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          英飛凌徐輝:半導(dǎo)體是未來技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展的基礎(chǔ)

          •   1月14日-15日,2017中國電動汽車百人會論壇在釣魚臺國賓館舉行,騰訊汽車作為戰(zhàn)略合作媒體將進(jìn)行全程直播。會上,英飛凌科技(中國)有限公司大中華區(qū)副總裁徐輝進(jìn)行了主題演講。   以下為發(fā)言實錄:   大家早上好!首先非常開心今天能再次來到百人會的論壇,能分享英飛凌對整個行業(yè)發(fā)展的看法和觀點(diǎn)。   今天在吳主任的領(lǐng)導(dǎo)下,演講嘉賓分工比較明確,今天我想談一談半導(dǎo)體如何支持整個汽車行業(yè)創(chuàng)新。正好中車的丁總也把功率半導(dǎo)體IGBT這方面講了,我更多從我們的角度出發(fā),功能安全和信息安全正好分開了,不用重
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  IGBT  

          中國工程院院士丁榮軍:汽車功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展趨勢

          •   我的匯報分三個部分。   首先簡單介紹汽車功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展趨勢。   功率半導(dǎo)體器件最早都是由晶閘管后來變成GTO到MOSFET,到現(xiàn)在用得比較多的IGBT器件。IGBT器件跟傳統(tǒng)的器件相比,主要是驅(qū)動比較簡單,同時損耗比較小,比較適合用于牽引傳動包括電機(jī)控制器等。IGBT器件包括原來講的功率半導(dǎo)體器件,都被譽(yù)為傳統(tǒng)系統(tǒng),在高鐵里一樣,把它稱之為“心臟”。它主要起到能量傳輸和能量的點(diǎn)的轉(zhuǎn)換,是電機(jī)控制系統(tǒng)的CPU。   目前電動汽車器件大概占到控制器總成本的30%左右
          • 關(guān)鍵字: IGBT  功率半導(dǎo)體  

          解析國內(nèi)IGBT增量需求主力何在

          • 受益于新能源電動汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通的快速發(fā)展,未來IGBT市場將迎來爆發(fā)。
          • 關(guān)鍵字: IGBT  

          助力工業(yè)4.0發(fā)展 世強(qiáng)創(chuàng)新應(yīng)用研討會圓滿舉行

          • 傳統(tǒng)工業(yè)如何乘著工業(yè)4.0的東風(fēng),加快智能制造裝備發(fā)展、加快構(gòu)建工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)基礎(chǔ)、加強(qiáng)關(guān)鍵共性技術(shù)創(chuàng)新也成為現(xiàn)今的熱點(diǎn)問題,這次世強(qiáng)舉辦研討會,旨在幫助工程師了解工業(yè)4.0的相關(guān)器件產(chǎn)品、前沿技術(shù)方案,從而更好的解決其在創(chuàng)新時的問題。
          • 關(guān)鍵字: 工業(yè)4.0  IGBT  

          無刷直流電機(jī)控制器硬件設(shè)計和實現(xiàn)

          • 0引言無刷直流電機(jī)(以下簡稱BLDCM)用電子換相器取代機(jī)械換向器,根除了電刷和換向器接觸磨損所導(dǎo)致的壽命周期短、電氣絕緣低、火花干擾強(qiáng)
          • 關(guān)鍵字: BLDC  無刷直流電機(jī)  IGBT  旋轉(zhuǎn)變壓  

          研發(fā)、制造、應(yīng)用 高鐵IGBT芯片實現(xiàn)全面國產(chǎn)化

          • IGBT芯片的研發(fā)成功意味著,按中國標(biāo)準(zhǔn)制造的高鐵上,將安裝具有我國完全自主知識產(chǎn)權(quán)的‘中國芯’。
          • 關(guān)鍵字: IGBT  芯片  

          我國IGBT首次出口海外市場

          •   根據(jù)湖南省經(jīng)濟(jì)和信息化委員會發(fā)布的消息,近日,中車株洲電力機(jī)車研究所有限公司(中車株洲所)自主研發(fā)的8英寸IGBT產(chǎn)品,成功中標(biāo)印度機(jī)車市場,將用于該國電力貨運(yùn)重載機(jī)車改造升級項目,這是該產(chǎn)品首次出口海外。   絕緣雙極性晶體管(IGBT)是目前技術(shù)最先進(jìn)的電力電子器件,廣泛應(yīng)用于家用電器、新能源裝備、軌道交通、直流輸電、自動化和智能控制領(lǐng)域,被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”。該技術(shù)一直由英飛凌、ABB、三菱等國外公司壟斷。中車株洲所在引進(jìn)吸收的基礎(chǔ)上,建成世界第二條8英寸I
          • 關(guān)鍵字: IGBT  

          全橋型IGBT脈沖激光電源電路

          • V1—V4組成橋式逆變器,兩端并聯(lián)RCD吸收支路,L為限流電感,Co為儲能電容,Lo用于限制Co對負(fù)載氙燈的放電電流,保護(hù)氙燈。此處將限流電感L放在變壓器原邊。這除了能實現(xiàn)功率管的零電壓開通外,例如在V1,V4關(guān)斷后,由于L的續(xù)流作用,D2...
          • 關(guān)鍵字: 全橋型  IGBT  脈沖激光  電源電路  

          IGBT變頻電源電路

          • JS為軟啟動控制,避免上電時浪涌電流對整流模塊的沖擊。IGBT變頻電源電路:
          • 關(guān)鍵字: IGBT  變頻電源  

          IGBT基本結(jié)構(gòu)及電路圖

          • IGBT實在BDMOS型功率場效應(yīng)管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的。在VDMOS結(jié)構(gòu)的漏極側(cè)N+層下,增加一個P+層發(fā)射極而行程pn,如圖1-31所示,就構(gòu)成IGBT。
          • 關(guān)鍵字: IGBT  基本結(jié)構(gòu)  

          IGBT靜態(tài)特性與參數(shù)及電路圖

          • IGBT的靜態(tài)特性包括伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和靜態(tài)開關(guān)特性。IGBT的伏安特性如圖1-33所示,與GTR的伏安特性基本相似,不同的是,控制參數(shù)是柵源電壓,而不是基極電流。...
          • 關(guān)鍵字: IGBT  靜態(tài)特性  

          IGBT的保護(hù)及電路圖

          • IGBT的保護(hù)措施,主要包括過壓保護(hù)和過流保護(hù)兩類。使用中,對于IGBT因關(guān)斷而產(chǎn)生的開關(guān)浪涌電壓,可以采用適當(dāng)?shù)木彌_回路抑制它,使器件免于損壞。...
          • 關(guān)鍵字: IGBT  電路圖  

          VMOS、IGBT逆變充電電路圖

          • 逆變器中的開關(guān)元件選用VMOS或IGBT時,組成的充電電路,比用晶閘管作開關(guān)元件的充電電路的工作頻率高。
          • 關(guān)鍵字: VMOS  IGBT  逆變充電  電路圖  

          中國IGBT產(chǎn)品首次單獨(dú)批量打入海外機(jī)車市場

          • IGBT芯片技術(shù)含量極高,制造難度非常大,其研發(fā)、制造、應(yīng)用是衡量一個國家科技創(chuàng)新和高端制造業(yè)水平的重要標(biāo)志。
          • 關(guān)鍵字: IGBT  

          IGBT的驅(qū)動與保護(hù)電路

          • 由綜合放大電路板(ZHFD)產(chǎn)生的輸出信號被送入SG3526,產(chǎn)生PWM脈沖,此信號與反饋信號進(jìn)行邏輯運(yùn)算后送入HL403B厚膜驅(qū)動器,當(dāng)IGBT產(chǎn)生過流、短路故障時,借助于IGBT內(nèi)部的短路、欠飽和、軟關(guān)斷、降柵壓保護(hù)功能,保護(hù)信號通過光...
          • 關(guān)鍵字: IGBT  驅(qū)動  保護(hù)電路  
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          igbt-ipm介紹

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