記憶體大廠SK 海力士與美國同業(yè)SanDisk不打不相識，海力士周三宣布，與美國同業(yè)SanDisk的官司已在庭外達(dá)成和解，與此同時，雙方還將擴大專利合作，正式成為伙伴關(guān)系。 SanDisk去年按鈴控告旗下某職員于2008年跳槽后，將機密泄漏給海力士，但在雙方達(dá)成和解后，SanDisk已同意撤回官司。 海力士與SanDisk不僅一笑泯恩仇，還進(jìn)一步就專利授權(quán)取得新協(xié)議。聲明稿指出，海力士將支付SanDisk 權(quán)利金，并供應(yīng)DRAM予SanDisk，時間將持續(xù)至2023年。 海力士與東芝的官司去
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海力士拼獲利，3D NAND快閃存儲器9月量產(chǎn)出貨
- 南韓記憶體大廠SK 海力士周二宣布加入三星、東芝與美光等強敵之列，其3D NAND 快閃記憶體第三季將正式進(jìn)入量產(chǎn)階段，預(yù)計9月開始對客戶出貨。 快閃記憶體量產(chǎn)在2D平面微縮制程已遭遇瓶頸，因此走向3D立體堆疊已是大勢所趨。據(jù)日經(jīng)新聞報導(dǎo)，海力士將優(yōu)先推出固態(tài)硬碟(SSD)用36層記憶體晶片試市場水溫后，48層產(chǎn)品明年才會投產(chǎn)。 海力士(SK Hynix)上周公布第二季財報遜于預(yù)期，受PC用DRAM需求低迷影響，當(dāng)季營業(yè)利潤僅1.37兆韓圜，低于分析師預(yù)估的1.44兆韓圜。 由于PC本季市況依舊
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拼年底量產(chǎn)3D NAND、傳SK海力士大買設(shè)備
- 記憶體大廠整軍經(jīng)武，準(zhǔn)備展開新一波大戰(zhàn)!據(jù)傳三星電子和SK 海力士 (SK Hynix )將大買設(shè)備，積極投資3D NAND Flash;另外DRAM也將轉(zhuǎn)進(jìn)新制程，拉高戰(zhàn)力。 韓媒etnews 6日報導(dǎo)，記憶體大廠爭相量產(chǎn)3D NAND Flash，新制程和傳統(tǒng)NAND Flash相比，差別在于從平面改為立體，能層層堆疊，提高效能。據(jù)了解，由2D轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND Flash，顯影制程不變，但是金屬化和刻蝕步驟將分別增加50~60%、30~40%，需要采購不少新設(shè)備。據(jù)了解，三星最早量產(chǎn)3D
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突破細(xì)微化極限！東芝攜手海力士研發(fā)納米壓印技術(shù)
- 全球第2大NAND型快閃存儲器 (Flash Memory)廠商東芝 ( Toshiba )5日發(fā)布新聞稿宣布，為加快次世代半導(dǎo)體露光技術(shù)「納米壓印技術(shù)(Nano-imprint Lithography;NIL)」的研發(fā)腳步，已和南韓半導(dǎo)體大廠SK 海力士 (SK Hynix )正式簽署契約，雙方技術(shù)人員將自2015年4月起透過東芝橫濱事業(yè)所攜手研發(fā)NIL制程的關(guān)鍵技術(shù)，目標(biāo)為在2017年實用化。 東芝于去年12月和SK海力士(SK Hynix)就NAND Flash侵權(quán)案一事達(dá)成和解，海力士(
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DRAM樂觀 NAND有隱憂
- 記憶體市況今年將不同調(diào);動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)市場可望維持穩(wěn)定獲利，儲存型快閃記憶體(NAND Flash)市場則有隱憂。 DRAM市場步入由三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)三強鼎立的寡占局面，各DRAM廠去年不僅全面獲利，并且是豐收的一年。 臺塑集團旗下DRAM廠南亞科去年可望首度賺進(jìn)超過1個股本;美光與南亞科合資的華亞科去年獲利也可望突破新臺幣400億元，將創(chuàng)歷史新高紀(jì)錄。 NAND Flash市場競爭、變化相對激烈，且難以預(yù)料;去年下半
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研調(diào)預(yù)估：8寸晶圓 明年產(chǎn)能續(xù)滿載
- 今年以來8寸產(chǎn)能滿載話題延燒，市場看好聯(lián)電、世界明年8寸產(chǎn)能可望持續(xù)吃緊。研調(diào)機構(gòu)IC Insights出具報告指出，韓國、臺灣在全球8寸廠中仍將扮演領(lǐng)導(dǎo)地位。其中韓國掌控全球8寸產(chǎn)能達(dá)35%，臺灣則占21%。 IC Insights指出，韓國的8寸產(chǎn)能主要來自三星與海力士兩大廠商，其中光是三星就占了全球8寸產(chǎn)能的24%。若是排除存儲器的部分、僅考量晶圓代工的 8寸產(chǎn)能，韓國則占全球的28%。IC Insights指出，三星、海力士在海外也都有8寸的產(chǎn)能，其中海力士最大的8寸廠就在中國大陸，三星
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