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英飛凌徐輝:半導(dǎo)體是未來技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展的基礎(chǔ)
- 1月14日-15日,2017中國電動汽車百人會論壇在釣魚臺國賓館舉行,騰訊汽車作為戰(zhàn)略合作媒體將進(jìn)行全程直播。會上,英飛凌科技(中國)有限公司大中華區(qū)副總裁徐輝進(jìn)行了主題演講。 以下為發(fā)言實錄: 大家早上好!首先非常開心今天能再次來到百人會的論壇,能分享英飛凌對整個行業(yè)發(fā)展的看法和觀點(diǎn)。 今天在吳主任的領(lǐng)導(dǎo)下,演講嘉賓分工比較明確,今天我想談一談半導(dǎo)體如何支持整個汽車行業(yè)創(chuàng)新。正好中車的丁總也把功率半導(dǎo)體IGBT這方面講了,我更多從我們的角度出發(fā),功能安全和信息安全正好分開了,不用重
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中國工程院院士丁榮軍:汽車功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展趨勢
- 我的匯報分三個部分。 首先簡單介紹汽車功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展趨勢。 功率半導(dǎo)體器件最早都是由晶閘管后來變成GTO到MOSFET,到現(xiàn)在用得比較多的IGBT器件。IGBT器件跟傳統(tǒng)的器件相比,主要是驅(qū)動比較簡單,同時損耗比較小,比較適合用于牽引傳動包括電機(jī)控制器等。IGBT器件包括原來講的功率半導(dǎo)體器件,都被譽(yù)為傳統(tǒng)系統(tǒng),在高鐵里一樣,把它稱之為“心臟”。它主要起到能量傳輸和能量的點(diǎn)的轉(zhuǎn)換,是電機(jī)控制系統(tǒng)的CPU。 目前電動汽車器件大概占到控制器總成本的30%左右
- 關(guān)鍵字: IGBT 功率半導(dǎo)體
解析國內(nèi)IGBT增量需求主力何在
- 受益于新能源電動汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通的快速發(fā)展,未來IGBT市場將迎來爆發(fā)。
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無刷直流電機(jī)控制器硬件設(shè)計和實現(xiàn)
- 0引言無刷直流電機(jī)(以下簡稱BLDCM)用電子換相器取代機(jī)械換向器,根除了電刷和換向器接觸磨損所導(dǎo)致的壽命周期短、電氣絕緣低、火花干擾強(qiáng)
- 關(guān)鍵字: BLDC 無刷直流電機(jī) IGBT 旋轉(zhuǎn)變壓
我國IGBT首次出口海外市場
- 根據(jù)湖南省經(jīng)濟(jì)和信息化委員會發(fā)布的消息,近日,中車株洲電力機(jī)車研究所有限公司(中車株洲所)自主研發(fā)的8英寸IGBT產(chǎn)品,成功中標(biāo)印度機(jī)車市場,將用于該國電力貨運(yùn)重載機(jī)車改造升級項目,這是該產(chǎn)品首次出口海外。 絕緣雙極性晶體管(IGBT)是目前技術(shù)最先進(jìn)的電力電子器件,廣泛應(yīng)用于家用電器、新能源裝備、軌道交通、直流輸電、自動化和智能控制領(lǐng)域,被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”。該技術(shù)一直由英飛凌、ABB、三菱等國外公司壟斷。中車株洲所在引進(jìn)吸收的基礎(chǔ)上,建成世界第二條8英寸I
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IGBT基本結(jié)構(gòu)及電路圖
- IGBT實在BDMOS型功率場效應(yīng)管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的。在VDMOS結(jié)構(gòu)的漏極側(cè)N+層下,增加一個P+層發(fā)射極而行程pn,如圖1-31所示,就構(gòu)成IGBT。
- 關(guān)鍵字: IGBT 基本結(jié)構(gòu)
中國IGBT產(chǎn)品首次單獨(dú)批量打入海外機(jī)車市場
- IGBT芯片技術(shù)含量極高,制造難度非常大,其研發(fā)、制造、應(yīng)用是衡量一個國家科技創(chuàng)新和高端制造業(yè)水平的重要標(biāo)志。
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