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	ddr5 dram
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          美光 1-gamma 制程內(nèi)存預計 2025 年上半年在臺量產(chǎn)
          
                                                            
            
                    	
          • IT之家 9 月 4 日消息，據(jù)臺灣 《中央通訊社》 報道，臺灣美光董事長盧東暉表示，美光有多達 65% 的 DRAM 產(chǎn)品在臺灣生產(chǎn)，其中臺日團隊一起研發(fā)新一代的 1-gamma 制程將于 2025 年上半年先在臺中廠量產(chǎn)，這是美光第 1 代采用極紫外光（EUV）的制程技術。據(jù)悉，美光現(xiàn)在只有在臺中有 EUV 的制造工廠，1-gamma 制程勢必會先在臺中廠量產(chǎn)，日本廠未來也會導入 EUV 設備。盧東暉強調(diào)，臺灣和日本是美光非常重要的制造中心，美光有多達 65% 的動態(tài)隨機存取記憶體（DRAM
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          • 關鍵字：
                        美光  DRAM                          
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          三星發(fā)布其容量最大的12納米級32Gb DDR5 DRAM產(chǎn)品 
          
                                                            
            
                    	
          • 2023年9月1日，三星宣布采用12納米(nm)級工藝技術，開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5 
DRAM：五代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器）。這是繼2023年5月三星開始量產(chǎn)12納米級16Gb DDR5 
DRAM之后取得的又一成就，這鞏固了三星在開發(fā)下一代DRAM內(nèi)存技術領域中的地位，并開啟了大容量內(nèi)存時代的新篇章。 三星12納米級32Gb DDR5 DRAM（1）"在三星最新推出的12納米級32Gb內(nèi)存的基礎上，我們可以研發(fā)出實現(xiàn)1TB內(nèi)存模組的解決方案
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          • 關鍵字：
                        三星  12納米  DDR5  DRAM                          
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          3D DRAM時代即將到來，泛林集團這樣構想3D DRAM的未來架構
          
                                                            
            
                    	
          • 動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應用于需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設備，如現(xiàn)代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機。技術進步驅動了DRAM的微縮，隨著技術在節(jié)點間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發(fā)展，以提高單位面積的存儲單元數(shù)量。（NAND指“NOT AND”，意為進行與非邏輯運算的電路單元。）l  這一趨勢有利于整個行業(yè)的發(fā)展，因為它能推動存儲器技術的突破，而且每平方微米存儲單元數(shù)量的增加意味著生產(chǎn)成本的降低。l  DRAM技
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          • 關鍵字：
                        3D DRAM  泛林                          
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          DRAM教父高啟全職業(yè)生涯又有新進展
          
                                                            
            
                    	
          • 高啟全是全球 DRAM 領域最資深的人士之一。
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          • 關鍵字：
                        DRAM                          
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          三季度DRAM和NAND閃存價格跌幅放緩
          
                                                            
            
                    	
          • 今年 Q3，存儲產(chǎn)品價格有望迎來拐點。
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          • 關鍵字：
                        DRAM  NAND                          
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          三星電子 DRAM 內(nèi)存和代工部門業(yè)績低迷，負責人雙雙被換
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • IT之家 7 月 5 日消息，據(jù)多個韓國媒體報道，三星電子昨日突然在非常規(guī)人事季更換了代工（DS）部門和 DRAM 部門負責人，被解讀為“彌補今年上半年存儲半導體表現(xiàn)低迷、強化代工業(yè)務的手段”。首先，三星代工事業(yè)部技術開發(fā)部門副社長鄭基泰（Jegae Jeong）被任命為事業(yè)部最高技術負責人（CTO），而他的繼任者則是 Jahun Koo。與此同時，負責存儲半導體中 DRAM 開發(fā)的部門負責人也被更換，由原本擔任戰(zhàn)略營銷部門副社長的黃相俊（Hwang Sang-jun）接管，被業(yè)界解讀為對 HB
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          • 關鍵字：
                        三星  DRAM                          
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          瑞薩電子推出業(yè)界首款客戶端時鐘驅動器CKD和第3代RCD以支持嚴苛的DDR5客戶端與服務器DIMMs應用
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布面向新興的DDR5 DRAM服務器和客戶端系統(tǒng)推出客戶端時鐘驅動器（CKD）和第三代DDR5寄存時鐘驅動器（RCD）。憑借這些全新驅動器IC，瑞薩仍舊是唯一一家為雙列直插式存儲器模塊（DIMM）、主板和嵌入式應用提供完整DDR5存儲器接口組合的供應商。DDR5 CKD和DDR5 RCD IC使下一代DIMM的速度分別達到每秒7200MT/s和6400MT/s，相比目前5600MT/s的傳輸速度均有所提升。CKD支持高達7200MT/s的速度，是業(yè)內(nèi)首款與小型DIMM
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          • 關鍵字：
                        瑞薩  時鐘驅動器  RCD  DDR5  DIMM                          
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          美光宣布推出高容量 96GB DDR5-4800 RDIMM 內(nèi)存
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • IT之家 6 月 7 日消息，內(nèi)存廠商在今年第一季度推出了單條 48GB 的非二進制內(nèi)存，雙槽即可實現(xiàn) 96GB，四個內(nèi)存插槽全插滿可實現(xiàn) 192GB 的內(nèi)存容量。美光今天宣布開始量產(chǎn) 4800MT/s 的 96GB 大容量 DDR5 RDIMM，其帶寬相當于 DDR4 內(nèi)存的兩倍，并且完全符合第四代 AMD EPYC 處理器的要求。IT之家注：目前在服務器領域主要使用的內(nèi)存類型 (DIMM) 有三種 ——UDIMM、RDIMM 和 LRDIMM。RDIMM 全稱為 Registered DIM
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          • 關鍵字：
                        美光  DDR5                          
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          DRAM大廠：Q3產(chǎn)品價格可望回穩(wěn)？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 6月5日，DRAM大廠南亞科公布2023年5月自結合并營收為新臺幣23.09億元，月增加2.17%、年減少62.74%，仍創(chuàng)下今年新高水準。累計前5月合并營收為新臺幣109.94億元，年減少66.42%。據(jù)中國臺灣媒體《中時新聞網(wǎng)》引述南亞科總經(jīng)理提到，DRAM市況預期第三季產(chǎn)品價格可望回穩(wěn)。南亞科總經(jīng)理認為，以今年整體狀況而言，DRAM需求成長率可能低于長期平均值，但DRAM是電子產(chǎn)品智能化的關鍵元件，未來各種消費型智能電子產(chǎn)品的推陳出新，加上5G、AI、智慧城市、智能工廠、智能汽車、智能家庭、智能穿戴
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          • 關鍵字：
                        DRAM  TrendForce                          
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          DDR5 重新下跌，內(nèi)存現(xiàn)貨價格未見回暖
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 業(yè)界對 DDR5 DRAM 的市場預期不太樂觀。
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          • 關鍵字：
                        NAND Flash  NAND  DDR5                          
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          海力士完成業(yè)界首個 1bnm DDR5 服務器 DRAM 兼容性驗證流程
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • IT之家5 月 30 日消息，海力士宣布已經(jīng)完成了 1bnm 的開發(fā)，這是 10 納米工藝技術的第五代，并對針對英特爾至強處理器的 DDR5 產(chǎn)品的內(nèi)存程序進行驗證。海力士的 DRAM 開發(fā)主管 Jonghwan Kim 說，1bnm 將在 2024 年上半年被 LPDDR5T 和 HBM3E 等產(chǎn)品所采用。英特爾內(nèi)存和 IO 技術副總裁 Dimitrios Ziakas 表示：英特爾一直在與內(nèi)存行業(yè)合作，以確保 DDR5 內(nèi)存在英特爾至強可擴展平臺上的兼容性；海力士 1bnm 是其中第一個針對
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          • 關鍵字：
                        海力士  DDR5                          
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          韓媒：三星已組建開發(fā)團隊，以量產(chǎn)4F2結構DRAM
          
                                                            
            
                    	
          • 5月26日，韓國媒體The Elec引用知情人士消息稱，三星電子近日在其半導體研究中心內(nèi)組建了一個開發(fā)團隊，以量產(chǎn)4F2結構DRAM。4F2結構DRAM能夠大大提高DRAM的存儲密度，方便研究團隊克服DRAM線寬縮減的極限，增加DRAM制造的效率。報道稱，如果三星4F2 DRAM存儲單元結構研究成功，在不改變節(jié)點的情況下，與現(xiàn)有的6F2 DRAM存儲單元結構相比，芯片DIE面積可以減少30%左右。4F2結構是大約10年前DRAM產(chǎn)業(yè)未能商業(yè)化的單元結構技術，據(jù)說工藝難點頗多。不過三星認為，與SK海力士和美
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          • 關鍵字：
                        三星  4F2結構  DRAM                          
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          不改變工藝讓芯片面積減少 30%，三星組建團隊開發(fā) 4F2 DRAM
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • IT之家 5 月 26 日消息，根據(jù)韓媒 The Elec 報道，三星組建了一支專業(yè)的團隊，負責開發(fā) 4F2 DRAM 存儲單元結構。相比較現(xiàn)有的 6F2 級別，在不改變工藝節(jié)點的情況下，芯片面積最高可減少 30%。4F Square 是一種單元結構技術，DRAM 行業(yè)早在 10 年前就嘗試商業(yè)化，但最后以失敗告終。三星組建了專業(yè)的團隊，研發(fā) 4F2 結構。IT之家從韓媒報道中獲悉，晶體管根據(jù)電流流入和流出的方向，形成源極（S）、柵極（G）和漏極（D）整套系統(tǒng)。在漏極（D）上方安裝一個
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          • 關鍵字：
                        三星  DRAM                          
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          DRAM一季營收環(huán)比下降21.2%，連續(xù)三個季度衰退
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，今年第一季DRAM產(chǎn)業(yè)營收約96.6億美元，環(huán)比下降21.2%，已續(xù)跌三個季度。出貨量方面僅美光有上升，其余均衰退；平均銷售單價三大原廠均下跌。目前因供過于求尚未改善，價格依舊續(xù)跌，然而在原廠陸續(xù)減產(chǎn)后，DRAM下半年價格跌幅將有望逐季收斂。展望第二季，雖出貨量增加，但因價格跌幅仍深，預期營收成長幅度有限。營收方面，三大原廠營收均下滑，三星（Samsung）自家品牌的新機備貨訂單有限，出貨量與平均銷售單價（ASP）同步下跌，營收約41.7億美元，環(huán)比下降24.7%。
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          • 關鍵字：
                        DRAM  TrendForce                          
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          需求好轉？兩家存儲廠商部分應用領域出現(xiàn)急單
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 受消費電子市場需求疲弱影響，存儲產(chǎn)業(yè)2022年下半年以來持續(xù)“過冬”，加上今年一季度為市場淡季，供過于求關系下，產(chǎn)業(yè)庫存高企。第二季度存儲產(chǎn)業(yè)市況如何？未來是否將有所好轉？近期，南亞科、華邦電兩家存儲廠商對此進行了回應。南亞科：庫存逐步去化，部分應用領域已出現(xiàn)急單近期，媒體報道，DRAM廠商南亞科表示，今年一季度是產(chǎn)業(yè)庫存高點，在需求與供應端改善下，庫存正逐步去化，預期本季DRAM市況有望落底，公司在部分應用領域已出現(xiàn)急單。為滿足市場應用需求趨勢，南亞科持續(xù)開發(fā)高速與低功耗產(chǎn)品，在技術推進上，20納米產(chǎn)品
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          • 關鍵字：
                        存儲廠商  DRAM                          
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          ddr5 dram介紹
          
      			
          
		      	
          
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