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SK海力士與臺(tái)積電攜手加強(qiáng)HBM技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力
- ·雙方就HBM4研發(fā)和下一代封裝技術(shù)合作簽署諒解備忘錄·通過(guò)采用臺(tái)積電的先進(jìn)制程工藝，提升HBM4產(chǎn)品性能·“以構(gòu)建IC設(shè)計(jì)廠、晶圓代工廠、存儲(chǔ)器廠三方合作的方式，突破面向AI應(yīng)用的存儲(chǔ)器性能極限”2024年4月19日，SK海力士宣布，公司就下一代HBM產(chǎn)品生產(chǎn)和加強(qiáng)整合HBM與邏輯層的先進(jìn)封裝技術(shù)，將與臺(tái)積電公司密切合作，雙方近期簽署了諒解備忘錄（MOU）。公司計(jì)劃與臺(tái)積電合作開(kāi)發(fā)預(yù)計(jì)在2026年投產(chǎn)的HBM4，即第六代HBM產(chǎn)品。SK海力士表示：“公司作為AI應(yīng)用的存儲(chǔ)器領(lǐng)域的領(lǐng)先者，與全球頂級(jí)邏輯代
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SK海力士超高性能AI存儲(chǔ)器‘HBM3E’，全球首次投入量產(chǎn)并開(kāi)始向客戶供貨
- · 繼HBM3，其擴(kuò)展版HBM3E也率先進(jìn)入量產(chǎn)階段· 研發(fā)完成后僅隔7個(gè)月開(kāi)始向客戶供貨，期待能實(shí)現(xiàn)最高性能的AI· “將維持用于AI的存儲(chǔ)技術(shù)全球領(lǐng)先地位，并鞏固業(yè)務(wù)競(jìng)爭(zhēng)力”2024年3月19日，SK海力士今日宣布，公司率先成功量產(chǎn)超高性能用于AI的存儲(chǔ)器新產(chǎn)品HBM3E*，將在3月末開(kāi)始向客戶供貨。這是公司去年8月宣布開(kāi)發(fā)完成HBM3E后，僅隔7個(gè)月取得的成果。SK海力士表示，“繼HBM3，公司實(shí)現(xiàn)了全球首次向客戶供應(yīng)現(xiàn)有DRAM最高性能的HBM3E。將通過(guò)成功HBM3
- 關(guān)鍵字： SK 海力士 存儲(chǔ) AI
1年利潤(rùn)暴跌84.9%！三星樂(lè)觀 今年業(yè)績(jī)回暖：存儲(chǔ)漲價(jià)是開(kāi)始
- 2月1日消息，存儲(chǔ)一哥三星2023年的日子不太好過(guò)，全年利潤(rùn)暴跌84.9%，確實(shí)沒(méi)辦法，不過(guò)他們保持樂(lè)觀態(tài)度。2023年IT市場(chǎng)整體低迷，尤其是存儲(chǔ)芯片價(jià)格暴跌的背景下，三星全年?duì)I收為258.94萬(wàn)億韓元，同比減少14.3%；營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為6.57萬(wàn)億韓元，同比下滑84.9%。按照三星的說(shuō)法，2024年上半年業(yè)績(jī)會(huì)回暖，其中以存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格回暖最為明顯，相關(guān)SSD等產(chǎn)品漲價(jià)不會(huì)停止，只會(huì)更猛烈。NAND芯片價(jià)格止跌回升后，目前報(bào)價(jià)仍與三星、鎧俠、SK海力士、美光等供應(yīng)商達(dá)到損益兩平點(diǎn)有一段差距。國(guó)內(nèi)重量級(jí)NAN
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ) 三星 鎂光 海力士 NAND
后疫情時(shí)代需求爆發(fā)，半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)迎來(lái)新的曙光
- 疫情后數(shù)字時(shí)代的復(fù)蘇，使得世界數(shù)字經(jīng)濟(jì)快速發(fā)展、數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)百業(yè)待興，因此數(shù)據(jù)存儲(chǔ)市場(chǎng)也逐漸迎來(lái)活力；存儲(chǔ)市場(chǎng)經(jīng)歷了價(jià)格戰(zhàn)，減產(chǎn)維穩(wěn)到“硬漲價(jià)”，每一步都讓我們看到了日益激烈的競(jìng)爭(zhēng)勢(shì)態(tài)。當(dāng)然，在面對(duì)挑戰(zhàn)和威脅的時(shí)候，也激勵(lì)著存儲(chǔ)技術(shù)持續(xù)突破。與此同時(shí)，環(huán)境的不確定性驟增，人工智能、閃存等技術(shù)的快速發(fā)展，也讓市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局分化，各細(xì)分領(lǐng)域爭(zhēng)奪激烈。存儲(chǔ)器是集成電路的重要組成部分，根據(jù)WSTS統(tǒng)計(jì)，2022年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到5741億美金，其中集成電路市場(chǎng)規(guī)模4744億美金，占比 82.6%，存儲(chǔ)器的市場(chǎng)規(guī)模
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你所需要知道的HBM技術(shù)
- 在2024年即將到來(lái)之際，多家機(jī)構(gòu)給出預(yù)測(cè)，認(rèn)定生成式AI將成為2024年的增長(zhǎng)重點(diǎn)之一?；仡?023年，年初的ChatGPT引爆了今年的生成式AI熱潮，不僅僅是下游市場(chǎng)的AI應(yīng)用，這股大火一直燒到了上游芯片領(lǐng)域，根據(jù)權(quán)威機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，2023年和2024年，AI服務(wù)器將有38%左右的增長(zhǎng)空間。隨著GPU等AI芯片走向高峰的同時(shí)，也極大帶動(dòng)了市場(chǎng)對(duì)新一代內(nèi)存芯片HBM（高帶寬內(nèi)存）的需求。 HBM是何方神圣？ 首先，我們先來(lái)了解一下什么是HBM。HBM全稱為High Bandwich Me
- 關(guān)鍵字： HBM DDR AI GPU 美光 海力士
消息稱 SK 海力士與三星電子 DRAM 市場(chǎng)份額差距已縮小至 4.4%
- 11 月 28 日消息，上周就有研究機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)顯示，在人工智能聊天機(jī)器人 ChatGPT 大火帶動(dòng)的人工智能領(lǐng)域應(yīng)用需求增加的推動(dòng)下，SK 海力士三季度在全球 DRAM 市場(chǎng)的份額達(dá)到了 35%，是他們自成立以來(lái)市場(chǎng)份額最高的一個(gè)季度。而從最新報(bào)告來(lái)看，DRAM 市場(chǎng)份額在三季度創(chuàng)下新高的 SK 海力士，也縮小了同競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星電子在這一產(chǎn)品領(lǐng)域的市場(chǎng)份額差距。研究機(jī)構(gòu)的報(bào)告顯示，SK 海力士 DRAM 產(chǎn)品在三季度的銷售額為 46.3 億美元，環(huán)比增長(zhǎng) 34.59%；三星電子 DRAM 三季度的銷售額則是
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM 海力士
三季度全球 DRAM 銷售額達(dá) 132.4 億美元，連續(xù)兩個(gè)季度環(huán)比增長(zhǎng)
- 11 月 30 日消息，據(jù)外媒報(bào)道，從去年下半年開(kāi)始，受消費(fèi)電子產(chǎn)品需求下滑影響，全球存儲(chǔ)芯片的需求也明顯下滑，三星電子、SK 海力士等主要廠商都受到了影響。但在削減產(chǎn)量、人工智能領(lǐng)域相關(guān)需求增加的推動(dòng)下，DRAM 這一類存儲(chǔ)產(chǎn)品的價(jià)格已在回升，銷售額環(huán)比也在增加。研究機(jī)構(gòu)最新的數(shù)據(jù)就顯示，在今年三季度，全球 DRAM 的銷售額達(dá)到了 132.4 億美元，環(huán)比增長(zhǎng) 19.2%，在一季度的 93.7 億美元之后，已連續(xù)兩個(gè)季度環(huán)比增長(zhǎng)。全球 DRAM 的銷售額在三季度明顯增長(zhǎng)，也就意味著主要廠商的銷售額，環(huán)
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存儲(chǔ)器報(bào)價(jià) 明年H1抬頭
- 三星（Samsung）、海力士（SK Hynix）近期接續(xù)舉行法說(shuō)，釋出對(duì)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)看法，兩大廠商均表示，PC、手機(jī)終端庫(kù)存去化已告一段落、傳統(tǒng)服務(wù)器需求依然疲弱，而AI服務(wù)器需求則較為強(qiáng)勁。業(yè)界人士認(rèn)為，存儲(chǔ)器原廠減產(chǎn)以求獲利的決心不容小覷，在獲利數(shù)字翻正前，應(yīng)會(huì)持續(xù)減產(chǎn)策略，預(yù)期2024年上半年內(nèi)存報(bào)價(jià)向上趨勢(shì)不變。臺(tái)系存儲(chǔ)器相關(guān)廠商包括南亞科、華邦電、群聯(lián)、威剛、創(chuàng)見(jiàn)、十銓、宇瞻等有望受惠。時(shí)序進(jìn)入第四季，三星認(rèn)為，市場(chǎng)復(fù)蘇將加速，在旺季帶動(dòng)之下，市場(chǎng)DRAM、NAND Flash位出貨量，可望分別
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 三星 海力士
全面暫停生產(chǎn)！知名半導(dǎo)體大廠宣布倒閉，虧損超8倍
- 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為現(xiàn)代科技的重要支撐，對(duì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展和社會(huì)進(jìn)步起著關(guān)鍵性的作用。半導(dǎo)體在計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)電子、汽車、工業(yè)控制、醫(yī)療設(shè)備等各個(gè)領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，扮演著連接現(xiàn)實(shí)世界與數(shù)字世界的橋梁。然而，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正面臨著嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。1、技術(shù)研發(fā)半導(dǎo)體技術(shù)日新月異，要保持競(jìng)爭(zhēng)力必須不斷進(jìn)行技術(shù)研發(fā)和創(chuàng)新。新興技術(shù)的涌現(xiàn)不僅促使企業(yè)進(jìn)行升級(jí)換代，同時(shí)也帶來(lái)了更多的市場(chǎng)機(jī)會(huì)。然而，技術(shù)研發(fā)需要投入大量的資金和人力資源，對(duì)于規(guī)模較小的企業(yè)來(lái)說(shuō)具有較大的挑戰(zhàn)。 2、產(chǎn)品質(zhì)量半
- 關(guān)鍵字： 海力士 半導(dǎo)體 通信
消息稱三星和 SK 海力士改進(jìn) HBM 封裝工藝，即將量產(chǎn) 12 層產(chǎn)品
- IT之家 9 月 12 日消息，根據(jù)韓國(guó) The Elec 報(bào)道，三星電子和 SK 海力士?jī)杉夜炯铀偻七M(jìn) 12 層 HBM 內(nèi)存量產(chǎn)。生成式 AI 的爆火帶動(dòng)英偉達(dá)加速卡的需求之外，也帶動(dòng)了對(duì)高容量存儲(chǔ)器（HBM）的需求。HBM 堆疊的層數(shù)越多，處理數(shù)據(jù)的能力就越強(qiáng)，目前主流 HBM 堆疊 8 層，而下一代 12 層也即將開(kāi)始量產(chǎn)。報(bào)道稱 HBM 堆疊目前主要使用正使用熱壓粘合（TCB）和批量回流焊（MR）工藝，而最新消息稱三星和 SK 海力士正在推進(jìn)名為混合鍵合（Hybrid Bonding
- 關(guān)鍵字： 三星 海力士 內(nèi)存
海力士競(jìng)逐 HBM 市場(chǎng)份額，正計(jì)劃將擴(kuò)建其產(chǎn)能并使產(chǎn)能翻倍
- 6 月 18 日消息，據(jù) businesskorea 以及 etnews 報(bào)道，SK 海力士將擴(kuò)展其 HBM3 后道工藝生產(chǎn)線，并已收到英偉達(dá)要求其送測(cè) HBM3E 樣品的請(qǐng)求據(jù)稱，考慮到對(duì)人工智能 (AI) 半導(dǎo)體的需求增加，S 海力士正在考慮將 HBM 的產(chǎn)能翻倍的計(jì)劃。業(yè)內(nèi)消息稱 SK 海力士于 6 月 14 日收到了 NVIDIA 對(duì) HBM3E 樣品的請(qǐng)求，并正在準(zhǔn)備發(fā)貨。HBM3E 是當(dāng)前可用的最高規(guī)格 DRAM HBM3 的下一代，被譽(yù)為是第五代半導(dǎo)體產(chǎn)品。SK 海力士目前正致力于開(kāi)發(fā)該產(chǎn)品
- 關(guān)鍵字： businesskorea SK 海力士 HBM3 英偉達(dá) HBM3E
海力士完成業(yè)界首個(gè) 1bnm DDR5 服務(wù)器 DRAM 兼容性驗(yàn)證流程
- IT之家5 月 30 日消息，海力士宣布已經(jīng)完成了 1bnm 的開(kāi)發(fā)，這是 10 納米工藝技術(shù)的第五代，并對(duì)針對(duì)英特爾至強(qiáng)處理器的 DDR5 產(chǎn)品的內(nèi)存程序進(jìn)行驗(yàn)證。海力士的 DRAM 開(kāi)發(fā)主管 Jonghwan Kim 說(shuō)，1bnm 將在 2024 年上半年被 LPDDR5T 和 HBM3E 等產(chǎn)品所采用。英特爾內(nèi)存和 IO 技術(shù)副總裁 Dimitrios Ziakas 表示：英特爾一直在與內(nèi)存行業(yè)合作，以確保 DDR5 內(nèi)存在英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展平臺(tái)上的兼容性；海力士 1bnm 是其中第一個(gè)針對(duì)
- 關(guān)鍵字： 海力士 DDR5
sk 海力士介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)sk 海力士的理解，并與今后在此搜索sk 海力士的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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