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安森美半導(dǎo)體推出新的900 V和 1200 V SiC MOSFET用于高要求的應(yīng)用

近日，推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON），推出另兩個(gè)碳化硅（SiC） MOSFET系列，擴(kuò)展了其寬禁帶（WBG）器件系列。?這些新器件適用于各種高要求的高增長(zhǎng)應(yīng)用，包括太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)汽車（EV）車載充電、不間斷電源（UPS）、服務(wù)器電源和EV充電樁，提供的性能水平是硅（Si）?MOSFET根本無(wú)法實(shí)現(xiàn)的。安森美半導(dǎo)體的新的1200伏（V）和900 V N溝道SiC MOSFET提供比硅更快的開關(guān)性能和更高的可靠性。快速本征二
關(guān)鍵字： SiC WBG

CISSOID宣布推出用于電動(dòng)汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊

各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID近日宣布，將繼續(xù)致力于應(yīng)對(duì)汽車和工業(yè)市場(chǎng)的挑戰(zhàn)，并推出用于電動(dòng)汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊（IPM）平臺(tái)。這項(xiàng)新的智能功率模塊技術(shù)提供了一種一體化解決方案，即整合了內(nèi)置柵極驅(qū)動(dòng)器的三相水冷式碳化硅MOSFET模塊。這個(gè)全新的可擴(kuò)展平臺(tái)同時(shí)優(yōu)化了功率開關(guān)的電氣、機(jī)械和散熱設(shè)計(jì)及其臨界控制，對(duì)于電動(dòng)汽車（EV）整車廠和愿意快速采用基于碳化硅的逆變器以實(shí)現(xiàn)更高效、更簡(jiǎn)潔電機(jī)驅(qū)動(dòng)的電動(dòng)機(jī)制造商而言，該平臺(tái)可以幫助他們加快產(chǎn)品上市時(shí)間。該可擴(kuò)展
關(guān)鍵字： SiC IPM

電機(jī)的應(yīng)用趨勢(shì)及控制解決方案

顧偉俊? （羅姆半導(dǎo)體（上海）有限公司?技術(shù)中心?現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師）摘? 要：介紹了電機(jī)的應(yīng)用趨勢(shì)，以及MCU、功率器件的產(chǎn)品動(dòng)向。關(guān)鍵詞：電機(jī)；BLDC；MCU；SiC；IPM1? 電機(jī)的應(yīng)用趨勢(shì)?隨著智能家居、工業(yè)自動(dòng)化、物流自動(dòng)化等概念的普及深化，在與每個(gè)人息息相關(guān)的家電領(lǐng)域、車載領(lǐng) 域以及工業(yè)領(lǐng)域，各類電機(jī)在技術(shù)方面都出現(xiàn)了新的需求。?在家電領(lǐng)域，電器的智能化需要電器對(duì)人機(jī)交流產(chǎn)生相應(yīng)的反饋。例如掃地機(jī)器人需要掃描計(jì)算空間，規(guī)劃路線，然后執(zhí) 行移動(dòng)以及相應(yīng)
關(guān)鍵字： 202003 電機(jī) BLDC MCU SiC IPM

碳化硅（SiC）功率器件或在電動(dòng)汽車領(lǐng)域一決勝負(fù)

電力電子器件的發(fā)展歷史大致可以分為三個(gè)大階段：硅晶閘管（可控硅）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和剛顯露頭角的碳化硅（SiC）系列大功率半導(dǎo)體器件。碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料，與普通的硅材料相比，碳化硅的優(yōu)勢(shì)非常突出，它不僅克服了普通硅材料的某些缺點(diǎn)，在功耗上也有非常好的表現(xiàn)，因而成為電力電子領(lǐng)域目前最具前景的半導(dǎo)體材料。正因?yàn)槿绱?，已?jīng)有越來(lái)越多的半導(dǎo)體企業(yè)開始進(jìn)入SiC市場(chǎng)。到2023年，SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)將達(dá)到15億美元。SiC器件的供應(yīng)商包括Fuji、英飛凌、Littelfuse、三菱、安森
關(guān)鍵字：碳化硅、SiC、功率器件、電動(dòng)汽車

英飛凌650V CoolSiC MOSFET系列為更多應(yīng)用帶來(lái)最佳可靠性和性能水平

近日，英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）進(jìn)一步擴(kuò)展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC? MOSFET滿足了包括服務(wù)器、電信和工業(yè)SMPS、太陽(yáng)能系統(tǒng)、能源存儲(chǔ)和電池化成、不間斷電源（UPS）、電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)以及電動(dòng)汽車充電在內(nèi)的大量應(yīng)用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。“隨著新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細(xì)分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合，”英飛凌電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部高壓轉(zhuǎn)換業(yè)務(wù)高級(jí)總監(jiān)St
關(guān)鍵字： SiC MOSFET

如何利用 SiC 打造更好的電動(dòng)車牽引逆變器

在本文中，我們將調(diào)查電動(dòng)車牽引逆變器采用 SiC 技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。我們將展示在各種負(fù)荷條件下逆變器的能效是如何提升的，包括從輕負(fù)荷到滿負(fù)荷。使用較高的運(yùn)行電壓與高效的 1200V SiC FET 可以幫助降低銅損。還可以提高逆變器開關(guān)頻率，以對(duì)電機(jī)繞組輸出更理想的正弦曲線波形和降低電機(jī)內(nèi)的鐵損。預(yù)計(jì)在所有這些因素的影響下，純電動(dòng)車的單次充電行駛里程將提高 5-10%，同時(shí)，降低的損耗還能簡(jiǎn)化冷卻問(wèn)題。簡(jiǎn)介近期的新聞表明，純電動(dòng)車?(BEV) 的數(shù)量增加得比之前的預(yù)期要快。這促使汽車制造商（包括現(xiàn)有制
關(guān)鍵字： SiC BEV 牽引逆變器

羅姆集團(tuán)旗下的SiCrystal與意法半導(dǎo)體就碳化硅（SiC）晶圓長(zhǎng)期供貨事宜達(dá)成協(xié)議

近日，全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆和意法半導(dǎo)體（以下簡(jiǎn)稱“ST”）宣布，雙方就碳化硅（以下簡(jiǎn)稱“SiC”）晶圓由羅姆集團(tuán)旗下的SiCrystal GmbH （以下簡(jiǎn)稱“SiCrystal”）供應(yīng)事宜達(dá)成長(zhǎng)期供貨協(xié)議。在SiC功率元器件快速發(fā)展及其需求高速增長(zhǎng)的大背景下，雙方達(dá)成超1.2億美元的協(xié)議，由SiCrystal（SiC晶圓生產(chǎn)量歐洲第一）向ST（面向眾多電子設(shè)備提供半導(dǎo)體的全球性半導(dǎo)體制造商）供應(yīng)先進(jìn)的150mm SiC晶圓。ST　總經(jīng)理兼首席執(zhí)行官（CEO）　Jean-Marc Chery 說(shuō)：
關(guān)鍵字： SiC 車載

使用ADuM4136隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器和LT3999 DC/DC轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)1200 V SiC電源模塊

簡(jiǎn)介電動(dòng)汽車、可再生能源和儲(chǔ)能系統(tǒng)等電源發(fā)展技術(shù)的成功取決于電力轉(zhuǎn)換方案能否有效實(shí)施。電力電子轉(zhuǎn)換器的核心包含專用半導(dǎo)體器件和通過(guò)柵極驅(qū)動(dòng)器控制這些新型半導(dǎo)體器件開和關(guān)的策略。目前最先進(jìn)的寬帶器件，如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體具有更高的性能，如600 V至2000 V的高電壓額定值、低通道阻抗，以及高達(dá)MHz范圍的快速切換速度。這些提高了柵極驅(qū)動(dòng)器的性能要求，例如，，通過(guò)去飽和以得到更短的傳輸延遲和改進(jìn)的短路保護(hù)。本應(yīng)用筆記展示了ADuM4136 柵極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)，這款單通道器件的輸出驅(qū)動(dòng)能
關(guān)鍵字： DC/DC SiC

Nexperia 推出行業(yè)領(lǐng)先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)

近日，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業(yè)制造商N(yùn)experia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進(jìn)入氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管(GaN)市場(chǎng)。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m?）以及快速的開關(guān)切換；效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標(biāo)是高性能要求的應(yīng)用市場(chǎng)，包括電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心、電信設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化和高端電源。Nexperi
關(guān)鍵字： Nexperia GaN FET 氮化鎵功率器件 MOSFET 器件

CISSOID與國(guó)芯科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID近日宣布：在湖南株洲舉行的中國(guó)IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第五屆國(guó)際學(xué)術(shù)論壇上，公司與湖南國(guó)芯半導(dǎo)體科技有限公司（簡(jiǎn)稱“國(guó)芯科技”）簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議，將攜手開展寬禁帶功率技術(shù)的研究開發(fā)，充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢(shì)，并推動(dòng)其在眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用。近年來(lái)，寬禁帶半導(dǎo)體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優(yōu)勢(shì)，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領(lǐng)域開始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。然而，在各類應(yīng)用中
關(guān)鍵字： IGBT SiC GaN

SiC MOSFET在汽車和電源應(yīng)用中優(yōu)勢(shì)顯著

商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問(wèn)世以來(lái)，MOSFET和IGBT一直是開關(guān)電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等電路設(shè)計(jì)。不過(guò)，這一成功也讓MOSFET和IGBT體會(huì)到因成功反而受其害的含義。隨著產(chǎn)品整體性能的改善，特別是導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗的大幅降低，這些半導(dǎo)體開關(guān)的應(yīng)用范圍越來(lái)越廣。結(jié)果，市場(chǎng)對(duì)這些硅基MOSFET和IGBT的期望越來(lái)越高，對(duì)性能的要求越來(lái)越高。盡管主要的半導(dǎo)體研發(fā)機(jī)構(gòu)和廠商下大力氣滿足市場(chǎng)要求，進(jìn)一步改進(jìn)MOSFET/ IGBT產(chǎn)品，但在某些時(shí)候，收益遞減
關(guān)鍵字： SiC MOSFET 意法半導(dǎo)體

ST進(jìn)軍工業(yè)市場(chǎng)，打造豐富多彩的工業(yè)樂(lè)園

近日，意法半導(dǎo)體（ST）在華舉辦了“ST工業(yè)巡演2019”。在北京站，ST亞太區(qū)功率分立和模擬產(chǎn)品器件部區(qū)域營(yíng)銷和應(yīng)用副總裁Francesco Muggeri分析了工業(yè)市場(chǎng)的特點(diǎn)，并介紹了ST的產(chǎn)品線寬泛且通用性強(qiáng)，能夠提供完整系統(tǒng)的支持。1 芯片廠商如何應(yīng)對(duì)工業(yè)市場(chǎng)少量多樣的挑戰(zhàn)工業(yè)領(lǐng)域呈現(xiàn)多樣、少量的特點(diǎn)，需要改變消費(fèi)類電子大規(guī)模生產(chǎn)的模式，實(shí)現(xiàn)少量、高質(zhì)量的生產(chǎn)。具體地，工業(yè)的一大挑戰(zhàn)是應(yīng)用的多樣化，即一個(gè)大應(yīng)用下面通常有很多小的子應(yīng)用，所以產(chǎn)品會(huì)非標(biāo)準(zhǔn)化，即一個(gè)產(chǎn)品只能針對(duì)某一類小應(yīng)用/小客戶的需
關(guān)鍵字：電機(jī) MCU 電源 SiC

ROHM開發(fā)出4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都），開發(fā)出6款溝槽柵結(jié)構(gòu)※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產(chǎn)品（650V／1200V耐壓），非常適用于要求高效率的服務(wù)器用電源、太陽(yáng)能逆變器及電動(dòng)汽車的充電站等。此次新開發(fā)的系列產(chǎn)品采用4引腳封裝（TO-247-4L），可充分地發(fā)揮出SiC MOSFET本身的高速開關(guān)性能。與以往3引腳封裝（TO-247N）相比，開關(guān)損耗可降低約35％，非常有助于進(jìn)一步降低各種設(shè)備的功耗。另外，羅姆也已開始供應(yīng)SiC MOSFET評(píng)估板“P02SCT304
關(guān)鍵字： SiC MOSFET

科銳宣布與德爾?？萍奸_展汽車SiC器件合作

近日，科銳宣布與德爾福科技（Delphi Technologies PLC）開展汽車碳化硅（SiC）器件合作。
關(guān)鍵字：科銳德爾福科技 SiC

SiC: 為何被稱為是新一代功率半導(dǎo)體？

　　王?瑩?（《電子產(chǎn)品世界》編輯，北京?100036）　　SiC(碳化硅)作為第三代半導(dǎo)體，以耐高壓、高溫和高頻，在高性能功率半導(dǎo)體上顯出優(yōu)勢(shì)。據(jù)SiC廠商羅姆基于IHS的調(diào)查顯示，2025年整個(gè)市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到約23億美元。在應(yīng)用中，在光伏和服務(wù)器市場(chǎng)最大，正處于發(fā)展中的市場(chǎng)是xEV（電動(dòng)與混動(dòng)汽車）。隨著SiC產(chǎn)品特性越做越好，在需要更高電壓的鐵路和風(fēng)電上將會(huì)得到更多的應(yīng)用?！　〔贿^(guò)，制約SiC發(fā)展的關(guān)鍵是價(jià)格，主要原因有兩個(gè)：襯底和晶圓尺寸。例如晶圓尺寸越大，成本也會(huì)相應(yīng)地下降，羅姆等公司已經(jīng)有6英
關(guān)鍵字： 201909 新一代功率半導(dǎo)體 SiC