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SiC將達23億美元規(guī)模，技術(shù)精進是主攻方向
- ? ? ? SiC(碳化硅)作為第三代半導(dǎo)體，以耐高壓、高溫和高頻，在高性能功率半導(dǎo)體上顯出優(yōu)勢。在應(yīng)用中，在光伏和服務(wù)器市場最大，正處于發(fā)展中的市場是xEV（電動與混動汽車）。隨著SiC產(chǎn)品特性越做越好，在需要更高電壓的鐵路和風(fēng)電上將會得到更多的應(yīng)用。? ? ? 不過，制約SiC發(fā)展的，最主要的是價格，主要原因有兩個，一個是襯底，一個是晶圓尺寸所限。例如晶圓尺寸越大，成本也會相應(yīng)地下降，ROHM等公司已經(jīng)有6英寸的晶圓片。在技術(shù)方面，眾廠商競爭
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對更高功率密度的需求推動電動工具創(chuàng)新解決方案
- 電動工具中直流電機的配置已從有刷直流大幅轉(zhuǎn)向更可靠、更高效的無刷直流（BLDC）解決方案轉(zhuǎn)變。斬波器配置等典型有刷直流拓?fù)渫ǔ８鶕?jù)雙向開關(guān)的使用與否實現(xiàn)一個或兩個功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。另一方面，三相BLDC配置需要三個半橋或至少六個場效應(yīng)管（FET），因此從有刷電流轉(zhuǎn)向無刷電流意味著全球電動工具FET總區(qū)域市場增長了3到6倍（見圖1）。圖1：從有刷拓?fù)滢D(zhuǎn)換到無刷拓?fù)湟馕吨鳩ET數(shù)量出現(xiàn)了6倍倍增但BLDC設(shè)計在這些FET上提出了新的技術(shù)要求。例如，若電路板上FET的數(shù)量6倍倍增
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SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10個機型， 產(chǎn)品陣容豐富且支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10個機型，該系列產(chǎn)品支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※2)，而且產(chǎn)品陣容豐富，擁有13個機型。 ROHM于2010年在全球率先成功實現(xiàn)SiC MOSFET的量產(chǎn)，在SiC功率元器件領(lǐng)域，ROHM始終在推動領(lǐng)先的產(chǎn)品開發(fā)和量產(chǎn)體制構(gòu)建。在需求不斷擴大的車載市場，ROHM也及時確立車載品質(zhì)，并于2012年開始供應(yīng)車載充電器用的SiC肖特
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安森美半導(dǎo)體將在APEC 2019演示 用先進云聯(lián)接的Strata Developer Studio?快速分析電源方案
- 2019年3月14日 — 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，將在美國加利福尼亞州阿納海姆舉行的APEC 2019展示由Strata Developer Studio? 開發(fā)平臺支持的新電源方案板。Strata便于快速、簡易評估應(yīng)用廣泛的電源方案，使用戶能在一個具充分代表性的環(huán)境中查看器件并分析其性能。工程師用此縮小可行器件和系統(tǒng)方案的選擇范圍，且在采購硬件和完成設(shè)計之前對系統(tǒng)性能有信心?！ trata Developer S
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集邦咨詢：需求持續(xù)擴張，2019年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模逾2,900億元
- Mar. 7, 2019 ---- 全球市場研究機構(gòu)集邦咨詢在最新《中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度分析報告》中指出，受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價，帶動了2018年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣。其中功率分立器件市場規(guī)模為1,874億元人民幣，較2017年同比成長14.7%;電源管理IC市場規(guī)模為717億元人民幣，較2017年同比增長8%?！ 〖钭稍兎治鰩熤x瑞峰指出，功率半導(dǎo)體作為需求驅(qū)動型的產(chǎn)業(yè)，2019年
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碳化硅MOSFET的短路實驗性能與有限元分析法熱模型的開發(fā)
- 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態(tài)變化進行深度評估。
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Power Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET門極驅(qū)動器，可最大程度提高效率及安全性
- 深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號：POWI)今日推出SIC1182K SCALE-iDriver? —— 這是一款市售可提供高效率、單通道碳化硅(SiC) MOSFET門極驅(qū)動器，可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動級。新品件經(jīng)過設(shè)定后可支持不同的門極驅(qū)動電壓，來滿足市售SiC-MOSFET的需求;其主要應(yīng)用包括不間斷電源(UPS)、光伏系統(tǒng)、伺服驅(qū)動器、電焊機和電源?！ IC1182K可在125°C結(jié)溫下提供8
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第三代半導(dǎo)體又有新成員？氧化鎵有什么優(yōu)點？
- 目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導(dǎo)體受到的關(guān)注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應(yīng)用場合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無法實現(xiàn)的作用。特別是在未來三大新興應(yīng)用領(lǐng)域(汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車方面，會有非常廣闊的發(fā)展前景。 然而，SiC和GaN并不是終點，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導(dǎo)體在更高功率的應(yīng)用方面具有獨特優(yōu)勢。因此，近幾年關(guān)于氧化鎵的研究又熱了起來?！ 嶋H上，氧化鎵并不是很新的技術(shù)，多年前就
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 SiC GaN
看看國外廠商正在發(fā)力研究的這些新技術(shù)
- 每年十二月，在美國舊金山或華盛頓哥倫比亞特區(qū)其中一處舉行的年度電子會議。此會議作為一個論壇，在其中報告半導(dǎo)體、電子元件技術(shù)、設(shè)計、制造、物理與模型等領(lǐng)域中的技術(shù)突破。這個會會議就是IEEE國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting，縮寫：IEDM) 在每一界的IEDM上，全球工業(yè)界與學(xué)界的管理者、工程師和科學(xué)家將會聚集在一起討論納米級CMOS晶體管技術(shù)、先進內(nèi)存、顯示、感測器、微機電系統(tǒng)元件、新穎量子與納米級規(guī)模元件、粒子物理學(xué)現(xiàn)象、光電工程、
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北汽新能源聯(lián)手羅姆半導(dǎo)體，推動SiC產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)
- 11月30日，北汽新能源(北汽藍(lán)谷 600733)與羅姆半導(dǎo)體集團合作成立SiC產(chǎn)品技術(shù)聯(lián)合實驗室。北汽新能源執(zhí)行副總經(jīng)理陳上華與羅姆半導(dǎo)體集團董事末永良明現(xiàn)場簽署了合作協(xié)議書，并共同為SiC產(chǎn)品技術(shù)聯(lián)合試驗室揭牌?！ ≡撀?lián)合實驗室的成立，是北汽新能源在新能源汽車領(lǐng)域不斷加強自主技術(shù)實力的重要舉措，聯(lián)合實驗室成立后，北汽新能源將可以與羅姆半導(dǎo)體集團共同深入到碳化硅等新技術(shù)的預(yù)研中，并圍繞碳化硅的新產(chǎn)品進行全面合作開發(fā)。 近年來，以SiC為代表的第三代功率半導(dǎo)體材料，已經(jīng)被廣泛應(yīng)用在新能源
- 關(guān)鍵字： 北汽新能源 羅姆半導(dǎo)體 SiC
使用SiC技術(shù)攻克汽車挑戰(zhàn)
- 摘要 – 在未來幾年投入使用SiC技術(shù)來應(yīng)對汽車電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU 的WInSiC4AP項目所要達到的目標(biāo)之一。ECSEL JU和ESI協(xié)同為該項目提供資金支持，實現(xiàn)具有重大經(jīng)濟和社會影響的優(yōu)勢互補的研發(fā)活動。由DTSMNS(Distretto Tecnologico Sicilia Micro e Nano Sistemi)牽頭，20個項目合作方將在技術(shù)研究、制造工藝、封裝測試和應(yīng)用方面展開為期36個月的開發(fā)合作。本文將討論本項目中與汽車相關(guān)的內(nèi)容，重點介紹有關(guān)SiC技術(shù)和封
- 關(guān)鍵字： SiC WInSiC4AP
ROHM推出1700V 250A全SiC功率模塊
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測試儀等評估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出實現(xiàn)業(yè)界頂級※可靠性的額定值保證1700V 250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。(※截至2018年11月13日 ROHM調(diào)查數(shù)據(jù)) 近年來，由于SiC產(chǎn)品的節(jié)能效果優(yōu)異，以1200V耐壓為主的SiC產(chǎn)品在汽車和工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。隨著各種應(yīng)用的多功能化和高性能化發(fā)展，系統(tǒng)呈高電壓化發(fā)展趨勢，1700V耐壓產(chǎn)品的需求日益旺盛。然而，受
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC
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